首页 在售
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
求购
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
查询 申请 展会 资讯 专利榜 企服商城 升级VIP
专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果216631个，建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]版图数据的处理方法-CN201310258304.3有效
  • 张辰明;张旭升;魏芳 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-06-26 - 2013-09-18 - G03F1/36
  • 产生包括正方形图形的初始版图数据；对初始版图数据进行OPC修正；对经过OPC修正的版图数据进行掩模板最小规则检查，以查找出违反掩模板最小规则的正方形图形；对经过OPC修正的版图数据进行修改，使得违反掩模板最小规则的正方形图形中的至少一部分正方形图形旋转特定角度，以形成旋转后正方形图形，其中正方形图形的旋转以正方形图形的中心作为旋转中心。本发明利用版图数据处理解决了图形违反掩模板最小规则的技术问题，在不增加成本或者降低OPC修正准确度的情况下，能够增加掩模板上OPC修正后的孔间距尺寸，使原来违反掩模板最小制造精度的版图变为符合。
  • 版图数据处理方法
  • [发明专利]一种光刻方法-CN201010612960.5有效
  • 单朝杰;胡华勇 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2010-12-29 - 2012-07-04 - G03F7/20
  • 本发明提供的一种光刻方法，包括：提供测试晶圆；使用设计掩模版对所述测试晶圆进行光刻工艺，在测试晶圆表面形成光刻胶图形；检测所述光刻胶图形，查找发生图形坍塌的区域；根据所述光刻胶图形的坍塌区域，制作修正掩模版，所述修正掩模版具有开口，所述开口与所述图形坍塌区域相对应；提供产品晶圆；分别使用所述修正掩模版以及设计掩模版对产品晶圆进行曝光，在产品晶圆表面形成光刻胶图形。本发明通过对已发生图形坍塌的光刻胶区域进行二次曝光，使得该区域光刻胶的图形失效，从而避免了光刻胶缺陷的扩散。
  • 一种光刻方法
  • [发明专利]测试掩模-CN201110057102.3有效
  • 中西胜彦;吉田光一郎 - HOYA株式会社
  • 2008-05-29 - 2011-06-29 - G03F1/14
  • 测试掩模，其用于光掩模的检查，该光掩模为了使在要被蚀刻加工的被加工层上的抗蚀膜成为作为所述蚀刻加工的掩模的抗蚀图形，被用来对所述抗蚀膜进行规定图形的曝光，而且，该测试掩模形成有测试图形，测试图形具有：使曝光光束透射的透射部、遮挡曝光光束的遮光部以及使曝光光束的一部分减低并透射的灰色调部，其中，所述测试图形包含：排列有基于一定的规律其图形形状逐次变化的多个单位图形的部分，所述多个单位图形分别具有所述灰色调部，所述各单位图形的所述灰色调部的面积
  • 测试
  • [发明专利]灰色调掩模-CN201010189553.8无效
  • 佐野道明 - HOYA株式会社
  • 2006-03-22 - 2010-09-15 - G03F1/00
  • 本发明的课题是提供一种灰色调掩模，具备用灰色调掩模形成的器件图形、和用另外的光掩模被形成为具有与该器件图形重叠的部分的与栅电极及接触孔等相关的准确的标记。本发明的灰色调掩模通过在透明基板上具有半透光膜图形、以及在透光部侧空出余量区域而形成在上述半透光膜图形上的遮光膜图形，由此具有：遮光膜图形与半透光膜图形层叠而成的遮光部，除遮光部以外的形成有半透光膜的半透光部，以及既未形成半透光膜又未形成遮光膜的透光部；其中：该灰色调掩模具有与上述半透光膜图形的形成同时形成的、曝光时的对位的标记图形。
  • 色调
  • [发明专利]膜载体的制造方法和在该方法中使用的掩膜及膜载体-CN97191085.5无效
  • 汤泽秀树 - 精工爱普生株式会社
  • 1997-06-04 - 2003-07-30 - H01L21/60
  • 本发明是将导体图形复制到安装电子元件的膜载体上的方法，利用在涂敷了光致抗蚀剂的膜载体上备有导体图形和2个以上的导体图形的位置重合用的标记的掩模，预备性地复制掩模图形，测定被复制了的位置重合用的标记相对于膜载体的基准坐标的位置与设计位置的偏移，调节掩模相对于膜载体的位置，其后将所述掩模图形正式复制到膜载体上。此外，公开了备有用于实施所述方法的导体图形和2个以上的导体图形的位置重合用的标记的掩模。还公开了在导体层表面除了导体图形以外复制了对于膜的2个以上的导体图形的位置重合用的标记的膜载体。
  • 载体制造方法使用
  • [发明专利]降低光掩模板条纹的方法及装置-CN201410211477.4有效
  • 邓振玉;张沛;李跃松 - 深圳清溢光电股份有限公司
  • 2012-12-03 - 2017-09-08 - G03F1/00
  • 本发明适用于光掩模生产领域，尤其涉及降低光掩模板条纹的方法及装置，所述方法包括下述步骤按照光刻机设备的光斑大小，光束数量计算图形由于光束能量差异造成的条纹的图形收缩系数；根据所述收缩系数对图形中的所有顶点进行收缩，得到收缩图形；根据所述收缩图形在将收缩图形进行光刻前，在设备上使用相反系数进行反补。本发明通过对产生光掩模板条纹的原因，对光掩模板进行光刻前光刻采用的图形进行反补，使得光刻后反补的效果抵消了由于误差导致的出现条纹的情况，使得降低光掩模板出现条纹的情况。
  • 降低模板条纹方法装置
  • [发明专利]一种具有面积微分的球面光刻系统-CN200810056381.X无效
  • 赵立新;邢薇;唐小萍;胡松 - 中国科学院光电技术研究所
  • 2008-01-17 - 2008-07-09 - G03F7/20
