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[发明专利]一种高密度扇出型封装结构及封装方法-CN202310950503.4在审
发明人：付东之;马书英;赵艳娇 -专利权人：华天科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度扇出型封装结构及封装方法，该方法包括如下步骤：取一载片，在该载片上的表面形成抗反射层；在抗反射层上交替制备形成多层金属重布线层和钝化层；在金属重布线层上连接功能芯片，在重构晶圆结构的有效区的空白区域以及重构晶圆结构的无效区贴装假芯片该方法通过降低塑封体内应力与提升重构晶圆硅占比的多重手段，显著改善高密度扇出型封装重构晶圆的翘曲问题。
一种高密度扇出型封装结构方法

[发明专利]高集成度晶圆扇出封装方法-CN201110032591.7有效
发明人：陶玉娟;石磊;朱海青 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-01-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及高集成度晶圆扇出封装方法，包括步骤：在载板上形成胶合层；将由芯片和无源器件组成的被封装单元的功能面贴于所述胶合层上；将载板贴有芯片和无源器件的一面形成封料层，进行封装固化，所述封料层表面对应于被封装单元之间设有凹槽与现有技术相比，本发明请求保护的高集成度晶圆扇出封装方法，将芯片和无源器件进行整合后再一并封装，可以形成包含整体系统功能而非单一的芯片功能的最终封装产品。另外，将封装层的整片封装分解成多个小封装块以降低封装层的内应力，进而避免封料层在晶圆封装的后续过程中出现翘曲变形，提高了晶圆封装成品的质量。
集成度晶圆扇出封装方法

[发明专利]高集成度晶圆扇出封装结构-CN201110032264.1有效
发明人：陶玉娟;石磊;沈海军 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-01-30 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及高集成度晶圆扇出封装结构，包括：被封装单元，包括芯片及无源器件，所述被封装单元具有功能面；与被封装单元的功能面相对的另一面形成有封料层，所述封料层对被封装单元进行封装固化，所述封料层表面对应于被封装单元之间设有凹槽与现有技术相比，本发明请求保护的高集成度晶圆扇出封装结构，将芯片和无源器件进行整合后再一并封装，为包含整体系统功能而非单一的芯片功能的最终封装产品。另外，将封料层的整片封装分解成多个被封装单元，并通过被封装单元之间的凹槽以降低封料层的内应力，进而避免封料层在晶圆封装的后续过程中出现翘曲变形，提高了晶圆封装成品的质量。
集成度晶圆扇出封装结构

[发明专利]一种晶圆级芯片系统的效能评估方法-CN202310904271.9在审
发明人：李佳桐;陈相宇;吴春春;刘佳兴;王士成;胡怀湘;武阳;范姗;杨亦力 -专利权人：中国电子科技集团公司第十五研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06Q10/0639 文献下载
摘要：本公开是关于一种晶圆级芯片系统的效能评估方法、装置、电子设备以及存储介质。其中，该方法包括：对晶圆级芯片系统进行分析，构建晶圆级芯片系统评估指标集，所述晶圆级芯片系统评估指标集包括晶圆级芯片系统评估指标；构建晶圆级芯片系统权重体系，基于所述晶圆级芯片系统权重体系，建立晶圆级芯片系统的效能评估模型；以所述晶圆级芯片系统评估指标集对应的参数指标值为输入，基于所述晶圆级芯片系统的效能评估模型完成对晶圆级芯片系统的效能评估。本公开通过构建评估指标集、权重体系建立晶圆级芯片系统的效能评估模型，该效能评估模型对晶圆级芯片系统架构进行评估，可以为系统架构的启发式优化提供支撑。
一种晶圆级芯片系统效能评估方法

[发明专利]一种增强散热的扇出封装方法-CN202210932120.X在审
发明人：姚大平 -专利权人：江苏中科智芯集成科技有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强散热的扇出封装方法，涉及芯片封装领域。本发明提出了采用预先特制的塑封模具，制备成表面有深槽的重构环氧树脂晶圆，后续通过空气或其他流体增强镶嵌在环氧树脂里芯片的热对流；也可在树脂晶圆背面的深槽里填充高导热材料，增强镶嵌在树脂里芯片的热传导。本发明制备的带深槽树脂晶圆，通过预先设置的散热槽尺寸还可以调节重构塑封晶圆的应力状态，从而改善晶圆翘曲状况，保证重构晶圆的封装工艺质量。
一种增强散热封装方法

[发明专利]基于薄膜的扇出及多晶粒封装平台-CN201610342168.X有效
发明人： S·杰韦勒 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及基于薄膜的扇出及多晶粒封装平台，其所揭示乃基于薄膜的扇出晶圆级封装及其制造方法。
基于薄膜多晶封装平台

[发明专利]一种多芯片扇出型封装结构及封装方法-CN202210456290.5在审
发明人：彭绍军 -专利权人：珠海市人民医院
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种多芯片扇出型封装结构，包括晶圆，晶圆上设有的腔体，晶圆及腔体表面的第一再布线层，第一再布线层设有的金属凸块，背面堆叠在一起的第一芯片和第二芯片，腔体、第一芯片与第二芯片、第一再布线层与第一再布线层上的金属凸块等形成的塑封体并提供了上述一种多芯片扇出型封装结构的封装方法。该发明实现了封装体高集成、多功能、小型化、低能耗、高强度，易散热的优良性能。
一种芯片扇出型封装结构方法

