专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [其他]一种半导体器件-CN201090000828.2有效
  • 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 - 中国科学院微电子研究所
  • 2010-09-19 - 2013-02-27 - H01L21/336
  • 公开了一种半导体器件,在半导体衬底上形成SiGe;在所述SiGe上形成电介质,在所述电介质上形成替代栅,所述电介质和所述替代栅构成了替代栅结构;沉积间介电,对所述间介电进行平坦化处理,以暴露出所述替代栅;刻蚀去除所述替代栅和所述电介质,以形成开口;在所述开口中执行选择性半导体外延生长,形成半导体外延;沉积高K介电和金属;以及对所沉积的金属和高K介电执行平坦化处理,去除覆盖在所述间介电上的高K介电和金属,形成金属栅。
  • 一种半导体器件

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