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[发明专利]一种PoP封装结构及制造工艺-CN201410129743.9在审
发明人：陈南南;王宏杰 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及一种PoP封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型封装单元制作时，采用芯片面朝下的工艺流程，通过在载片上先制作一层金属层，然后芯片面朝下贴放于金属层的开槽内，从而增强扇出型晶圆级封装的刚性和热胀系数，使得整个晶圆的翘曲以及因塑封料涨缩引起的滑移、错位等得到控制。塑封以后在背面开孔，填充金属，形成金属柱与金属层形成电互连，并且在金属柱上端制作RDL层（再布线层），最后制作UBM、置球，形成单颗扇出型封装单元体。
一种 pop 封装结构制造工艺

[发明专利]一种用于扇出式圆片级封装的散热构件及制造方法-CN201610016506.0有效
发明人：赖忠民;叶丹;王俭辛;曹秀斌 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种用于扇出式圆片级封装的散热构件及制造方法，所述构件包括若干芯片和圆形布线层，所述芯片的正面按矩阵式安置在所述布线层的背面上，所述芯片的背面和侧面以及布线层未被芯片覆盖的背面上包裹有塑封层构成扇出式圆片所述方法是：键合支撑圆片、扇出式圆片背面钻孔、扇出式圆片背面沉积铜种子层、铜种子层表面涂光刻胶、光刻胶层曝光和显影、扇出式圆片背面形成导热铜柱、扇出式圆片背面去除光刻胶、扇出式圆片背面去除铜种子层、去除支撑圆片本发明提高了扇出式圆片级封装器件散热效率，保证了大功率扇出式圆片级封装器件的可靠性。
一种用于扇出式圆片级封装散热构件制造方法

[发明专利]多模块集成内插器和由此形成的半导体器件-CN201910403773.7在审
发明人：张聪;邱进添;杨旭一;张亚舟 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：所述多模块内插器可以在所述晶圆级形成，并且提供到所述器件中的所述一个或多个管芯的扇出信号路径以及自所述器件中的所述一个或多个管芯的扇出信号路径。另外，所述多模块内插器允许在所述晶圆级形成任何各种不同的半导体封装构型，包括例如引线键合封装、倒装芯片封装和硅通孔(TSV)封装。
模块集成内插由此形成半导体器件

[发明专利]晶圆级扇出的多芯片封装结构及其制备方法-CN202111669397.X在审
发明人：李宗怿;罗富铭;郭良奎;潘波 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级扇出的多芯片封装结构，包括：转接结构，以及分别位于所述转接结构下侧和上侧的封装有芯片的第一包封层和第二包封层；所述第二包封层上设有外大内小的多个开口，以及覆盖所述开口且与所述转接结构中的导电金属层电连接的本发明还公开了一种晶圆级扇出的多芯片封装结构制备方法。本发明在包封层上开口并用UBM层覆盖及焊料填充，大大简化了现有技术中用于与外部电路连接的互连结构的制程工艺，节省了成本。
晶圆级扇出芯片封装结构及其制备方法

[发明专利]扇出型晶圆级封装结构及其制备方法-CN202310556796.8在审
发明人：李尚轩;石佩佩 -专利权人：南通通富科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装领域，提供一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法，方法包括：提供玻璃载盘；在玻璃载盘沿其厚度方向的第一表面形成金属种子层；在金属种子层上形成重布线层；重布线层包括依次交替形成的多层钝化子层和多层金属布线子层最底层的金属布线子层与金属种子层电连接；在最顶层的金属布线子层上通过干膜压合技术形成钝化层；在钝化层上形成多个分别与最顶层的金属布线子层电连接的焊盘；将芯片倒装在多个焊盘上；去除玻璃载盘和金属种子层，制备得到扇出型晶圆级封装结构本公开可避免晶圆翘曲问题，有效解决因RDL电镀高低不平造成的晶粒虚焊及晶粒偏移问题。
扇出型晶圆级封装结构及其制备方法

