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[发明专利]一种集成过温保护以及电阻修调保护功能的带隙基准电路-CN202111488303.9在审
发明人：翟亚红;曹飞飞;廖文倩;王健竹;李威 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成过温保护以及电阻修调保护功能的带隙基准电路，包括带隙基准主体电路、过温保护电路、电阻修调保护电路。主体电路把电源电压信号转换为稳定的带隙基准电压，并输出给过温保护电路；过温保护电路接收主体电路输出的带隙基准电压信号，该过温保护电路具有迟滞特性，可防止过温保护电路在温度临界点处因微小扰动而反复开启关断；带隙基准的电阻修调保护电路可以防止电路被修调高压信号击穿。
一种集成保护以及电阻功能基准电路

[发明专利]一种低温漂带隙基准电压电路、方法及其芯片-CN201811295320.9有效
发明人：朱光前;张启东;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种低温漂带隙基准电压电路、方法及其芯片；所述电路包括自偏置模块、带隙基准核心模块、电压生成模块；所述方法包括以下步骤：产生初级基准电压；通过基极电流校正与初级基准电压产生补偿前的基准电压；产生低温漂带隙基准电压低温漂带隙基准电压电路和方法应用于电源管理芯片中。本发明的优点是：实现了超高精度，超低温度漂移系数的带隙基准电压源电路，可为对基准电压需求较高的电路应用提供高稳定性的基准电压。
一种低温漂带隙基准电压电路方法及其芯片

[发明专利]一种带隙基准电路中的不使用倒比管的反馈式启动电路-CN201710127876.6有效
发明人：唐枋;叶楷;黄莎琳;殷鹏;陈卓;李世平;舒洲;王忠杰;李明东;夏迎军 -专利权人：重庆湃芯微电子有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准电路中的不使用倒比管的反馈式启动电路，包括电源产生模块vdd_gen、带隙基准模块bandgap和LDO反馈电路；所述电源产生模块vdd_gen产生各种偏置电压供本模块和其他模块使用；所述带隙基准模块bandgap用于带隙电压；所述LDO反馈电路产生各种电流漏并用于稳定带隙基准模块bandgap的输出电压。
一种基准电路中的使用反馈启动

[发明专利]一种带隙基准电路及高阶温度补偿方法-CN201811033528.3有效
发明人：何书专;蒋召宇;陈君杰 -专利权人：南京浣轩半导体有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准电路及高阶温度补偿方法，包括：启动电路、偏置电路和高阶补偿的带隙基准电压产生电路，其中，所述高阶补偿的带隙基准电压产生电路，该电路的补偿方法是利用CMOS晶体管的亚阈值电流进行曲率校正，得到高阶温度补偿的带隙基准电压源电路。本电路的优点在于可通过不增加电路复杂度的方式实现，可大幅度提高带隙基准源的精度，并降低功耗，减小芯片面积，节约成本。
一种基准电路温度补偿方法

[发明专利]太阳能电池以及太阳能电池的制造方法-CN200980127147.4有效
发明人：普里特帕尔·辛格 -专利权人：维拉诺瓦大学
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：各个P-N结都包含P型吸收层和N型发射层，各个P型吸收层都包括多个碲化锌和碲化铅的交替薄膜层，其中碲化锌和碲化铅在堆厚度中时具有各自的带隙，且各个P型吸收层的有效带隙位于各自的带隙之间，至少一个P型吸收层的有效带隙不同于至少另一个P型吸收层的有效带隙。
太阳能电池以及制造方法

[发明专利]量子点以及包括其的发光元件-CN202110184853.5在审
发明人：南敏基;金成云;高崙赫;裵完基;李秀浩;郑炳局;郑然九 -专利权人：三星显示有限公司;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：一实施例的量子点包括：核；以及N个壳层，依次包裹所述核，核的带隙小于最外廓壳层的带隙，最外廓壳层的带隙小于第二壳层的带隙，包括一实施例的量子点的发光元件可以呈现出得到改善的元件寿命以及优异的发光效率特性
量子以及包括发光元件

