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[发明专利]导热接合层-CN99807742.9无效
发明人：迈克尔·R·平特;南希·F·迪安;威廉·B·威利特;埃米·格廷斯;查尔斯·史密斯 -专利权人：约翰逊·马太电子公司
申请日： 1999-06-04 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： B32B5/12 文献下载
摘要：一种纤维导热接合层。此种接合层含有：以基本上直立的取向嵌入胶合剂中的植入导热纤维(32)，纤维的一部分伸出胶合剂。并且在伸出胶合剂的纤维(34)各部分之间的空间填入封闭剂(30)，和一个在接合层的至少一个外表面上的分离衬垫。
导热接合

[发明专利]层间热接合构件、层间热接合方法、层间热接合构件的制造方法-CN201880009945.6有效
发明人：村上睦明;多多见笃;立花正满 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明的目的在于解决以往的高分子/无机复合体型TIM的耐热性的问题，提供使用了石墨的高性能且高耐热性的层间热接合材以及层间热接合方法，所述层间热接合材即使在进一步具有凹凸的构件之间使用也能够实现优异的热阻特性1μm～50μm的范围、密度为1.4～2.26g/cm3的范围、薄膜面方向的热导率为500W/mK以上、表面的算术平均粗糙度Ra为0.1～10μm的范围的石墨膜层间热接合构件
层间热接合构件方法制造

[发明专利]层间热接合构件、层间热接合方法、层间热接合构件的制造方法-CN201880009944.1有效
发明人：村上睦明;多多见笃;立花正满 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明的目的在于解决以往的高分子/无机复合体型层间热接合构件材料的问题，提供使用了石墨膜的低热阻且高耐热性的层间热接合方法和层间热接合构件。本发明的层间热接合方法为夹持在2个构件之间而传递热的层间热接合构件，其具有石墨膜，石墨膜的厚度T为200nm～3μm，石墨膜表面的算术平均粗糙度Ra与厚度T之比(Ra/T)为0.1～30。
层间热接合构件方法制造

[发明专利]层间热接合构件、层间热接合方法、层间热接合构件的制造方法-CN201880009996.9在审
发明人：村上睦明;多多见笃;立花正满 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明实现即使在具有凹凸的构件间使用也显示出优异的热阻特性的使用了石墨的层间热接合构件、以及层间热接合构件的制造方法。通过制成包含柔软性或流动性物质(A)和石墨膜(B)的构成的热接合构件，并将石墨膜的厚度设为100nm～15μm的范围、将密度设为1.20～2.26g/cm³的范围、将膜面方向的热导率设为
热接合层间石墨膜流动性物质膜面方向凹凸的热导率柔软性重量比石墨热阻制造

[发明专利]接合用浆料、接合层、接合体及接合体的制造方法-CN202280008989.3在审
发明人：岩田广太郎;山口朋彦;中矢清隆 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B22F7/08 文献下载
摘要：接合用浆料(10)包含铜粒子(12)、溶剂(14)及由磷酸酯组成的添加剂(16)。接合用浆料(10)中，添加剂(16)的含量相对于接合用浆料(10)的总量以质量比计为0.5％以上且3.0％以下。
接合浆料制造方法

[发明专利]接合底材与金属层的接合体-CN202080048338.8在审
发明人：林田英德;松尾英志;広山幸久;林田洋之 -专利权人：株式会社世界金属
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明提供一种接合底材与金属层的接合体，当将金属层接合于接合底材时，该金属层的贴紧力较强，其贴紧力的偏差也较小，而且能够以较低成本实现接合。即，本发明为将金属层(5)借由形成于接合底材(1)的接合面的中间层覆盖膜(2)接合于接合底材(2)的接合底材(1)与金属层(5)的接合体，中间层覆盖膜(2)被熔接于接合底材(1)的接合面，同时在中间层覆盖膜(2)中分散埋入有通过锚定效果接合金属层(5)的锚形成物(3)，锚形成物(3)的一部分从中间层覆盖膜(2)向外突出，同时被熔接于中间层覆盖膜(2)，金属层(5)被接合于中间层覆盖膜(2)的表面及从中间层覆盖膜
接合金属

[发明专利]用于接合工艺的自去除抗粘附涂料-CN201110082943.X有效
发明人：刘丙寅;朱立晟;林宏桦;蔡尚颖;谢元智;彭荣辉;赵兰璘;蔡嘉雄;郑钧文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了不含有抗粘附层的接合和接合方法。示例性的方法包括形成第一接合层；形成位于第一接合层上方的隔层；形成位于隔层上方的抗粘附层；以及从第一接合层和隔层形成液体，使得抗粘附层在所述第一接合层上方漂浮。当抗粘附层在第一接合层上方漂浮时可以将第二接合层接合到第一接合层，使得第一接合层和第二接合层之间的接合不包括抗粘附层。
用于接合工艺去除粘附涂料

[发明专利]打线接合结构及其制造方法-CN201910265753.8有效
发明人：朱彦瑞;吴金能;林俊宏;周信宏 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种打线接合结构及其制造方法。打线接合结构包括接合垫结构、保护层及接合打线。接合垫结构包括接合垫及导电层。接合垫具有开口。导电层与接合垫电性连接。导电层的至少部分位于接合垫的开口中，且被接合垫侧向环绕。保护层至少覆盖接合垫结构的部分表面。接合打线接合至接合垫结构的导电层。
接合结构及其制造方法

