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[实用新型]一种复合树脂布-CN202220028371.0有效
发明人：沈学 -专利权人：惠州市鸿源顺五金塑胶有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B32B27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种复合树脂布，由第一防水尼龙布层、第一耐热胶层、第一接合层、防水膜层、第二接合层、第二耐热胶层、第二防水尼龙布层构成，所述第一防水尼龙布层覆盖设置在第一接合层的顶部，所述第一防水尼龙布层与第一接合层之间通过第一耐热胶层相覆盖连接，所述第一接合层的覆盖设置在防水膜层的顶部，所述第二接合层覆盖设置在防水膜层的底部，所述第二防水尼龙布层复合设置在第二接合层的底部，所述第二防水尼龙布层与第二接合层之间通过第二耐热胶层相覆盖连接，所述第一防水尼龙布层、第一接合层、防水膜层、第二接合层、第二防水尼龙布层的边沿通过激光封边连接为一体。
一种复合树脂

[发明专利]半导体元件封装结构-CN202010104189.4在审
发明人：林明哲;郭忠幸;陈慧玲 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件封装结构，包括第一基板、第二基板以及接合层。接合层将所述第一基板与所述第二基板接合。所述接合层包含形成在介电层中的内部接合垫图案与外部接合垫图案，所述外部接合垫图案围绕所述内部接合垫图案。所述外部接合垫图案的第一接合垫密度是大于所述内部接合垫图案的第二接合垫密度。
半导体元件封装结构

[发明专利]用于铜/低介电常数材料后段制程的接合垫结构-CN02126853.3有效
发明人：洪政裕;王松雄;王坤池 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-19 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于铜/低介电常数材料后段制程的接合垫结构。此接合垫结构利用一介电层与一以沟填制程形成的导体接合垫来保护下方的接合垫结构。导体接合垫具有数个介层柱塞，这些介层柱塞是嵌入介电层并连接下方的接合垫结构。此接合垫结构亦包含一保护层，此保护层有一接合垫窗以暴露出导体接合垫，此接合垫窗具有平滑的轮廓。
用于介电常数材料后段接合结构

[发明专利]一种叠加型封装的芯片封装结构及其制备方法-CN202211257409.2在审
发明人：李宗怿;罗富铭;梁新夫;郭良奎 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠加型封装结构，包括相互导电接合的第一封装单元和第二封装单元，所述第一封装单元包括芯片封装层、第一布线层、位于所述第一布线层下表面的第一接合介电层以及被所述第一接合介电层包围的第一接合导电柱；所述第二封装单元包括第二布线层、位于所述第二布线层上表面的第二接合介电层以及被所述第二接合介电层包围的第二接合导电柱；所述第一接合导电柱与所述第二接合导电柱对应形成导电接合；所述第一接合介电层和所述第二接合介电层发生物理接合形成接合介电层
一种叠加封装芯片结构及其制备方法

[发明专利]用于连接两个半导体装置的原子层沉积接合层-CN202210145044.8在审
发明人：郑光伟;倪其聪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于连接两个半导体装置的原子层沉积接合层。一种方法可包含：在第一半导体装置的表面上形成第一原子层沉积(ALD)接合层；以及在第二半导体装置的表面上形成第二原子层沉积接合层。所述方法可包含经由所述第一ALD接合层和所述第二ALD接合层接合所述第一半导体装置与所述第二半导体装置。所述方法可包含：执行退火操作以熔合所述第一ALD接合层和所述第二ALD接合层；以及形成接合所述第一半导体装置与所述第二半导体装置的单个ALD接合层。
用于连接两个半导体装置原子沉积接合

[发明专利]膜电极气体扩散层接合体和膜电极气体扩散层接合体的制造方法-CN201810377817.9在审
发明人：中西淳二;川本忠司;池畑雄太;津坂恭子;浅野高司;长谷川直树 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01M8/1004 文献下载
摘要：本发明提供一种在膜电极气体扩散层接合体中能够缩短微多孔层的烧制时间的技术。燃料电池用的膜电极气体扩散层接合体具有膜电极接合体、阳极扩散层和阴极扩散层，上述膜电极接合体具有电解质膜、阳极催化剂层和阴极催化剂层，上述阳极扩散层与膜电极接合体的阳极催化剂层接合，上述阴极扩散层与膜电极接合体的阴极催化剂层接合，阳极扩散层和阴极扩散层的至少一者具有与上述膜电极接合体相接的微多孔层，微多孔层含有铈化合物，电解质膜、阳极催化剂层和阴极催化剂层的至少1个含有铈离子。
膜电极接合体膜电极气体扩散层接合体阳极催化剂层阴极催化剂层阳极扩散层阴极扩散层微多孔层电解质膜接合燃料电池铈化合物铈离子烧制制造

