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- [发明专利]半导体存储器件结构及其制作方法-CN201711439944.9有效
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祝啸
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长鑫存储技术有限公司
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2017-12-27
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2023-07-04
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H10B12/00
- 本发明提供一种半导体存储器件结构及其制作方法,半导体存储器件包括硅基底、锗硅渐变缓冲层、锗硅弛豫层、硅外延层、沟槽隔离结构及埋入式字线结构。所述锗硅弛豫层被部分去除以形成填充沟槽及弛豫侧壁,所述硅外延层包含填充于所述填充沟槽内的填充部以及覆盖于所述填充部及所述弛豫侧壁上的顶层部。藉由所述沟槽隔离结构于所述硅外延层中隔出有源区,以及埋入式字线结构延伸至所述填充部内且与所述有源区交叉,所述弛豫侧壁提供所述埋入式字线结构的沟道应力。本发明将两条埋入式字线结构设置于锗硅弛豫层填充沟槽内的有源区中,弛豫侧壁会对其内的有源区产生应力,以产生埋入式字线结构的沟道应力,提高沟道内部电子的迁移率,进而提高器件性能。
- 半导体存储器件结构及其制作方法
- [发明专利]一种光电子弛豫型薄膜晶体管-CN202211415496.X在审
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刘川;郭敏
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中山大学
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2022-11-11
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2023-03-31
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H01L29/786
- 本发明公开了一种光电子弛豫型薄膜晶体管,包括衬底、绝缘层和有源层,有源层包括前沟道电子传输层和背沟道光电子弛豫层,前沟道电子传输层具有高电子迁移率特性,背沟道光电子弛豫层具有光生载流子快复合特性,前沟道电子传输层与绝缘层连接,背沟道光电子弛豫层与前沟道电子传输层连接。本发明使用双层结构的有源层,能够提供载流子从而提高迁移率,加快光生电子‑空穴对的弛豫效率,使得背沟道电子弛豫层中的电子和空穴可以马上复合,难以被捕获进入绝缘层,减轻阈值电压负漂等负面影响,提高薄膜晶体管的稳定性,同时控制背沟道层铟锡比可以消除有源层刻蚀后的台阶结构。
- 一种光电子弛豫型薄膜晶体管
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