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[发明专利]在包覆的III-V族沟道材料中实现高迁移率的方法-CN201380079215.0在审
发明人： G·杜威;M·V·梅茨;N·慕克吉;R·S·周;M·拉多萨夫列维奇;R·皮拉里塞泰;B·舒-金 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种设备，其包括：布置在衬底上并且限定了沟道区域的异质结构，异质结构包括具有小于衬底材料带隙的第一带隙的第一材料，以及具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料；以及在沟道区域上的栅极叠置体，其中第二材料布置在第一材料和栅极叠置体之间提供了一种方法，其包括：在衬底上形成具有第一带隙的第一材料；在第一材料上形成具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料；以及在第二材料上形成栅极叠置体。
iii 沟道材料实现迁移率方法

[发明专利]一种湿度控制带隙的声子晶体-CN201910520530.1在审
发明人：诸骏;吴化平;陈宇丹;刘振东 -专利权人：宁海县浙工大科学技术研究院
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：一种湿度控制带隙的声子晶体，包括散射体材料和基体吸水材料，所述基体吸水材料呈二维周期结构排列，通过XY模式下的波动方程推导得出基体吸水材料质量密度和二维周期结构排列下的声子晶体带隙之间的函数关系，从而达到用外场湿度控制带隙的目的本发明提供了一种有效实现外场控制带隙的湿度控制带隙的声子晶体，从而达到不用重新制备也可调带隙的目的。
带隙声子晶体湿度控制吸水材料二维周期结构外场散射体材料波动方程函数关系有效实现控制带可调推导制备

[发明专利]应用于带隙基准电压源的加速启动电路及带隙基准电压源-CN201010599791.6有效
发明人：王梓;李兆佳 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于带隙基准电压源的加速启动电路，其为通过在带隙基准电压源的主体电路上镜像一路电流，通过该镜像电流产生另一带隙基准电压，而后通过比较器来比较两个输出电压，开启一个晶体管开关，利用电流源通过开启的晶体管开关对带隙基准电压源充电，从而保证了带隙基准电压源的加速开启。本发明还公开了一种带隙基准电压源。
应用于基准电压加速启动电路

[实用新型]一种宽带隙多异质结隧穿结结构-CN201220294751.5有效
发明人：单智发;张永;蔡建九;陈凯轩;林志伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开一种宽带隙多异质结隧穿结结构，由四个功能层组成；第一功能层具有第一带隙和第一型掺杂；第二功能层具有第二带隙和第一型掺杂，且带隙小于第一带隙；第三功能层具有第三带隙和第二型掺杂；第四功能层具有第四带隙和第二型掺杂，且带隙大于第三带隙。本实用新型解决了现有技术宽带隙隧穿结峰值电流密度低的问题，采用四个功能层组成隧穿结结构，各功能层之间形成异质结，既可以通过pN型或nP型异质结构的带阶提高峰值隧穿电流，又可以通过Pp型或Nn型异质结构的载流子的注入效应来实现载流子补偿
一种宽带隙多异质结隧穿结结构

[发明专利]一种带隙启动电路和包括这种带隙启动电路的带隙电路-CN202310191693.6在审
发明人：罗庆华;张富彬;王诺;钟裕捷;李仕胜 -专利权人：北京鸿智电通科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙启动电路和包括该带隙启动电路的带隙电路。该启动电路包括阻抗负载、启动控制管、从阻抗负载和启动控制管之间经由反相器分支出来的偏置电压输出电路和启动电流输出电路。阻抗负载一端连接至电源；启动控制管与阻抗负载另一端相连，用于受到带隙电压产生电路输出的带隙电压的偏压作用而导通或关闭偏置电压输出电路和启动电流输出电路；偏置电压输出电路用于为运算放大器提供电压偏置；启动电流输出电路用于运算放大器提供启动电流该带隙电路包括启动电路以及逐级连接到启动电路上的运算放大器和带隙电压产生电路。本发明带隙启动电路结构简单的同时启动可靠，运放结构简单，运放不需要专门的电流源，带隙电路功耗比较低。
一种启动电路包括这种

