“带隙硒”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1931921个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种带隙基准电压电路及其控制方法-CN201610345155.8有效
发明人：邓志兵;杨家奇;黄正太;黄正乙;翁文君;郭俊涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种带隙基准电压电路的控制方法，包括：启动所述带隙基准电压电路；检测所述带隙基准电压电路的漏电压；将所述漏电压与阈值电压进行比较，以控制所述带隙基准电压电路进入休眠模式或工作模式。还提供了一种带隙基准电压电路，包括：启动电路，配置为控制所述带隙基准电压电路进入工作模式；偏置电路，与所述启动电路连接，配置为产生与外界环境变化相关的偏置电流；输出电路，与所述偏置电路连接，配置为输出带隙基准电压；自控电路，配置为控制所述带隙基准电压电路进入工作模式或休眠模式，以有效降低其功耗。本发明的带隙基准电压电路及其控制方法可以自动检测外部环境的变化，并且自动进入睡眠模式，能够达到最高效的降低功耗效果。
一种基准电压电路及其控制方法

[发明专利]一种低失调电压高电源抑制比的带隙基准电路-CN202010039813.7有效
发明人：来新泉;陈廷奇;孙昂勃;蔚道嘉;刘晨;胡枭 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种低失调电压高电源抑制比的带隙基准电路，该带隙基准电路包括电压调制单元(1)、带隙核心单元(2)和运算放大器单元(3)；电压调制单元屏蔽电源VDD上的噪声，产生调制电压VREF为带隙核心单元和运算放大器单元供电，提高电源抑制比；带隙核心单元产生零温度系数的带隙基准电压VBG；运算放大器单元保证第一钳位电压VA与第二钳位电压VB相等，输出反馈电压VF到带隙核心单元构成反馈环路，保证带隙基准电压VBG的稳定。本发明采用电压调制单元，有效提高电源抑制比；运算放大器单元失调电压小，提高了带隙基准电压的精度。本发明具有低失调电压、高电源抑制比的特点，可用于模拟集成电路。
一种失调电压电源抑制基准电路

[实用新型]带隙基准瞬态启动增强电路-CN202220518610.0有效
发明人：刘浩宇;黄科;苗小雨 -专利权人：四川中微芯成科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型提供带隙基准瞬态启动增强电路，所述电路包括：电压复制模块，用于根据带隙基准电压源主体电路的第一输出端输出的镜像电流，得到带隙基准驱动电压；负反馈环路模块，用于对带隙基准驱动电压进行稳压；逻辑翻转模块，用于根据带隙基准电压源主体电路的第二输出端输出的当前电压值，输出相对应的逻辑控制信号；开关电流源模块，用于根据逻辑控制信号控制对所述带隙基准电压源主体电路的第二输出端的充电状态；解决了现有技术中输出端的负载电容对带隙基准电压源主体电路开启速度产生影响的问题，实现对带隙基准电压源主体电路输出电压开启的瞬态增强，能够大幅降低带隙基准电压源主体电路输出电压达到稳定值的时间。
基准瞬态启动增强电路

[实用新型]一种电子带隙结构及印刷电路板-CN202221707472.7有效
发明人：蔡步森;陈欢洋 -专利权人：浙江宇视科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种电子带隙结构及印刷电路板，涉及芯片封装技术领域，其技术方案中电子带隙结构包括至少一个电子带隙单元；电子带隙单元包括通孔分布区；其中，通孔分布区包括基板和贯穿基板的多个通孔，多个通孔阵列排布本实用新型实施例提供的电子带隙结构，在引入印刷电路板中可以起到抑制同步开关噪声的效果，并且该电子带隙结构包括至少一个电子带隙单元，电子带隙单元中包括通孔分布区，即在保证起到抑制同步开关噪声效果的同时，还可以通过通孔分布区中通孔进行信号走线的扇出，进一步保证提供的电子带隙结构适用于实际的需要设置通孔的单板设计。
一种电子结构印刷电路板

[发明专利]用于电压电源低压检测的集成电路-CN202011257411.0有效
发明人：陈建章 -专利权人：杭州晶华微电子有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：该集成电路包括：带隙基准电路，存储电路和比较器。带隙基准电路与电源端子耦合以接收电源电压并且基于电源电压来输出带隙基准电压，带隙基准电压在电源电压大于第一阈值的情况下具有预定值并且响应于电源电压低于第一阈值从预定值处降低。存储电路与带隙基准电路耦合，以用于存储来自带隙基准电路的等于预定值的参考电压。比较器耦合至带隙基准电路和存储电路，以比较带隙基准电压和参考电压，比较器响应于带隙基准电压低于参考电压，产生指示电源电压的低压状态的报警信号。根据本公开的集成电路采用该正常带隙基准电压的复制备份机制，能够确保可靠地检测出电源电压的低压状态。
用于电压电源低压检测集成电路

[发明专利]一种总剂量防护带隙基准源电路-CN201911043357.7有效
发明人：王倩琼;王轩;巨艇;赖晓玲;张健;邓星星 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种总剂量防护带隙基准源电路，包括：带隙核心电路、启动电路I、动态基极补偿分支电路I、动态基极补偿分支II、电源抑制比PSRR增强电路、启动电路II和带隙输出电压电路。动态基极补偿分支电路I和动态基极补偿分支电路II用于补偿带隙核心电路在受到辐照总剂量效应下所感生的双极性晶体管基极泄漏电流，二者间又利用反馈环路实现稳定结构；电源抑制比PSRR增强电路提供带隙核心电路的栅极偏置电压实现提高电源抑制比；带隙输出电压电路则将带隙核心电路的输出参考电流信号Iref转化为参考电压信号Vref，并向外输出；启动电路II接收带隙输出电压电路输出的带隙参考电压Vref，向带隙核心电路提供启动信号。
一种剂量防护基准电路