  • 一种具有面积微分的球面光刻系统，由光源、照明系统、掩模图形发生器、计算机控制系统、投影成像系统和载物台组成；光源提供照明光，该照明光通过照明系统平行均匀化后，照明掩模图形发生器，计算机控制系统控制掩模图形发生器提供掩模图形，同时根据样品的曲率和投影成像系统的焦深将曝光场细分为若干面元，使掩模图形发生器对于单个面元成像不离焦，投影成像系统将掩模图形发生器提供的掩模图形成像于安装于载物台的样品上，计算机控制系统根据球面样品的曲率确定载物台的摆动长度以及二维运动，对平面掩模进行面积微分，实现不同曲率样品的表面拼接光刻。
  • 一种具有面积微分球面光刻系统
  • [发明专利]掩模版制作方法和掩模版-CN201910003405.3有效
  • 陈洁;王谨恒;朱斌;张斌;张剑 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2019-01-03 - 2021-12-21 - G03F1/36
  • 本发明涉及一种掩模版制作方法和掩模版，其中，掩模版制作方法包括：建立OPC程序；提供设计图形，对设计图形中的转角图形进行预处理；根据OPC程序，对包含预处理后的转角图形的设计图形进行OPC运算；按照OPC运算后的图形制作掩模版，从而不仅可以保证中间CD满足实际需求，而且可以保证转角CD满足实际需求，有效避免了通过牺牲转角CD来满足中间CD导致的转角过于圆弧化而无法满足用户需求的问题。
  • 模版制作方法
  • [发明专利]栅极的形成方法及MOS晶体管的制造方法-CN201410736229.1在审
  • 徐伟中 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-12-04 - 2016-06-29 - H01L21/28
  • 一种栅极的形成方法及MOS晶体管的制造方法，其中栅极的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅极层和第一掩模层；在第一掩模层中形成沿第一方向延伸的第一开口；在第一开口侧壁形成牺牲层，牺牲层在第一开口处围成第二开口，第二开口的宽度用于定义栅极末端之间的距离；在牺牲层上形成第二掩模层，第二掩模层填满第二开口并覆盖牺牲层；在第二掩模层上形成光刻胶图形；以光刻胶图形为掩模对第二掩模层、牺牲层和第一掩模层进行刻蚀，直至露出所述栅极层，形成硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模图形化栅极层，形成栅极。
  • 栅极形成方法mos晶体管制造
  • [发明专利]一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质-CN202310043073.8有效
  • 李可玉;罗招龙;王康;刘秀梅;赵广 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-01-29 - 2023-05-26 - G03F1/36
  • 本发明涉及半导体技术领域，提供一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质，包括：获取初始掩模版图，所述初始掩模版图包括多个稀疏图形；调整某一个所述稀疏图形的所处位置，使得该所述稀疏图形周围满足预设条件；分别获取该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值；调整该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使所述绝对值之和小于预设值，该所述稀疏图形位置调整完成；分别调整其余稀疏图形的位置，直至所有稀疏图形位置都调整好后，取得所述所有稀疏图形的位置，生成目标掩模版图。通过本发明公开的一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质，能够达到较好的收敛度。
  • 一种模版图形修正方法装置设备介质
  • [发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置-CN201610004858.4有效
  • 周如;赵娜 - 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
  • 2016-01-04 - 2019-03-08 - H01L21/77
  • 该方法包括：利用掩模版和第一光刻胶，在衬底基板上形成与所述掩模版中第一区域的图形一致的第一膜层的图形；形成第一膜层的图形之后，利用同一掩模版和与所述第一光刻胶的感光性质相反的第二光刻胶，在所述衬底基板上形成与所述掩模版中第二区域的图形一致的第二膜层的图形；其中，所述掩模版包含的所述第一区域和所述第二区域的图形互不重叠且光透过性质完全相反。对于不同次构图工艺中各自独立形成的、且互不重叠的第一膜层的图形和第二膜层的图形，可以仅使用同一掩模版实现第一膜层的图形和不同次构图工艺中的第二膜层的图形的制作，减少了所需要的掩模版的数量，降低了生产成本
  • 一种阵列制作方法显示装置
  • [发明专利]超高精密硅基通孔图形结构的制备方法-CN201410342883.4有效
  • 包文中 - 南通威倍量子科技有限公司
  • 2014-07-17 - 2017-06-23 - H01L21/768
  • 一种超高精密硅基通孔图形结构的制备方法，包括在硅基板上制作无机掩模层；在该无机掩模层上涂布光刻胶，并刻蚀形成光刻胶图形结构；以光刻胶图形结构为掩模对该无机掩模层进行刻蚀；以刻蚀后的无机掩模层作为掩模，利用干法刻蚀工艺刻蚀硅基板，在硅基板上形成通孔图形结构，并且在该干法刻蚀工艺中，对于口径在2μm以下的开口部，在常温下该无机掩模层的硅刻蚀选择比在11000以上，而且在对该硅基板上与通孔图形结构中口径最小处相应区域的刻蚀深度达到设定深度之前，该无机掩模层未被完全刻蚀除去。本发明制备方法工艺简单，成本低廉，能实现具有高精度亚微米硅基通孔图形的高效、快捷的规模化制备，从而充分满足实际应用的需求。
  • 超高精密硅基通孔图形结构制备方法
友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期
咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top