[发明专利]电路板及其制作方法-CN200710106503.7有效
发明人：李少谦;张志敏 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种电路板，其包括介电层、线路层、至少一导电接合柱与焊罩层。线路层接触介电层，且线路层具有至少一接垫。导电接合柱配置在接垫上。焊罩层配置在介电层上且覆盖线路层。焊罩层接触导电接合柱，且导电接合柱穿过焊罩层，而导电接合柱的高度大于焊罩层的厚度。导电接合柱与其他构件的接合可靠度较高。
电路板及其制作方法

[实用新型]金属键结的发光二极管-CN201620406969.3有效
发明人：龚正;陈怡宏;梁永隆 -专利权人：鼎元光电科技股份有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供一种金属键结的发光二极管，包括基板、第一接合金属层、第二接合金属层、导电氧化层以及外延层。第一接合金属层，形成于基板上。第二接合金属层形成于第一接合金属层上。导电氧化层形成于第二接合金属层上。外延层形成于导电氧化层上。
金属键发光二极管

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202111210535.8在审
发明人：黄圣富 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法包括：在第一晶圆上形成第一接合层，并在第一接合层上形成蚀刻遮罩；使用蚀刻遮罩蚀刻第一接合层的边缘部，并暴露出第一晶圆的一部分；移除蚀刻遮罩；以及将第二晶圆固定于第一接合层。蚀刻遮罩并不只用于部分蚀刻第一接合层及第一晶圆，还用于保护接合层，使得接合层的表面能维持平滑。因此，在晶圆接合工艺中，接合层提供优异的接合效果，以便于将第二晶圆固定在第一晶圆上。
制造半导体装置方法

[发明专利]电力用半导体装置-CN201811152150.9有效
发明人：熊田翔 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够使接合层和树脂的接合强度提高的技术。电力用半导体装置具有：配线部件(1)；半导体元件(2)；接合层(3)，其将配线部件和半导体元件接合；以及树脂(5)，其将配线部件(1)、半导体元件(2)及接合层(3)覆盖。接合层(3)包含第1接合层(31s)，该第1接合层(31s)与树脂(5)相邻地设置，该第1接合层具有由树脂(5)填充的空隙(31sh)。树脂(5)所包含的填料(5f)的最大宽度比第1接合层(31s)的空隙(31sh)的最小直径大。
电力半导体装置

[发明专利]用于施加接合层的方法-CN201910183859.3在审
发明人： M.温普林格 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：用于施加接合层的方法。本发明涉及一种用于将由基本层及保护层组成的接合层施加到基板上的方法，其具有以下方法步骤：将可氧化的基本材料作为基本层施加到该基板的接合侧上，用可至少部分地溶解于该基本材料中的保护材料作为保护层来至少部分地覆盖该基本层
基本层接合层基板施加基本材料保护层保护材料接合可氧化溶解覆盖

[发明专利]用于施加接合层的方法-CN201910183876.7在审
发明人： M.温普林格 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：用于施加接合层的方法。本发明涉及一种用于将由基本层及保护层组成的接合层施加到基板上的方法，其具有以下方法步骤：将可氧化的基本材料作为基本层施加到该基板的接合侧上，用可至少部分地溶解于该基本材料中的保护材料作为保护层来至少部分地覆盖该基本层
基本层接合层基板施加基本材料保护层保护材料接合可氧化溶解覆盖

[发明专利]具有接合层的膜布置-CN201680075114.X在审
发明人：马库斯·海顿;斯蒂芬·亨默尔;马尔科·布兰德纳 -专利权人：普兰西股份有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： B01D63/06 文献下载
摘要：在此，至少一个陶瓷接合层(14)直接位于连接部(6)和粘接部(4)上，并且至少在粘接部(4)和连接部(6)的接合部分上延伸。第一中间层(10)在接合层(14)上结束，并且第一中间层的平均孔尺寸大于接合层(14)。
中间层衬底接合层金属材料可渗透粘接部流体支撑流体混合物分离流体金属支撑流体密封流体渗透陶瓷接合接合部粘接陶瓷外围延伸

[发明专利]接合和释放层转移工艺-CN201680035760.3在审
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;西恩·康;钟明宇;李明航 -专利权人： QMAT股份有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：某些实施方式使用接合‑释放系统，其中释放沿着通过将粒子注入施主中形成的切割平面而发生。单一的接合‑释放序列可涉及加工GaN材料外露的N面。可连续使用多个接合‑释放序列(涉及加工外露的GaN材料的Ga面)，例如利用临时柄部衬底作为中间体。
接合释放转移工艺

[发明专利]用于施加接合层的方法-CN201380079527.1有效
发明人： M.温普林格 -专利权人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将由基本层及保护层组成的接合层施加到基板上的方法，其具有以下方法步骤：将可氧化的基本材料作为基本层施加到该基板的接合侧上，用可至少部分地溶解于该基本材料中的保护材料作为保护层来至少部分地覆盖该基本层
用于施加接合方法