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[发明专利]n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石-CN03814068.3无效
发明人：难波晓彦;今井贵浩;西林良树 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2003-06-18 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：加工金刚石{100}单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。
半导体金刚石制造方法

[发明专利]漂移探测器及其制作方法-CN201811578851.9有效
发明人：贾锐;姜帅;陶科;刘赛;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明公开了一种漂移探测器及其制作方法，其中，漂移探测器，包括：高阻N型衬底、P型半导体薄膜、N型半导体薄膜、金属电极层和隔离层，其中，P型半导体薄膜与高阻N型衬底构成PN结，或者P型半导体薄膜中的P型掺杂剂扩散到N型衬底中构成PN结，PN结形成：漂移电极、第一保护环、第二保护环和入射窗口；N型半导体薄膜与高阻N型衬底构成高低结，或者N型半导体薄膜中的N型掺杂剂扩散到N型衬底中构成高低结，高低结形成：阳极、第一接地电极和第二接地电极；以及第二P型半导体薄膜，用来形成分压器。
漂移探测器及其制作方法

[发明专利]半导体超结功率器件-CN201911184048.1有效
发明人：龚轶;刘伟;袁愿林;刘磊;王睿 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括由多个超结MOSFET单元组成的超结MOSFET单元阵列，该超结MOSFET单元包括位于n型漂移区顶部的p型体区，位于p型体区下方的p型柱状掺杂区，位于p型体区内的n型源区，位于p型体区之上栅介质层，位于栅介质层之上的栅极和n型浮栅，且在横向上，栅极位于靠近n型源区的一侧，n型浮栅位于靠近n型漂移区的一侧，栅极通过电容耦合作用于n型浮栅；位于栅介质层中的一个开口，n型浮栅通过所述开口与p型体区接触形成p‑n结二极管。本发明实施例提高了半导体超结功率器件的反向恢复速度。
半导体功率器件

[发明专利]一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺-CN202011011919.2在审
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；本发明也相应地公开上述IBC太阳能电池结构的制备工艺。
一种 ibc 太阳能电池结构及其制备工艺

[发明专利]老旧房屋单面配筋砂浆面层结构顶部加固及其施工方法-CN202310670612.0在审
发明人：董有;鞠树森 -专利权人：筑福（北京）城市更新建设集团有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： E04G23/02 文献下载
摘要：本发明涉及老旧房屋单面配筋砂浆面层结构顶部加固及其施工方法，包括钢筋网片、L型锚固拉结筋、顶部L型锚固拉结筋、砂浆面层、收边勾筋、横向加强钢筋；所述的钢筋网片由竖向钢筋和横向钢筋焊接而成；所述的钢筋网片采用L型锚固拉结筋、顶部L型锚固拉结筋与砌体结构墙体拉结；所述的L型锚固拉结筋和顶部L型锚固拉结筋均为L型，一端植入砌体结构墙体内，另一端压在钢筋网片的竖向钢筋和横向钢筋交叉处，并焊接而成；所述的砂浆面层喷射混凝土强度等级不低于
房屋单面砂浆面层结构顶部加固及其施工方法

[实用新型]一种夹心保温外墙板用板型不锈钢保温拉结件-CN201721691745.2有效
发明人：郑勇;田春雨;郑旭 -专利权人：沈阳卫德住宅工业化科技有限公司;中国建筑科学研究院
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： E04C2/288 文献下载
摘要：本实用新型一种夹心保温外墙板用板型不锈钢保温拉结件，包括板型拉结件主体，所述的板型拉结件主体上设置有多个受力体系孔，所述的多个受力体系孔分为两组均匀排列分布在板型拉结件主体的两侧，所述的板型拉结件主体的四个角处分别设置有圆角本实用新型的板型不锈钢保温拉结件便于预制构件工厂生产预制墙板过程中的施工安装，且具有导热系数低、耐久性好、造价低、强度高的特点，主要承担外叶墙自重与水平地震作用；本实用新型生产简单，通过冲压工艺制作而成，节省成本；板型拉结件主体系受力形式简单明确，在墙板中锚固性能好，安全可靠。
拉结件板型本实用新型不锈钢保温保温外墙板受力体系预制构件水平地震作用冲压工艺导热系数工厂生产均匀排列施工安装受力形式预制墙板外叶墙主体系角处两组锚固墙板圆角制作生产

[实用新型]一种IBC太阳能电池结构-CN202022108929.X有效
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区。
一种 ibc 太阳能电池结构

[实用新型]一种电池串接防反接保护电路-CN202121199065.5有效
发明人：罗彪;彭晓姣 -专利权人：陕西三恒电子科技有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种电池串接防反接保护电路，包括结型场效应管，结型场效应管的漏极连接至电池负极，结型场效应管的源极连接至电池正极，在结型场效应管的源极与电池正极之间串接有两个驱动电阻，结型场效应管的栅极还连接至两个驱动电阻之间，靠近结型场效应管源极的驱动电阻两端并联有延时电容。本实用新型一种电池串接防反接保护电路，利用结型场效应管实现了锂离子电池的串联使用中的反接保护以及软导通、快速关断、低电压保护等问题，具有耗电低、电路简单等优点；同时该电路还具有延时开通、加速关断功能，以及防止电池过放电的功能
一种电池接防反接保护电路

[实用新型]用于热释电红外探测器的前置放大电路-CN201320723284.8有效
发明人：张红雨 -专利权人：四川红宇创智信息科技有限责任公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于热释电红外探测器的前置放大电路，包括第一电阻～第九电阻、第一电容～第六电容、第一N沟道结型效应管～第十N沟道结型效应管和直流电源，第一N沟道结型效应管、第二N沟道结型效应管、第二电阻～第五电阻、第二电容和第三电容构成源跟随电路，第三N沟道结型效应管～第六N沟道结型效应管、第四电容、第五电容、第六电阻和第七电阻构成第一级差分信号放大电路，第七N沟道结型效应管～第十N沟道结型效应管、第六电容
用于热释电红外探测器前置放大电路