[发明专利]基于反馈控制的带隙基准电路及基准建立信号的检测方法-CN202210614468.4在审
发明人：王佰平;刘天涯 -专利权人：成都思瑞浦微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反馈控制的带隙基准电路及基准建立信号的检测方法，基准电路包括电流镜电路与带隙基准产生电路连接形成的第一检测点，带隙基准产生电路中设置有第二检测点；检测电路比较第一检测点和第二检测点的电压来判断反馈环路状态以输出用于判断带隙基准电压是否建立的带隙基准建立状态信号根据本发明第一检测点作为相对参考点，第二检测点在带隙反馈环路未建立完成前随电源电压的上升而上升，在反馈环路建立完成后会受反馈环路中带隙电压的钳位而保持不变，检测电路比较第一检测点和第二检测点的电压来确认反馈环路是否建立，从而确定带隙基准电压是否建立，因此该方法能够在各种场景下都能准确、及时的输出带隙基准建立状态信号。
基于反馈控制基准电路建立信号检测方法

[发明专利]一种高低温下分布集中的带隙基准电路-CN201610028543.3有效
发明人：贾雪绒 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开一种高低温下分布集中的带隙基准电路，包括带隙基准电路、温度检测器和选通逻辑模块；所述带隙基准电路用于输出带隙基准电压vBGR；所述温度检测器用于检测带隙基准电路所处环境的温度，并在所测温度值大于或等于阈值时输出第一信号给选通逻辑模块，在所测温度值小于阈值时输出第二信号给选通逻辑模块；所述选通逻辑模块用于在接收到第一信号时，将第一调整码送至带隙基准电路；在接收到第二信号时，将第二调整码送至带隙基准电路。本发明找到每个带隙基准电路对应的高温下的调整码和低温下的调整码，根据外部温度值动态选择合适的调整码，以达到带隙电压输出值在高低温下都在目标值附近分布非常集中的目的。
一种低温分布集中基准电路

[发明专利]一种低温漂系数的带隙基准电压产生电路-CN201410275174.9无效
发明人：吕坚;阙隆成;牛润梅;张壤匀;周云 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种低温漂系数的带隙基准电压产生电路，包括：负温特性电流产生电路、正温特性电流产生电路和正温平方电流产生电路。正温平方电流产生电路根据正温特性电流产生正温平方电流，并且正温平方电流与负温特性电流和正温特性电流叠加形成带隙基准电压产生电路的带隙基准电流。本发明实施例的带隙基准电压产生电路中，包含正温平方电流产生电路，该正温平方电流产生电路产生的正温平方电流与正温特性电流和负温特性电流叠加得到带隙基准电流，进而产生带隙基准电压。该正温平方电流能够使带隙基准电流在高温时得到进一步的补偿，从而产生低温漂系数的带隙基准电流，进而产生低温漂系数的带隙基准电压。
一种低温系数基准电压产生电路

[发明专利]带隙基准源-CN200910202046.0无效
发明人：赵英瑞;李冬林;傅志军 -专利权人：上海华虹集成电路有限责任公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准源，该带隙基准源包括运放电路、带隙基准源的核心电路和启动电路，其中运放电路的输出电压作为运放电路的偏置电压连接至运放电路的偏置电压端。本发明的带隙基准源，采用自偏置运放结构，相比使用另外偏置电路的带隙基准源，节省了芯片面积和功耗。
基准

[发明专利]使用光子带隙材料的多频带天线-CN200710141396.1无效
发明人：李楠;刘健 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01Q1/00 文献下载
摘要：一种使用光子带隙材料的多频带天线装置，包括：微带天线；作为所述微带天线一部分的第一天线单元，用于接收/发送第1频带的信号；作为所述微带天线一部分的第二天线单元，所述第二天线单元与由光子带隙材料制成的光子带隙材料板紧密接触，并与所述第一天线单元构成一体，用于接收/发送第2频带的信号；其中由光子带隙材料制成的所述光子带隙材料板对所述第1频带呈现带阻特性。另外，可以利用由印刷电路板制成的光子带隙构造板代替由光子带隙材料制成的光子带隙材料板，以降低天线的制造成本。
使用光子材料频带天线

