专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种化工用大型镍铝青铜双吸叶轮的铸造工艺-CN202210819173.0在审
  • 黄兵 - 安徽祥东高端装备股份有限公司
  • 2022-07-12 - 2022-10-04 - B22D31/00
  • 本发明涉及一种化工用大型镍铝青铜双吸叶轮的铸造工艺,包括以下步骤:步骤一、制造叶轮型芯:根据需要铸造的叶轮设计制造出型芯和砂箱,在型芯表面喷涂耐火涂料,喷涂后将其置于烘干室内进行烘干,烘干室内的温度保持在50℃;步骤二、熔炼叶轮原材料;步骤三、浇铸叶轮原材料;步骤四、开箱并通过抛光装置对铸件进行抛光;解决了现有的叶轮铸造抛光装置,在对叶轮进行抛光时,普通的抛光辊运动不够灵活,并且抛光装置的移动自由度较少,难以通过改变抛光辊角度满足不规则叶轮的打磨需求,从而针对叶轮的不规则表面进行全面抛光等问题。
  • 一种化工大型青铜叶轮铸造工艺
  • [发明专利]一种电镀前预处理抛光工艺-CN202011411375.9有效
  • 郝利峰;李梦霞;杨玉萍;王培良 - 湖州学院
  • 2020-12-05 - 2023-04-25 - B24B31/10
  • 本发明涉及抛光设备技术领域,具体为一种电镀前预处理抛光工艺,其包括以下步骤步骤一,进料工序,将工件与三角形磨粒同时放入研磨筒;步骤二,抛光工序,启动电机,驱动研磨筒转动;步骤三,筛选切割工序;步骤四,除废料工序,与步骤三同步进行;本发明通过磨粒在抛光工件的过程中对于磨损的磨粒进入到抛光机构中,由切割组件对磨损的磨粒进行切割后,使得三角形的磨粒重新具备棱角,在切割的同时,由除废料组件对研磨筒内的磨损废料进行收集排出,提高了磨粒抛光抛光效果,同时减少了研磨筒内废料对工件抛光的影响。
  • 一种电镀预处理抛光工艺
  • [发明专利]层叠抛光垫的制造方法-CN201380003985.7无效
  • 中井良之 - 东洋橡胶工业株式会社
  • 2013-01-09 - 2014-08-13 - B24B37/20
  • 本发明的目的在于提供一种无弯曲且在抛光时不会在抛光层和缓冲层之间产生剥离的层叠抛光垫的制造方法。本发明的层叠抛光垫的制造方法包括以下步骤:在缓冲层的一面以可剥离的方式设置热塑性树脂基材,在得到的附有基材的缓冲层的未设置所述热塑性树脂基材的面上层叠热熔粘结剂片的步骤;将层叠的热熔粘结剂片进行加热以使其熔融或软化的步骤;将抛光层层叠至已熔融或软化的热熔粘结剂上而制备层叠体的步骤;将层叠体切割为抛光层的大小而制备层叠抛光片的步骤;和将所述热塑性树脂基材从层叠抛光片剥离的步骤
  • 层叠抛光制造方法
  • [发明专利]废弃稀土抛光粉的再生利用方法-CN202211741947.9在审
  • 杨建文;陈振宇;余凤莲;刘利林 - 伯恩光学(惠州)有限公司
  • 2022-12-29 - 2023-06-06 - C09G1/02
  • 本发明提供一种废弃稀土抛光粉的再生利用方法,包括以下步骤步骤S1、对废弃稀土抛光粉进行筛分处理以去除大粒径杂质,并将筛分后的废弃稀土抛光粉进行研磨处理以得到小粒径废弃稀土抛光粉;步骤S2、将小粒径废弃稀土抛光粉放入容器中,加入碱溶液,加热搅拌进行碱浸消解;步骤S3、将步骤S2得到的反应物依次进行过滤处理和清洗处理;步骤S4、将步骤S3得到的反应物放入干燥箱中进行干燥处理;步骤S5、将步骤S4所得干燥后的稀土抛光粉进行研磨,最终得到所需粒径的稀土抛光粉。通过采用碱式回收处理工艺,可以极大的降低生产成本,简化了工艺流程,有利于废弃稀土抛光粉的回收利用。
  • 废弃稀土抛光再生利用方法
  • [发明专利]一种5G芯片加工工艺-CN202011394899.1在审
  • 谢贝贝 - 谢贝贝