[发明专利]使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构及其制备方法-CN202310433234.4有效
发明人：龙欣江;杨阳;潘明东;张国栋;张中 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构及其制备方法。本发明公开的使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构在应力的作用下，也不易发生翘曲的问题；具体是硅基支撑结构对整个封装结构起到了很好的支撑作用，其还能够辅助散热，提高封装结构的散热性能。
使用支撑结构晶圆级扇出型封装及其制备方法

[发明专利]一种扇出型多芯片三维集成光敏系统封装方法及结构-CN202211181264.2在审
发明人：周超杰;夏晨辉;王刚;李奇哲;蒋玉齐 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开一种扇出型多芯片三维集成光敏系统封装方法及结构，属于集成电路封装领域。在硅晶圆的第一面内部形成TSV铜柱并装入光敏传感器芯片；减薄硅晶圆的第二面至露出TSV铜柱；将TSV转接芯片与TSV铜柱对位倒装焊接，在硅晶圆上贴装异构芯片；用树脂塑封料将异构芯片和TSV转接芯片进行灌封固化；再进行减薄至露出TSV转接芯片的铜柱和异构芯片的铜柱；使用晶圆级多层再布线工艺在减薄后的表面形成多层再布线；将带有再布线的玻璃基板与光敏传感器芯片和TSV铜柱进行回流键合；在多层再布线处形成焊球，再进行划片形成最终的封装体本发明完成多芯片的封装，实现了晶圆级封装与系统级封装的相互结合，实用性更强。
一种扇出型多芯片三维集成光敏系统封装方法结构

[发明专利]晶圆级芯片封装结构及封装方法-CN201910944739.0在审
发明人：徐罕;陈彦亨;吴政达;林正忠;薛亚媛 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级封装结构及封装方法，封装方法包括：提供支撑基底，形成临时键合层、贴片膜；将待封装芯片固定于贴片膜上；制备导电柱；采用封装层封装待封装芯片制备重新布线层；制备金属凸块；基于述临时键合层剥离支撑基底本发明采用先进行贴片，再进行重新布线层制备的方式，在扇出型晶圆级封装中，有利于缩短制程，减小作业周期，提升产品产率，有利于产品成本的降低，实现了对晶圆级芯片进行有效的六面封装，更好的包装芯片，提高产品的可靠性
晶圆级芯片封装结构方法

[实用新型]双面扇出型晶圆级封装结构-CN201620076472.X有效
发明人：蔡奇风;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双面扇出型晶圆级封装结构，包括基底、第一重新布线层、第二重新布线层、通孔电极、第一器件、第一电极凸块、第一固化材料、第二器件、第二电极凸块以及第二固化材料，所述第一、第二重新布线层通过通孔电极连接重新布线层制作于芯片附着之前，避免芯片移位；将结构粘合于载体上，避免结构翘曲；用电极凸块作为互连引出，为多种不同器件的集成提供了保证；通过控制固化材料的厚度来控制电极凸块的引出，节省了固化材料的研磨工艺；通过双面扇出型封装
双面扇出型晶圆级封装结构

[发明专利]一种选择性湿法处理晶圆边缘的方法及半导体装置-CN201811381699.5有效
发明人：姚大平 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性湿法处理工艺方法和设备装置，该工艺方法应用于晶圆级扇出封装工艺集成，硅片、玻璃、或其他衬底晶圆边缘在常规去胶处理后留下的残胶去除，具体包括：将待处理晶圆背面放置在选择性湿法处理晶圆边缘的半导体装置的下部密封圈上，通过处理腔体Z轴移动，使上部密封圈接触晶圆的正面，由此所述晶圆的边缘密封在所述半导体装置的除胶处理腔内；向处理腔里加入去除残胶溶液，仅对所述待处理晶圆的边缘部分进行湿法处理；预定去胶时间后，排出处理腔内的用过的去胶液；再利用纯水处理冲洗所述晶圆边缘；以及关闭纯水供应阀门，并利用惰性气体干燥晶圆。
一种选择性湿法处理边缘方法半导体装置

