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[发明专利]一种Sb2-CN202111548932.6在审
发明人：麦耀华;刘聪;沈凯;王晓青 -专利权人：暨南大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明采用硫化锑和硒化锑粉末作为双蒸发源，置于同一管式炉中，通过移动源位置以近空间升华的方式依次沉积。保持衬底位置不变和衬底温度恒定，通过组分扩散形成具有梯度带隙的Sb2(S1‑xSex带隙有利于光生载流子的提取和收集，具有开发高效Sb2(S1‑xSex)<本发明制备工艺稳定，成本较低，可制备高质量、梯度带隙的Sb2(S1‑xSex
一种 sb base sub

[发明专利]一种硒化锌超薄纳米带以及制备其的阴离子交换方法-CN201710668586.2有效
发明人：俞书宏;姚宏斌;马涛;苏廷玉;张天文;周飞 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种多孔硒化锌超薄纳米带及其采用阴离子交换法的制备方法，所述多孔硒化锌超薄纳米带呈现一种长度为5‑10μm、宽度为17‑19nm且厚度小于5nm的超薄带状结构，并且所述超薄纳米带的表面具有明显的多孔结构而且，本发明还以所制备的多孔硒化锌超薄纳米带为原料，进一步提供了一种硒化锌/二硫化钼异质纳米带及其制备方法。本发明所制备的硒化锌纳米带具有良好的水溶性与分散性和良好的光产氢催化活性，而且所制备的异质结构二硫化钼进一步显著地提高了其光催化性能。
纳米带硒化锌制备二硫化钼阴离子交换法光催化性能催化活性带状结构多孔结构异质结构分散性产氢异质

[发明专利]带隙基准电压源电路及降低其电路功耗的方法-CN202011009304.6在审
发明人：肖飞;于翔 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G05F1/625 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准电压源电路及降低其电路功耗的方法，该电路包括：时序控制模块，产生控制信号；带隙基准电压源模块，在工作时产生带隙基准电压；开关模块，分别与所述时序控制模块和所述时序控制模块连接，接收所述控制信号，用于根据所述控制信号间歇式的连通所述带隙基准电压源模块与所述带隙基准电压源电路的供电端和输出端的电连接路径；保持电容，一端通过所述开关模块与所述带隙基准电压源模块连接，另一端接地，用于在所述带隙基准电压源模块与所述输出端的电连接路径断开时维持为所述输出端提供所述带隙基准电压本发明能够有效的降低带隙基准电压源的功耗，且成本低。
基准电压电路降低功耗方法

[发明专利]一种采样保持结构的低功耗带隙基准电路及工作方法-CN202210661081.4在审
发明人：冯捷;李宗徽 -专利权人：上海先积集成电路有限公司
申请日： 2022-06-12 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明设计带隙基准源领域，公开了一种采样保持结构的低功耗带隙基准电路，包括低功耗带隙基准电路、唤醒电路以及采样保持电路，低功耗带隙基准电路用于产生与电源电压和温度无关的基准电压，唤醒电路用于提供启动电压，使处于休眠模式的低功耗带隙基准电路快速切换到正常工作模式，采样保持电路用于对低功耗带隙基准电路的输出电压进行采样保持，以供芯片其他模块使用。本发明采样保持带隙基准电压，可使低功耗带隙基准电路在休眠模式期间保持输出电压在±1.5％电压精度范围内，同时休眠模式可以使带隙基准电路拥有超低的功耗消耗。
一种采样保持结构功耗基准电路工作方法

[发明专利]一种高电源抑制比的带隙基准电压源-CN201510367463.6有效
发明人：贺小勇;吴青华;何俊良;李梦诗;蔡敏 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电源抑制比的带隙基准电压源，包括带隙基准核心电路、前置稳压电路、参考电压转换电路、电源分压电路和启动电路。启动电路在上电后为带隙基准核心电路中的运算放大器提供初始偏置电流；电源分压电路通过对电源电压进行分压产生出所需的不同的电源分压；前置稳压电路为带隙基准核心提供预调节电压；参考电压转换电路通过判断带隙基准核心电路的输出状态选择带隙基准核心电路输出或者电源分压作为前置稳压电路的参考电压；带隙基准核心电路输出带隙基准电压。本发明具有能提高带隙基准电压源的电源抑制比等优点。
一种电源抑制基准电压