[发明专利]用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构及其封装工艺-CN201810105352.1在审
发明人：王新;蒋振雷;陈坚 -专利权人：浙江卓晶科技有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构，包括至少两层重新布线层，重新布线层为介电层，在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构，金属连接结构露出介电层作为金属触点，重新布线层的一侧设置塑封层，塑封层内塑封有芯片或无源被动元件，相邻的重新布线层之间通过微硅晶块连接。本发明还公开了此种用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构的封装工艺。
重新布线层三维立体封装多芯片介电层晶圆级扇出型金属连接结构封装工艺无源器件塑封层被动元件互联结构集成封装金属触点三维堆叠集成度裸晶片晶块两层塑封微硅无源封装芯片配合应用

[发明专利]硅光模块的封装方法及硅光模块-CN201910461928.2有效
发明人：蔡艳;汪巍;涂芝娟;曾友宏;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种硅光模块的封装方法及硅光模块，其优点在于，该封装方法是晶圆级扇出形封装的方法，其能够提高带宽、提高集成度、改善散热、降低功耗、降低封装成本；同时该封装方法还形成了用于光纤插入的凹口，其使得光纤能够与硅光模块进行光纤耦合
模块封装方法

[发明专利]一种封装方法-CN201910820781.1有效
发明人：江伟;史波;敖利波;王华辉;陈治中;廖童佳 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种封装方法，该方法在对晶圆进行切割前，在晶圆的第一表面和第二表面形成第一保护层，由于晶圆受到第一保护层的保护，在对晶圆切割时不会出现晶圆碎裂和晶圆级芯片损伤的情况，切割得到晶圆级芯片后，再对晶圆级芯片进行侧面封装时，不需要再对晶圆级芯片进行机加工，不会损伤晶圆级芯片。
一种封装方法

[发明专利]芯片晶圆封装方法、微机电系统封装方法及微机电系统-CN201710392149.2在审
发明人：黄玲玲 -专利权人：北京万应科技有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片晶圆封装方法，包括：将芯片的正面与承载板进行临时键合；将芯片埋置在有机树脂层内；将承载板与圆片拆键合，并裸露出芯片上的管脚；制作一层绝缘层；在管脚对应的位置去除绝缘层形成盲孔；在有机树脂层的底部制作通过盲孔与管脚电连接的第一重布线层，制作第一钝化层；在有机树脂层的顶部制作穿透有机树脂层并与管脚连通的塑封料通孔；在塑封料通孔内填镀与第一重布线层电连接的通孔金属，制作第二重布线层，制作第二钝化层；制作与管脚电连接的凸块，得到扇出封装完成的芯片晶圆本发明将MEMS芯片通过扇出型封装形式，使其尺寸能够和ASIC芯片晶圆实现晶圆级封装。
管脚有机树脂层芯片制作晶圆封装重布线层电连接通孔微机电系统承载板钝化层塑封料盲孔绝缘层晶圆级封装绝缘层形成扇出型封装临时键合位置去除键合埋置扇出凸块圆片连通穿透金属

[发明专利]光学装置的扇出晶圆级封装和相关方法-CN202011381895.X在审
发明人：林育圣;野间崇 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及光学装置的扇出晶圆级封装和相关方法。半导体封装的具体实施可包括：衬底，该衬底具有第一侧和第二侧。
光学装置扇出晶圆级封装相关方法

[发明专利]晶圆级扇出型封装光电模块及其制备方法-CN202110547154.2在审
发明人：彭超;刘思旸;张燕 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级扇出型封装光电模块及其制备方法。方法包括步骤：将激光器芯片通过胶水固定于转接板，利用转接板将激光器芯片正面贴装于光芯片的凹槽内；去除转接板以得到第一预处理结构；将电芯片正面贴装于载体晶圆的第一容纳腔内；将第一预处理结构正面贴装于载体晶圆的第二容纳腔内以得到第二预处理结构
晶圆级扇出型封装光电模块及其制备方法

[实用新型]一种双面扇出型晶圆级封装结构-CN201720039593.1有效
发明人：仇月东;林正忠;何志宏 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双面扇出型晶圆级封装结构，其至少包括：至少两个第一焊盘；覆盖于所述第一焊盘上表面和侧壁的重新布线层；附着于所述重新布线层上表面的第一裸片和第二裸片；形成于所述重新布线层上表面的包裹所述第一裸片和所述第二裸片的具有至少两个通孔的第一塑封层
一种双面扇出型晶圆级封装结构

[实用新型]一种双面扇出型晶圆级封装结构-CN201720040002.2有效
发明人：仇月东;林正忠;何志宏 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双面扇出型晶圆级封装结构，其至少包括：至少两个第一焊盘；覆盖于所述第一焊盘上表面和侧壁的重新布线层；附着于所述重新布线层上表面的第一裸片和第二裸片；形成于所述重新布线层上表面的电极凸块和包裹所述第一裸片
一种双面扇出型晶圆级封装结构

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