专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种异形玻璃抛光方法及装置-CN202111200969.X在审
  • 易图华;熊今喜;杨连福 - 怀化市吉驷玻璃有限公司
  • 2021-10-15 - 2022-01-07 - B24B1/00
  • 本发明公开了一种异形玻璃抛光方法,包括如下步骤步骤一、制备异形玻璃预抛光形状模具;所述异形玻璃的表面形成若干平行的沟槽;步骤二、在异形玻璃预抛光形状模具表面涂抹脱模剂;步骤三、将异形玻璃预抛光形状模具放入预先涂有脱模剂的容器内固定,且异形玻璃预抛光形状模具的抛光面朝下设置;步骤四、向容器内倒入抛光凝胶;步骤五、待抛光凝胶凝固后得到抛光体,将异形玻璃预抛光形状模具松开,然后取出异形玻璃预抛光形状模具和抛光体;步骤六、将抛光体放到异形玻璃的待抛光面,然后通过推拉装置进行抛光。本发明通过预制精确的模具,然后根据模具制作抛光块,再通过精确制作的抛光块进行抛光抛光抛光块与玻璃完全贴合,从而实现了异形玻璃的精确抛光
  • 一种异形玻璃抛光方法装置
  • [发明专利]一种碲锌镉晶片的抛光方法-CN202210971012.3在审
  • 邓波浪;李玉萍 - 安徽承禹半导体材料科技有限公司
  • 2022-08-15 - 2023-01-17 - H01L21/463
  • 本发明涉及一种碲锌镉晶片的抛光方法,包括如下步骤步骤一:配制抛光液;步骤二:实施物理机械抛光步骤三:去除保护层,在高温高压条件下加热步骤二处理的碲锌镉晶片,熔化碲锌镉晶片表面的保护层,并用乙醇、去离子水依次冲洗;步骤四:实施化学腐蚀抛光,选用步骤一制备的化学腐蚀抛光抛光液,将步骤三处理后的碲锌镉晶片置入后,按照所确定的抛光参数进行抛光抛光结束后,清洗碲锌镉晶片;步骤五:检测碲锌镉晶片抛光质量。本发明实施例的碲锌镉晶片的抛光方法运用机械和化学抛光方法,提高抛光效果,整个抛光方法过程简单,易于实施,实用价值高。
  • 一种碲锌镉晶片抛光方法
  • [发明专利]一种精密毛刷研磨抛光工艺-CN201811071897.1有效
  • 蔡赞峰 - 蔡赞峰
  • 2018-09-14 - 2022-02-25 - B24B1/00
  • 本发明公开了一种精密毛刷研磨抛光工艺,包括单边式玻璃层叠毛刷研磨抛光和玻璃层叠外形对中心式毛刷研磨抛光,其中单边式玻璃层叠毛刷研磨抛光包括步骤A一,玻璃层叠工序A;步骤A二,精密毛刷研磨抛光加工工序A1;步骤A三,更换需要抛光的玻璃端面;步骤A四,精密毛刷研磨抛光加工工序A2;步骤A五,依次更换需要抛光的玻璃端面;步骤A六,依次完成精密毛刷研磨抛光加工工序A;步骤A七,玻璃分离工序A;其中玻璃层叠外形对中心式毛刷研磨抛光包括步骤B一,玻璃层叠工序B;步骤B二,精密毛刷研磨抛光加工工序B;步骤B三,玻璃分离工序B;该发明,极大的提升了生产加工效率,且简化了玻璃生产工艺、降低了生产成本。
  • 一种精密毛刷研磨抛光工艺
  • [发明专利]一种高面型高粗糙度的光学器件抛光方法-CN202111458179.1有效
  • 肖志宏 - 日禺光学科技(苏州)有限公司
  • 2021-12-02 - 2022-11-18 - B24B1/00
  • 本发明公开了一种高面型高粗糙度的光学器件抛光方法,涉及光学器件加工技术领域,包括以下步骤步骤一:制作抛光盘基底;步骤二:制作稀土抛光盘;步骤三:抛光盘仿形加工;步骤四:抛光盘磁流变精修;步骤五:光学器件抛光本发明使用经过配比的稀土制作稀土抛光盘,根据待加工零件通过仿形加工出较高面型精度的抛光盘,使用磁流变抛光方式对抛光抛光,提高抛光盘的表面光洁度,再使用制作好的抛光盘对工件进行抛光,稀土抛光盘大大提高了抛光效率,经过仿形加工后的抛光盘也可提高工件的面型精度,完成对工件的抛光且兼顾工件的面型精度,对抛光工作人员要求较低,工作效率高,生产经济效益好。
  • 一种高面型高粗糙光学器件抛光方法
  • [发明专利]一种半导体材料晶片的抛光方法-CN202211359644.0在审
  • 李伟;高苗苗 - 深圳市冠禹半导体有限公司
  • 2022-11-02 - 2023-01-13 - H01L21/02