[发明专利]带隙基准源-CN201811543594.5有效
发明人：张旭龙;刘雄 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本公开涉及一种带隙基准源，该带隙基准源包括带隙基准源电源产生电路和带隙基准源核心电路，其中，所述带隙基准源电源产生电路用于产生所述带隙基准源核心电路工作所需的电源，所述带隙基准源核心电路用于产生基准电压，所述带隙基准源电源产生电路包括P型电流源、N型电流镜、P型电流镜、共源级电路和共栅极电路，其中：所述P型电流源产生的电流依次流经所述N型电流镜和所述P型电流镜后放大，所述共栅级电路与所述共源级电路构成负反馈环路并与所述P型电流镜的输出配合来为所述带隙基准源核心电路提供电源。
基准

[发明专利]用于带隙基准电路的启动电路及启动方法-CN202210867099.X有效
发明人：管璐璐;李曙光 -专利权人：南京英锐创电子科技有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于带隙基准电路的启动电路及启动方法。一种用于带隙基准电路的启动电路，包括：与带隙基准电路分别连接的预启动电路及反馈电路，预启动电路被配置为：响应于初始控制信号导通，以向带隙基准电路传输启动电流，并控制带隙基准电路启动；反馈电路被配置为：检测带隙基准电路的反馈电压上述用于带隙基准电路的启动电路，反馈电路根据反馈电压判断带隙基准电路稳定时，控制预启动电路关断，以降低启动电路的功耗。此外，上述用于带隙基准电路的启动电路仅包括反馈电路和预启动电路，简化了启动电路的结构。
用于基准电路启动方法

[发明专利]一种带隙基准启动电路-CN202210111393.8有效
发明人：李雪民 -专利权人：苏州领慧立芯科技有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准启动电路，包括：带隙基准电路模块和启动电路模块；带隙基准电路模块与电源连接；启动电路模块分别与带隙基准电路模块和电源，在带隙基准电路模块处于零工作点时，启动电路模块使带隙基准电路模块恢复正常工作启动电路模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，第一NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管分别与带隙基准电路模块连接本发明确保输出电压在任何情况下都可以使带隙基准电路恢复工作，使得带隙基准启动电路具有更好的鲁棒性。
一种基准启动电路

[实用新型]一种高电源抑制比的带隙基准电压源-CN201520453805.1有效
发明人：贺小勇;吴青华;何俊良;李梦诗;蔡敏 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高电源抑制比的带隙基准电压源，包括：带隙基准核心电路、前置稳压电路、参考电压转换电路、电源分压电路和启动电路。启动电路在上电后为带隙基准核心电路中的运算放大器提供初始偏置电流；电源分压电路通过对电源电压进行分压产生出所需的不同的电源分压；前置稳压电路为带隙基准核心提供预调节电压；参考电压转换电路通过判断带隙基准核心电路的输出状态选择带隙基准核心电路输出或者电源分压作为前置稳压电路的参考电压；带隙基准核心电路输出带隙基准电压。本实用新型具有能提高带隙基准电压源的电源抑制比等优点。
一种电源抑制基准电压

[发明专利]一种低温漂的双极带隙基准电压源-CN202310288936.8在审
发明人：李新瑞;尤路;廖雪;向宏莉;魏海龙;王勇;王清波 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明属于模拟集成电路领域，公开了一种低温漂的双极带隙基准电压源，包括带隙基准模块、温度补偿模块和直流偏置模块；温度补偿模块与带隙基准模块连接，直流偏置模块与带隙基准模块和温度补偿模块均连接；带隙基准模块用于生成一阶补偿的带隙基准电压；温度补偿模块用于生成高阶PTAT电流，并通过高阶PTAT电流补偿带隙基准电压中负温度系数的高阶项，得到低温漂的带隙基准电压；直流偏置模块用于生成第一偏置电流和第二偏置电流，并分别发送至带隙基准模块和温度补偿模块可让电路在不同温度的工作状态下，使带隙基准电压源输出的基准电压不受温度的变化，具有低温漂、适应双极型工艺的特点，提高了基准电压源电路的应用适用性。
一种低温双极带隙基准电压

