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- [发明专利]一种低温漂的带隙基准电路-CN202210683723.0在审
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宋宇;陈立新;熊海峰
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上海泰矽微电子有限公司
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2022-06-16
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2022-09-06
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G05F1/567
- 明公开了一种低温漂的带隙基准电路，包括：一阶带隙基准电路，所述一阶带隙基准电路输出与绝对温度成正比的电流IPTAT1、IPTAT2、IPTAT3、偏置于PTAT电流的电压VBE和一阶补偿的带隙基准电压VREF；所述带隙基准电路还包括：一阶零温电流电路和高阶带隙基准电路；所述高阶带隙基准电路包括：PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4、PMOS管P6、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、电阻R3、三极管Q3和三极管Q4；所述一阶零温电流电路包括：PMOS管P5、电阻R2、放大器A1和op电路；本发明实现了低于5ppm/℃的低温漂的带隙基准电路。
- 一种低温基准电路
- [发明专利]一种自缓冲环路控制技术的带隙基准源电路-CN202211381675.6在审
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周前能;吴鹏;李红娟
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重庆邮电大学
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2022-11-04
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2023-01-31
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G05F1/567
- 本发明请求保护一种自缓冲环路控制技术的带隙基准源电路，包括启动电路、偏置电路及带隙基准核心电路。本发明利用PNP三极管Q5、PNP三极管Q6等相关电路产生正温度系数电压并与NPN三极管Q4的基极‑发射极电压进行加权产生低温漂带隙基准输出电压，利用自缓冲环路控制的负反馈环路技术来抑制带隙基准源电路输出端电压变化，提高带隙基准源电路环路的调整速度，利用电流补偿电路来增加流过电阻R13与电阻R14的电流，有效地抑制不同工艺角、温度下PNP三极管的电流放大倍数不同导致的失配对带隙基准输出电压的影响，进而获得高性能的带隙基准电压，从而实现一种自缓冲环路控制技术的带隙基准源电路。
- 一种缓冲环路控制技术基准电路
- [发明专利]一种低功耗带隙基准源-CN201511002395.X有效
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董子刚;周小林
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中国科学院深圳先进技术研究院
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2015-12-28
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2017-05-31
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G05F1/56
- 本发明公开了一种低功耗带隙基准。所述低功耗带隙基准源包括电流源供电电路、负温度系数电路以及带隙基准源输出电路；电流源供电电路分别与所述负温度系数电路和所述带隙基准源输出电路连接，用于为所述低功耗带隙基准源供电；负温度系数电路，包括至少一个晶体管，用于根据所述电流源供电电路输出的电流，产生随温度变化的负温电压；带隙基准源输出电路，包括多个转移电容、多个时钟开关以及至少一个运算放大器，用于根据所述时钟开关的通断以及所述运算放大器的反馈，在所述转移电容的极板上产生用于抵消所述负温电压的电荷的变化量，以使带隙基准源输出电路输出与绝对温度无关的参考电压信号。本发明提供的技术方案降低了带隙基准源的功耗。
- 一种功耗基准
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