[发明专利]一种具有高电源抑制比的带隙基准电路-CN201410101126.8有效
发明人：马军 -专利权人：尚睿微电子（上海）有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高电源抑制比的带隙基准电路，包含带隙基准核心电路和隔离电源扰动的电流镜，可以减少电源扰动到带隙基准输出耦合路径的数目，增大电源扰动到带隙基准输出耦合路径上的衰减，并采用电源扰动经过衰减的局部电源给差分运算放大器供电有效提高了电源抑制比
一种具有电源抑制基准电路

[发明专利]用于控制边缘质量的带材铸造方法及设备-CN200980132780.2有效
发明人：沃尔特·N·布莱杰德;马克·施利克廷 -专利权人：纽科尔公司
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： B22D11/06 文献下载
摘要：一种连续铸造金属带材的方法，可包括：组装一对铸辊和金属供给系统，这对铸辊的铸造表面横向定位成在其间形成辊隙，穿过该辊隙能够铸造薄铸带，所述金属供给系统能够供给熔融钢到辊隙上方，铸辊的冠面成形为使得距铸带边缘50毫米内的铸带边缘部具有比带材宽度中心部的铸带高的温度和受控的边缘鼓起；在辊隙上方形成被支持于铸造表面上的熔融钢的铸池，并控制邻接辊隙端部的侧坝以限制铸池；和形成铸带，使得距各铸带边缘50毫米内的铸带边缘部的温度高于带材宽度中心部的铸带
用于控制边缘质量铸造方法设备

[发明专利]一种低功耗自偏置高稳定性带隙基准电路-CN202111228613.7在审
发明人：代培彦;史江义;张健源 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，涉及一种低功耗自偏置高稳定性带隙基准电路。该电路包括：启动电路、电流产生电路和带隙基准核心电路；通过将晶体管M16、晶体管M17、晶体管M18以及晶体管M19四个晶体管进行串联，触发带隙基准核心电路启动工作，相比同尺寸的单个晶体管而言，具有更小的启动电流；在电流产生电路中，利用带隙基准电路自身产生的基准电压VREF产生基准电流源，为带隙基准核心电路提供偏置电流而无需设计额外的基准电流源，降低了电路设计的复杂性，节省了芯片的版图面积，也进一步降低了带隙基准电路的功耗；在带隙基准核心电路中，采用共源共栅‑米勒补偿技术，极大地提高了带隙基准的稳定性和电源噪声抑制能力。
一种功耗偏置稳定性基准电路

[发明专利]快速预测金属化合物高精度导电特性的机器学习方法-CN202010986874.4在审
发明人：李金金;汪志龙;韩彦强;王清训 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：一种快速预测金属化合物高精度导电特性的机器学习方法，通过采集二元金属氧化物、氮化物、硫化物的半导体材料的PBE带隙以生成训练样本，采用图神经网络建立半导体材料的结构‑带隙预测模型以训练样本进行初次训练，得到用于快速预测PBE带隙的预测模型，然后再计算训练样本中部分半导体材料的HSE06带隙以生成二次训练样本，通过迁移学习对预测模型进行二次训练，得到针对半导体材料的高精度带隙预测模型用于进行HSE06水平的能隙预测本发明能够大幅降低带隙预测的计算成本，有效避免实验操作的繁琐和设计成本，可以推广到其他材料体系中，对发现具有功能特性的材料具有指导意义。
快速预测金属化合物高精度导电特性机器学习方法

[发明专利]一种纯MOS管的低噪声带隙电路-CN202310582986.7在审
发明人：王斌;杨卫涛;马豪;蔺孝堃;杨猛;江鹏;孔龙;吴龙胜;时光;刘欢 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种纯MOS管的低噪声带隙电路，包含一个非交叠时钟电路、一个输出的滤波电路以及带隙电路；通过非交叠时钟电路产生两组非交叠时钟信号，控制带隙电路中的十二个开关管，通过对开关管的调制，实现在一个时钟周期内，带隙电路的带隙电流产生于左右两个支路，电路更加对称，同时将电源噪声搬移至高频域中，并在输出端经过滤波器进行滤除；本发明通过在带隙电路中加入由非交叠时钟控制的开关来对噪声进行调制，同时通过开关对带隙电流的产生回路进行控制
一种 mos 噪声电路