  • 2020-12-03 - 2021-03-19 - B24B29/02
  • 本发明公开了一种5G芯片加工工艺,包括以下步骤步骤1:将氮化镓晶圆进行初步的切割、磨削、研磨处理步骤2:将研磨过的氮化镓晶圆放置在精密抛光仪上进行精抛光处理;步骤3;将精抛光后对氮化镓晶片表面进行清洗剂洗涤,然后干燥,即得射频芯片材料;其中,步骤2中的精密抛光仪防护箱、抛光仓、驱动仓、承重板、抛光槽、保持机构、顶料装置、抛光装置、行程装置、上盖板、设于所述上盖板的增压装置和设于所述抛光仓的上液装置;通过精密抛光仪可以将氮化镓晶片的表面包括正面和反面的平坦度提升到一个新的层次
  • 一种芯片加工工艺
  • [发明专利]一种提高凹版使用寿命的电镀新工艺-CN202010692354.2在审
  • 樊文海 - 海安运城制版有限公司
  • 2020-07-17 - 2020-11-27 - C25D5/14
  • 本发明公开了一种提高凹版使用寿命的电镀新工艺,包括以下步骤步骤一:生产标准尺寸的基辊;步骤二:对基辊表面进行打磨、清洗、除油以及抛光处理得版辊基体;步骤三:对版辊基体进行瓦特镀镍打底得镀镍版辊;步骤四:对镀镍版辊进行二次抛光得二次抛光版辊;步骤五:对二次抛光版辊表面镀一层铜层得铜层版辊;步骤六:对铜层版辊的表面进行三次抛光得三次抛光版辊;步骤七:对三次抛光版辊进行雕刻得雕刻版辊;步骤八:对雕刻版辊表面用电镀液进行镀铬处理得镀铬版辊;步骤九:对镀铬版辊进行抛光得成型版辊。
  • 一种提高凹版使用寿命电镀新工艺
  • [发明专利]化学机械抛光方法和装置-CN202011042568.1有效
  • 沙酉鹤;谢越 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2020-09-28 - 2022-02-01 - B24B1/00
  • 本发明公开了一种化学机械抛光方法和装置。所述方法包括提供待抛光的半导体晶圆;对所述半导体晶圆执行化学机械抛光工艺,其中,在所述化学机械抛光工艺中所述半导体晶圆位于第一平面;对所述半导体晶圆执行悬空处理步骤,其中,在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆位于高于所述第一平面的第二平面并且所述半导体晶圆表面下方悬空,以及其中,在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆旋转。根据本发明,将半导体晶圆上升到一定高度远离抛光垫进行悬空处理步骤,使半导体晶圆旋转,半导体晶圆表面的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物,脱离半导体晶圆表面,从而避免了晶圆表面粘附的抛光液颗粒和抛光副产物影响后续处理步骤
  • 化学机械抛光方法装置
  • [发明专利]锗晶体用抛光液及其制备方法-CN202111030631.4在审
  • 杨安;黄雪丽;尹士平 - 安徽光智科技有限公司
  • 2021-09-02 - 2021-11-02 - C09G1/02
  • 本申请提供一种锗晶体用抛光液。所述抛光液按重量计%,主要由下列原料组成:抛光剂:20%~80%;有机溶剂为:10%~50%;pH值调节剂:1%~30%;余量为去离子水。并提供了一种锗晶体用抛光液的制备方法,包括步骤步骤一,将抛光剂加去离子水在搅拌条件下加入有机溶剂;步骤二,将pH添加剂加入步骤一中,搅拌均匀后得到抛光液。本申请的锗晶体用抛光液不含有氧化剂,不含重金属离子,对环境无污染。抛光后晶片粗糙度较低,不容易起划痕,抛光液化学试剂简单,是理想的抛光液材料。
  • 晶体抛光及其制备方法

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