  • 本发明涉及抛光技术领域,且公开了一种半导体材料晶片的抛光方法,包括以下步骤步骤1)处理包括调配、检测、过滤和加热等工序,步骤4)浸泡抛光步骤5)喷洗抛光步骤6)清洗和干燥,步骤7)抛光液的回收。该半导体材料晶片的抛光方法,通过在对半导体材料晶片抛光处理前对抛光液进行处理和检测,包括过滤和加热,使得抛光液保持在较好的状态,在对半导体材料晶片进行抛光打磨,从而提高半导体材料晶片的打磨效果和状态,然后经过两侧的抛光呈现出较好的抛光效果,其次在抛光对半导体材料晶片进行干燥处理以及对抛光液的回收处理,都提高了半导体材料晶片的抛光效果和质量以及方便程度。
  • 一种半导体材料晶片抛光方法
  • [发明专利]一种白层组织的扫描电镜样品制备方法-CN201510795748.X在审
  • 潘睿;陈春焕;任瑞铭 - 大连交通大学
  • 2015-11-18 - 2016-01-13 - G01Q30/20
  • 本发明涉及一种白层组织的扫描电镜样品制备方法,所述制备方法包括粗磨细磨步骤、机械抛光步骤、振动抛光步骤;所述机械抛光步骤为将经过粗磨细磨后的试样置于湿润的抛光盘上加入抛光抛光;所述抛光剂包括碱性硅溶胶和碱液,所述碱性硅溶胶与碱液的体积比为7~20:1~3;所述振动抛光步骤为将机械抛光步骤所得产品在水中振动抛光,本发明有益效果为抛光过程不仅将试样抛光,同时也将白层内组织形貌浸蚀出来,在扫描电镜下即可观察到现有硝酸酒精腐蚀剂浸蚀后观察不到的清晰组织结构
  • 一种组织扫描电镜样品制备方法
  • [发明专利]一种矩形玻璃分段抛光方法-CN201910251017.7有效
  • 张勇;陈志凯 - 蒙马科技(深圳)有限公司
  • 2019-03-29 - 2020-05-22 - B24B29/06
  • 本发明公开一种矩形玻璃分段抛光方法,包括:步骤S1、将工件放入工位并固定;步骤S2、设置抛光轮和工件的初始位置;步骤S3、在抛光机的主机上输入程序参数;步骤S4、两抛光轮朝向工件方向移动;步骤S5、工件沿逆时针方向旋转;步骤S6、工件沿顺时针方向旋转回归至初始位置;步骤S7、工件沿顺时针方向旋转;步骤S8、工件沿逆时针方向旋转回归至初始位置;步骤S9、重复所述步骤S5至所述步骤S8。本发明工艺步骤设计简单合理,能够保证工件被抛光的均匀性;分段抛光能不避免玻璃工件角进入抛光轮,从而保护玻璃工件角不被抛光,满足一些不能抛光圆弧角玻璃工件的抛光需求;计算机自动程序设计自动化程度高,更能够保证抛光均匀性
  • 一种矩形玻璃分段抛光方法
  • [发明专利]一种晶圆化学机械平坦化方法-CN202211530887.6在审
  • 李嘉浪;贾若雨;白琨;吴燕林;周庆亚;孟晓云 - 北京晶亦精微科技股份有限公司
  • 2022-12-01 - 2023-05-16 - B24B37/005
  • 本发明提供一种晶圆化学机械平坦化方法,包括以下步骤:提供多个待抛光的晶圆;依据设定制程参数,对晶圆依序进行晶圆抛光步骤;在晶圆抛光过程中,获取晶圆的当前数据;提供晶圆抛光步骤的历史数据;根据当前晶圆的当前数据,结合历史数据,修正设定制程参数,获得修正抛光厚度和修正抛光时间;依据修正抛光厚度和修正抛光时间,对下一晶圆进行抛光步骤;在晶圆抛光过程中,进行多次获取晶圆的当前数据的步骤,每获得一次当前数据,则获得一次修正抛光厚度和修正抛光时间,依据新的修正抛光厚度和新的修正抛光时间,对下一晶圆进行抛光步骤。本发明的晶圆化学机械平坦化方法,统一批次晶圆的抛光研磨结果之间方差小。
  • 一种化学机械平坦方法
  • [发明专利]一种石墨模具的抛光方法-CN201911400643.4在审
  • 邵长涛 - 青岛金时特碳素有限公司
  • 2019-12-30 - 2021-07-16 - B24B1/00
  • 本发明公开了石墨模具的抛光方法,石墨模具的抛光方法包括如下步骤:人工抛光步骤,通过人工采用手持海绵件对石墨模具进行人工抛光处理;机抛光步骤,通过抛光机对完成人工抛光步骤后的石墨模具进行机抛光处理。本发明中石墨模具在抛光时,先通过人工采用手持海绵件对石墨模具进行人工抛光,在通过抛光机对石墨模具进行机抛光,从而有效提高了石墨模具的表面光洁度。
  • 一种石墨模具抛光方法

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