[实用新型]一种扇出型晶圆级封装结构-CN202221305495.5有效
发明人：杨进;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构，所述封装结构至少包括：具有预设翘曲值和翘曲方向的玻璃载体；重新布线层，形成于所述玻璃载体上；芯片，焊接于所述重新布线层上；模塑层，形成于所述重新布线层上且包覆所述芯片本实用新型利用预成型的玻璃载体作为封装基板，该玻璃载体具有预设的翘曲值，通过这种翘曲补偿，在晶圆级封装过程中，尤其是对于大尺寸的封装结构，可以控制晶圆凹或者凸的翘曲程度，满足芯片封装生产中的晶圆翘曲规格
一种扇出型晶圆级封装结构

[发明专利]晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构及封装工艺-CN202110184861.X在审
发明人：王赛 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构及封装工艺，该结构包括芯片，芯片背面贴合有ABF膜，在ABF膜后面粘合有一定厚度的支撑硅层，支撑硅层未经过磨片处理，芯片正面有第一压区和第二压区，在所述第一压区和第二压区正面会通过光刻本发明的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，通过在芯片外设有绝缘介质胶膜和支撑层，能够大大的减小芯片的翘曲度，而且由于在芯片外设有支撑硅层，支撑硅层能有效的对芯片散热，提供更好的散热需求，并可以根据客户的封装需求灵活定制封装厚度的新型封装结构
晶圆级嵌入式硅片支撑封装结构工艺

[发明专利]薄型传感器芯片的扇出封装结构及其封装方法-CN202210231626.8在审
发明人：方立志 -专利权人：艾司博国际有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了薄型传感器芯片的扇出封装结构，包括玻璃载具组、芯片级封装和扇出型封装，所述玻璃载具组包括晶圆级玻璃载具和薄玻璃，所述薄玻璃的底部粘附有保护胶带，且保护胶带的表面粘结有金属层，本发明涉及半导体封装技术领域该薄型传感器芯片的扇出封装结构，通过影像传感器用薄型的封装，图像信号处理器也做在薄型封装体内，再将两者整合成一个封装体，透过特殊的设计及制程方法，可以将玻璃、芯片、封装体变薄，又有足够的强度，不会造成影像变形
传感器芯片封装结构及其方法

[发明专利]晶圆级芯片封装方法、封装结构和电子设备-CN202210344701.1在审
发明人：胡彪;白胜清 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级芯片封装方法、封装结构和电子设备，涉及半导体领域。本发明的晶圆级芯片封装方法，充分利用成熟的倒装技术及晶圆级封装，现在载具上构建第一重新布线层和第一导电柱，再倒装芯片，将芯片上的第二导电柱与第一重新布线层连接，再形成塑封体并露出第一导电柱的端部，然后制作第二重新布线层和第一锡球该方法制作的晶圆级芯片封装机构能够实现双面扇出，能实现芯片的全面性包封，使之提高封装可靠性，具有体积小且能乘载更多的讯号连接点。
晶圆级芯片封装方法结构电子设备

[实用新型]一种强稳固性晶圆级扇出集成芯片和无源器件的封装结构-CN202121565744.X有效
发明人：杨文涛 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种强稳固性晶圆级扇出集成芯片和无源器件的封装结构，包括芯片、无源器件、再钝化层、再分布线层及凸块下金属化层；芯片和无源器件的数量均为至少一个，芯片和无源器件表面分别封压有ABF膜，所述ABF膜上层包覆有塑封料层，所述塑封料层表面封压有支撑晶圆；再钝化层和再分布线层位于芯片压区、无源器件压区与凸块下金属化层之间，所述再钝化层和再分布线层的一端与芯片压区、无源器件压区接触，本实用新型实现了晶圆级扇出异构封装芯片和电容电感，减小了芯片和无源器件的封装尺寸、提高了封装效率并且缩短了整个封装流程。
一种稳固性晶圆级扇出集成芯片无源器件封装结构