[发明专利]封装-CN201911368431.2在审
发明人：陈明发;史朝文;陈宪伟;叶松峯;刘醇鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：第一管芯包括第一接合层、与第一接合层相对的第二接合层以及嵌置于第一接合层中的对位标记。第一接合层熔融接合到载体衬底。第二管芯包括第三接合层。第三接合层混合接合到第一管芯的第二接合层。
封装

[发明专利]物理量测定装置及其制造方法、以及物理量测定元件-CN201780022928.1有效
发明人：青柳拓也;内藤孝;三宅龙也;芝田瑞纪;小贯洋;寺田大介;小松成亘 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：提供一种使接合层的接合温度降低到不影响半导体芯片动作的温度，确保半导体芯片和基台的绝缘性的物理量测定装置。包括：基台(隔膜(14b))；基于作用于基台的应力来测定物理量的半导体芯片(应变检测元件(30))；将半导体芯片接合到基台的接合层(20)。接合层(20)具有：接合于半导体芯片的第一接合层(21)；接合于基台的第二接合层(22)；配置于第一接合层(21)和第二接合层(22)之间的绝缘基材(23)。第一接合层(21)及第二接合层(22)包含玻璃。第一接合层(21)的热膨胀系数为第二接合层(22)的热膨胀系数以下，第一接合层(21)的软化点为半导体芯片的耐热温度以下，第二接合层(22)的软化点为第一接合层(21)的软化点以下。
物理量测定装置及其制造方法以及元件

[发明专利]接合体和静电卡盘-CN202180034078.3在审
发明人：荒川竜一;田中智雄;吉本修 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B23K1/19 文献下载
摘要：接合体包括平板状的第1构件、平板状的第2构件以及配置于第1构件与第2构件之间并且将第1构件和第2构件接合起来的接合部，接合部具有：第1接合层，其由第1接合材料构成，配置于第1构件侧；第2接合层，其由第2接合材料构成，配置于第2构件侧；以及金属层，其配置于第1接合层与第2接合层之间，形成有彼此连通的多个孔，呈平板状，该金属层具有：配置于第1接合层侧并且第1接合材料浸渗到多个孔中的第1接合材料浸渗层、配置于第2接合层侧并且第2接合材料浸渗到多个孔中的第2接合材料浸渗层以及配置于第1接合材料浸渗层与第2接合材料浸渗层之间并且多个孔为空的空孔层。
接合静电卡盘

[发明专利]接合半导体结构及其制作方法-CN202110776523.5在审
发明人：江俊松;刘家玮;陈昱瑞;林毓翔 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开一种接合半导体结构及其制作方法，其中该接合半导体结构包括第一元件晶片以及第二元件晶片。第一元件晶片包括第一介电层、设置在第一介电层中的第一接合垫，以及设置在第一介电层上的第一接合层。第二元件晶片包括第二介电层、设置在第二介电层上并且与第一接合层接合的第二接合层，以及设置在第二介电层中并且穿过第二接合层及至少部分第一接合层的第二接合垫。第一接合垫与第二接合垫之间包括导电接合界面，第一接合层与第二接合层之间包含介电接合界面，其中导电接合界面与介电接合界面之间包括一阶梯差。
接合半导体结构及其制作方法

[实用新型]集成电路-CN202320110106.1有效
发明人：严俊荣;M·G·卡斯托里纳;阮文征;杨延诚;D·阿德南;F·塔希尔 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种集成电路，包括：接合焊盘支撑层；下接合焊盘层，位于接合焊盘支撑层上；钝化层，位于下接合焊盘层上；其中钝化层包括在下接合焊盘层的上表面的一部分处的钝化开口；上接合焊盘层，位于钝化层上，并且上接合焊盘层在钝化开口中与下接合焊盘层接触；其中上接合焊盘层和下接合焊盘层直接接触，并且形成用于集成电路的接合焊盘。利用本公开的实施例能够有利地制造更不易破裂或损坏的接合焊盘。
集成电路

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202211341924.9在审
发明人：谢庆堂;徐佑铭;郭俊廷;何荣华;郭志明 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：所述半导体结构包含基板、介电层、接合层、接地金属层及多个线路层，该介电层设置于该基板的表面上，该介电层的多个开口显露该表面，该接合层设置于该介电层上，该接合层的第一接合部位于所述开口中，且该第一接合部连接该表面，该接合层的第二接合部连接该介电层，该接地金属层的第一接地层连接该接合层的该第一接合部，该接地金属层的第二接地层连接该接合层的该第二接合部，各该线路层设置于该接合层的该第二接合部上，且相邻的两个该线路层之间具有一个该第二接地层
半导体结构及其制造方法

[发明专利]用于直接半导体接合的异质接合层的装置及其方法-CN202210245142.9在审
发明人：郑光伟;倪其聪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于直接半导体接合的异质接合层的装置及其方法。根据本发明的一些实施例，可使用异质接合层直接接合第一半导体装置与第二半导体装置。可在所述第一半导体装置上形成第一接合层，且可在所述第二半导体装置上形成第二接合层。所述第一接合层可包含相对于所述第二接合层更高的含羟基硅浓度。所述第二接合层可包含具有相对于所述第一接合层更高的氮浓度的硅。可执行退火以引起导致所述第一接合层的羟基组分的分解的脱水反应，此在所述第一接合层与所述第二接合层之间形成氧化硅键。所述第二接合层中的氮增加所述脱水反应的有效性及所述第一接合层与所述第二接合层之间的所述键的有效性及强度。
用于直接半导体接合装置及其方法

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