[发明专利]一种具有失调消除以及非线性补偿的带隙基准电压源-CN202210322209.4有效
发明人：井凯;霍煜飞;贾杨鹏;曹家博;王凤娟 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提出一种具有失调消除以及非线性补偿的带隙基准电压源,包括带隙基准电压源，带隙基准电压源内设有带隙基准电压源电路，带隙基准电压源电路包括传统带隙电路、运放核心电路、负温度系数电流产生电路、非线性补偿产生电路、启动电路以及偏置电路，传统带隙电路结构包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、MN22MOS管、Q1晶体管、Q2晶体管以及带隙基准电压源输出端口Vref，本发明采用传统带隙电路结构对输出电压进行一阶线性补偿，利用负温度系数电流以及三极管产生非线性补偿项，通过具有失配消除的四输入运算放大器进行非线性补偿，实现高精度及低温度系数，并保证带隙基准电压源在稳态时的高电源抑制比
一种具有失调消除以及非线性补偿基准电压

[发明专利]带隙基准电路-CN202210949608.3在审
发明人：刘阳;于翔 -专利权人：骏盈半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种带隙基准电路，其包括：预稳压电路、分压电路、带隙基准核心电路、第一电容器、以及低压钳位电路。预稳压电路根据输入电压生成次级电源电压，经由第一节点向带隙基准核心电路、分压电路和低压钳位电路提供次级电源电压，以及与带隙基准核心电路、第一电容器和低压钳位电路共同稳定第二节点的电压。分压电路对次级电源电压进行分压以生成带隙基准电压，并向带隙基准核心电路提供带隙基准电压。带隙基准核心电路根据带隙基准电压在第二节点处生成反馈电压。低压钳位电路在带隙基准电路建立的过程中对第二节点的电压进行钳位以减小第二节点的电压的摆幅。
基准电路

[发明专利]利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和设备-CN201610004485.0有效
发明人： T·特鲁科;R·A·巴多斯 -专利权人： BT成像股份有限公司
申请日： 2007-05-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明涉及利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和设备。描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光(110)、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像(120)、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性(130)来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。
利用发光成像测试间接半导体器件方法设备

[实用新型]一种带隙基准源-CN201721297587.2有效
发明人：俞朝阳;夏惠江 -专利权人：杭州百隆电子有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种带隙基准源，包括双极性带隙基准单元，还包括耦接所述带隙基准单元的电流源单元和多余电流吸收单元；所述电流源单元用于为带隙基准单元提供电流源；所述带隙基准单元用于提供带隙基准电压；所述多余电流吸收单元用于吸收电流源中的多余电流，提高带隙基准源电路输出的电流线性和稳定性。
带隙基准单元电流吸收单元本实用新型带隙基准源电流源单元带隙基准源电路带隙基准电压电流驱动能力低电源电压电流线性电压电流基准电压温度特性吸收电流电流源双极性耦接输出

[发明专利]一种高电源抑制比的带隙基准电压源-CN201310314616.1有效
发明人：徐申;田野;于花;钟锐;刘斯扬;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种高电源抑制比的带隙基准电压源，包括带隙基准核心电路、电源纹波前馈电路、折叠共源共栅运放电路、偏置电路和启动电路，启动电路检测输出基准电压为偏置电路和带隙基准核心电路提供启动信号，偏置电路将偏置电压输出至折叠共源共栅运放电路和电源纹波前馈电路，电源纹波前馈电路将带隙基准核心电路提供的电源纹波信号前馈至折叠共源共栅运放电路，折叠共源共栅运放电路将带隙基准核心电路和折叠共源共栅运放电路的差模电压放大后输出至带隙基准核心电路，最后，带隙基准核心电路输出带隙基准电压
一种电源抑制基准电压