[发明专利]一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路-CN201910031872.7有效
发明人：李靖;张哲;张启辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路，属于集成电路领域。包括电流源模块、PTAT电压产生模块和带隙基准电压产生模块，PTAT电压产生模块用于产生PTAT电压；电流源模块用于给PTAT电压产生模块中的NPN晶体管提供成比例的电流，同时给带隙基准电压产生模块中的两条支路提供成比例的电流；带隙基准电压产生模块用于利用PTAT电压产生带隙基准电压。本发明提出的带隙基准电路利用运算放大器钳位流过两个NPN晶体管的集电极电流的比例，通过电压叠加实现两个NPN晶体管的基极发射极电压差的差值，显著降低了运放输入失调电压和噪声电压到带隙基准输出电压的增益，
一种降低失调影响噪声基准电路

[发明专利]具有电磁带隙结构的封装基板以及采用其的半导体封装-CN201910496463.4有效
发明人：林星默;金慧爰;郑源德 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：具有电磁带隙结构的封装基板以及采用其的半导体封装。一种封装基板包括芯层，该芯层包括彼此相对的第一表面和第二表面。该封装基板另外包括设置在芯层中并且电联接在电源平面互连层与接地平面互连层之间的电磁EM带隙结构。该EM带隙结构包括从电源平面互连层的一部分朝着接地平面互连层突出的EM带隙过孔。该EM带隙结构还包括从接地平面互连层的一部分朝着电源平面互连层延伸并且围绕EM带隙过孔的侧表面的EM带隙圆筒结构。
具有磁带结构封装以及采用半导体

[实用新型]一种集成温度保护以及曲率补偿功能的带隙基准电路-CN201721724907.8有效
发明人：张建辉;柏晓鹤;宗宇 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种集成温度保护以及曲率补偿功能的带隙基准电路,本实用新型集成带隙基准电路包括主体电路、偏置电路、以及温度保护信号产生电路。主体电路把电源电压信号直接转换为稳定的输出带隙电压信号输出给温度保护产生电路，作为带隙基准电压信号向外输出；偏置电路产生偏置电压提供给主体电路以及温度保护信号产生电路；温度保护产生电路接收偏置电路的偏置信号以及主体电路的输出的带隙电压信号该带隙基准电路设计了一种曲率补偿电路,在普通带隙基准电路的基础上,进一步调整了输出基准电压的温度系数,同时集成了温度保护信号提供模块,增加了设计便利性。
温度保护带隙基准电路主体电路偏置电路信号产生电路产生电路曲率补偿输出带隙基准电压信号电压信号输出电源电压信号曲率补偿电路输出基准电压信号提供模块本实用新型带隙电压基准电路偏置电压偏置信号温度系数温度信号直接转换便利性集成带输出带检测

[发明专利]一种适用于集成电路的低温漂带隙基准电压源-CN202111033998.1有效
发明人：王新胜 -专利权人：龙骧鑫睿（厦门）科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提出了一种适用于集成电路的低温漂带隙基准电压源，包括带隙基准电压产生电路，所述带隙基准电压产生电路包括用于产生带隙基准电压Vref的带隙基准核心电路，所述带隙基准核心电路具有两支路电流I1和I2，且所述带隙基准电压Vref产生于所述电流I1的支路上，所述带隙基准核心电路包括由PMOS管M1和M2组成的一级电流镜，所述一级电流镜用于控制所述电流I1和电流I2Sub>相等；二级电流镜电路，其输入端连接所述电流I2的输出端；差分电路，其具有两个输入端，其中一个输入端与所述二级电流镜电路的输出端连接，且另一个输入端接入所述带隙基准电压
一种适用于集成电路低温漂带隙基准电压