[发明专利]改进型带隙基准电压源及带隙基准电压产生电路-CN201010618785.0有效
发明人：任铮;胡少坚;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明提供一种改进型带隙基准电压源及带隙基准电压产生电路，该带隙基准电压产生电路包含：改进型带隙基准电压源和级联的电流镜像电路，本发明带隙基准电压产生电路通过级联的电流镜像电路将电流反馈至该改进型带隙基准电压源的正向电源输入端，同时本发明改进型带隙基准电压源通过在电源端与传统的带隙基准电压源之间增加一P型MOSFET，使得电源输入端的阻抗近似为该MOSFET的跨导倒数，从而提高了电源的电源抑制比，并且本发明改进型带隙基准电压源在传统带隙基准电压源基础上增加了两个电阻
改进型基准电压产生电路

[发明专利]光吸收层、太阳能电池及其制备方法-CN201810861950.1有效
发明人：陈腾 -专利权人：鸿翌科技有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：所述光吸收层包括：依次层叠的第一光吸收层、渐变带隙层和第二光吸收层；第一光吸收层的带隙宽度小于第二光吸收层的带隙宽度；渐变带隙层的带隙宽度介于第一光吸收层的带隙宽度和第二光吸收层的带隙宽度之间，沿第一光吸收层至第二光吸收层的方向，渐变带隙层的带隙宽度逐渐增大。本发明通过第一光吸收层、渐变带隙层和第二光吸收层的配合，增大了光吸收层的带隙宽度的覆盖范围，增大光吸收层可吸收光的波长范围，提高太阳能电池的转化效率；由于对近红外光的拓宽吸收，可降低因近红外光无法利用产生热积累而导致的电池性能衰退现象
光吸收太阳能电池及其制备方法

[发明专利]多结太阳能电池及其制备方法-CN201210582092.X无效
发明人：毕京锋;林志东;蔡文必;林桂江;刘建庆;宋明辉;丁杰 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装多结太阳电池及其制备方法，其包括：衬底；第一子电池，倒装生长与衬底之上，具有第一带隙；第二子电池，倒装形成于第一子电池之上，具有小于第一带隙的第二带隙；第三子电池，倒装形成于第二子电池之上，具有小于第二带隙的第三带隙；第四子电池，倒装形成与第三子电池之上，具有小于第三带隙得第四带隙，第一、二、三、四子电池与衬底晶格匹配；渐变缓冲层，形成于第四子电池之上，克服第四、五子电池之间的晶格失配，具有小于第四带隙的第五带隙。第五子电池，倒装形成与其同质的渐变缓冲层之上，具有小于第五带隙的第六带隙。经过后期各种工艺，获得所需的太阳能电池。通过本发明可以制备出电流匹配，光谱吸收范围更广的高效多结太阳能电池。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种带隙基准电路及其启动电路和启动方法-CN202310594122.7有效
发明人：吴硕硕;高专 -专利权人：芯动微电子科技（珠海）有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准电路及其启动电路和启动方法。带隙基准电路包括带隙基准源和启动电路；启动电路包括第一控制模块、第二控制模块和反馈模块；第一控制模块用于在控制电压PD为第一电平时，将带隙基准源的启动端电位拉高；第二控制模块用于在控制电压PD为第二电平时，将带隙基准源的启动端电位拉低；反馈模块用于在带隙基准源启动后，关断启动电路。本发明通过外置控制电压PD分别控制第一控制模块和第二控制模块，调整带隙基准源的启动端电压，避免了带隙基准源零电流时的简并点问题，使带隙基准源正常启动，并通过反馈模块在带隙基准源正常启动后使第二控制模块自动断开，进而使带隙基准源正常工作，达到期望的稳定工作点。
一种基准电路及其启动方法

[发明专利]石墨烯-硒化镉纳米带异质结、电池、组件及制备方法-CN201110034417.6无效
发明人：曹安源;张鲁辉;范丽丽;李祯;朱宏伟;王昆林;吴德海 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯-硒化镉纳米带异质结，由石墨烯薄膜和硒化镉纳米带组成；本发明还涉及一种石墨烯-硒化镉纳米带异质结太阳能电池，包括前述石墨烯-硒化镉纳米带异质结，还包括导线和各种基底；相应地，本发明还提供制备该太阳能电池的方法；另外，本发明还涉及一种石墨烯-硒化镉纳米带异质结太阳能电池的并联组件及其制备方法。
石墨硒化镉纳米带异质结电池组件制备方法

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