[实用新型]结固式锚栓-CN201320534267.X有效
发明人：李诗全 -专利权人：李诗全
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： F16B13/08 文献下载
摘要：一种结固式锚栓，包括金属杆及U型件，所述金属杆入墙部份开设有一组或多组径向通孔，金属杆上设置有一支或多支U型件，每支U型件穿过一组径向通孔，U型件伸出金属杆的两支条倾斜设置，新型结构的锚栓，插入墙壁后，通过U型件支条与孔壁紧密咬合，在粘结剂的作用下，结固后与孔壁形成整体，使锚栓牢固的固定在墙体上，支条相当于植筋作用，受力均匀，质量好，抗拉拔，强度大，工序精简，实用。
结固式锚栓

[发明专利]一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器-CN200910243741.1无效
发明人：刘新宇;程伟;金智;王显泰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器，采用异质结双极型晶体管作为有源器件，包括第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路采用共发射极放大器拓扑结构，其有源器件为第一异质结双极型晶体管，第一异质结双极型晶体管的基极是该放大器的信号输入端，第一异质结双极型晶体管的集电极是第一级放大电路的信号输出端；第二级放大电路采用达林顿对管结构，其有源器件为第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管，其中第二异质结双极型晶体管的基极是达林顿结构的输入端，第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管的集电极是达林顿结构的输出端。
一种利用电阻进行耦合匹配单片低噪声放大器

[发明专利]一种柱状P沟道的碳化硅浮动结二极管及制备方法-CN202310708240.6有效
发明人：宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;王晨谕;何晓宁 -专利权人：西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种柱状P沟道的碳化硅浮动结二极管及制备方法，碳化硅浮动结二极管为圆柱型结构，包括：N型衬底、有源区N漂移区、终端区、若干P型浮动结、P型沟道区和若干P型重掺杂区，有源区N漂移区位于N型衬底上；终端区形成在有源区N漂移区中且环绕若干P型浮动结和若干P型重掺杂区；若干P型浮动结分布在有源区N漂移区的内部且具有相同的深度；P型沟道区连接若干P型浮动结，且从有源区N漂移区的内部延伸至有源区N漂移区的表面；若干P型重掺杂区分布在有源区N漂移区的表层，若干P型重掺杂区环绕P型沟道区的延伸部分。该二极管提高了浮动结碳化硅二极管的工作频率范围和终端区对边缘电场的屏蔽作用。
一种柱状沟道碳化硅浮动二极管制备方法

[实用新型]一种新型功率半导体器件及其边缘终端结构-CN201620612815.X有效
发明人：詹创发 -专利权人：深圳市快星半导体电子有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型功率半导体器件及其边缘终端结构，包括多段浮空场板和功率芯片，多段浮空场板的下表面焊接有底板，功率芯片包括结型场效应晶体管和结型势垒肖特基二极管，结型场效应晶体管包括P型沟道区、N型漂移区和阴极P型体区，P型沟道区的左边N型漂移区引出有阳极N⁺区，右边N型漂移区引出发射极N⁺区；结型势垒肖特基二极管包括N型基片和阳极金属，N型基片和阳极金属之间填充有N^‑外延层；结型场效应晶体管和结型势垒肖特基二极管均连接有阴极金属层；多段浮空场板的两侧刻蚀有深沟刻槽，中心蚀刻有中心区槽，阴极P型体区两侧填接有P型柱体；结型势垒肖特基二极管的N型基片与阴极金属层之间垫衬有N⁺阴极层。
一种新型功率半导体器件及其边缘终端结构

[发明专利]一种高压双向晶闸管的制造方法及结构-CN202211581559.9有效
发明人：杨国江;于世珩;毛嘉云 -专利权人：江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压双向晶闸管的制造方法及结构，所述方法包括：在一N型衬底上依次进行第一无限源注入、第一推结，在所述N型衬底内形成P+型区；进行第二无限源注入、第二推结，在所述N型衬底内形成P型主结区；进行第三注入、第三推结，在N型衬底内分别形成正向N+型区和反向N+型区，从而在所述正向N+型区和所述P型主结区之间、所述反向N+型区和所述P型主结区之间形成PN结结构；经台面刻蚀形成弧形凹面，以使所述N型衬底的未掺杂部分暴露、从而在所述弧形凹面处形成两个相反偏压的PN结结构；随后，进行后道工艺，形成钝化层及金属层覆盖上述结构，得到所述双向高压晶闸管。
一种高压双向晶闸管制造方法结构

[实用新型]一种装配式压型骨架复合墙板-CN202220099138.1有效
发明人：刘敏;聂诗东;顾水涛;黄淮忠;粟帅 -专利权人：中科绿筑（北京）科技有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： E04C2/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种装配式压型骨架复合墙板，包括两个竖向设置的边框，在两个边框之间设有压型骨架，所述压型骨架两侧与边框相连；所述压型骨架上设有多个沿其长度方向延伸的外凸部和内凹部，外凸部与内凹部通过连接部相连，且外凸部与内凹部沿压型骨架的宽度方向交替设置；在所述压型骨架的两侧设有拉结钢筋，所述拉结钢筋一侧与压型骨架固定连接，其两端与边框固定连接；在压型骨架的两侧设有混凝土层，且拉结钢筋位于该混凝土层内部；所述边框为断面呈矩形的钢管结构，并在靠近压型骨架的一侧及其对侧均开设有第一通孔。
一种装配式骨架复合