[发明专利]一种宽带隙多异质结隧穿结结构-CN201210207237.8无效
发明人：单智发;张永;蔡建九;陈凯轩;林志伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种宽带隙多异质结隧穿结结构，由四个功能层组成；第一功能层具有第一带隙和第一型掺杂；第二功能层具有第二带隙和第一型掺杂，且带隙小于第一带隙；第三功能层具有第三带隙和第二型掺杂；第四功能层具有第四带隙和第二型掺杂，且带隙大于第三带隙。本发明解决了现有技术宽带隙隧穿结峰值电流密度低的问题，采用四个功能层组成隧穿结结构，各功能层之间形成异质结，既可以通过pN型或nP型异质结构的带阶提高峰值隧穿电流，又可以通过Pp型或Nn型异质结构的载流子的注入效应来实现载流子补偿
一种宽带隙多异质结隧穿结结构

[实用新型]一种具有哑铃带隙结构的带通滤波器-CN201220749598.0有效
发明人：刘新月;郑宏兴;刘颖;孙程光;王利强 -专利权人：天津职业技术师范大学
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有哑铃带隙结构的带通滤波器，用于无线通信系统等领域。具有哑铃带隙结构的带通滤波器包括输入馈线、输出馈线、两个平行耦合线和两个折线形哑铃带隙结构谐振器，折线形哑铃带隙结构谐振器由闭环矩形微带线和折线形哑铃带隙结构组成，其中折线形哑铃带隙结构两边的哑铃部分为长宽相等的方形带隙，中间哑铃臂为折线形带隙；输入输出馈线分别为50欧姆特征线宽，连接SMA馈电装置。
一种具有哑铃结构带通滤波器

[发明专利]电压产生装置及其校准方法-CN201810039600.7有效
发明人：王伟;费晓冬 -专利权人：智原科技股份有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G05F1/625 文献下载
摘要：所述电压产生装置包括带隙电路、稳压器电路以及校准电路。带隙电路提供带隙电压。稳压器电路依据带隙电压来对应产生输出电压。于校准期间的第一阶段，校准电路检测带隙电压，并且依照带隙电压对应设定带隙电路中的至少一个电阻的阻值。
电压产生装置及其校准方法

[发明专利]具有多个钳位开关的带隙基准电路-CN202010293839.4有效
发明人：陈国祥;张威廉 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含钳位电路的带隙基准电路，该带隙基准电路包括带隙基准电压源、钳位电路以及校准引擎，该带隙基准电压源用于提供带隙电压；该钳位电路包含：基准生成器，该基准生成器用于产生第一基准电压；及多个钳位开关，该多个钳位开关用于决定所述基准生成器产生的所述第一基准电压；该校准引擎耦接所述带隙基准电压源及钳位电压，并用于根据所述钳位电压与所述带隙电压之间的差值控制所述多个钳位开关的切换。
具有多个钳位开关基准电路

[发明专利]具有用于应力和带隙调节的可变包覆层/芯尺寸的晶体管结构-CN201380079217.X有效
发明人： W·拉赫马迪;V·H·勒;R·皮拉里塞泰;M·拉多萨夫列维奇;G·杜威;N·慕克吉;J·T·卡瓦列罗斯;R·S·周;B·舒-金;R·科特利尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种装置，包括设置在衬底上且限定沟道区的异质结构，该异质结构包括具有小于衬底材料带隙的第一带隙的第一材料和具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料；和在沟道区上的栅极叠置体，其中第二材料被设置在第一材料和栅极叠置体之间该方法包括在衬底上形成具有第一带隙的第一材料；在第一材料上形成具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料；和在第二材料上形成栅极叠置体。
具有用于应力调节可变覆层尺寸晶体管结构

[发明专利]一种高精度低噪声无运放结构的带隙基准源-CN202310556226.9在审
发明人：李泽宏;曾传扬;汪鑫 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种高精度低噪声无运放结构的带隙基准源，属于电子电路领域。该带隙基准源包含启动电路、带隙核心电路。启动电路用于电路上电时启动，具有多次启动功能；带隙核心电路用于产生基准电压。本发明通过在带隙核心电路模块中采用共源共栅电流镜，提高了无运放结构电路的镜像精度，并且通过采用无运放结构，极大降低了带隙电路的整体低频噪声。
一种高精度噪声无运放结构基准

[发明专利]一种全溶液法制备的高效低成本铜铟镓硒/钙钛矿双结太阳能光电池-CN201410280657.8有效
发明人：钱磊;章婷;杨一行;谢承智;刘德昂;冯宗宝 -专利权人：苏州瑞晟纳米科技有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的基于全溶液法制备的高效双结铜铟镓硒/钙钛矿复合光电池。其包括：金属背电极；铜铟镓硒吸收层；P型缓冲层；窗口层；载流子复合层；空穴传输层；钙钛矿吸收层；电子传输层；透明氧化物电极。铜铟镓硒和钙钛矿作为太阳能光的吸收层，一方面铜铟镓硒的带宽可调加上宽带隙但高转换效率的钙钛矿,可有效覆盖太阳能光谱并且形成高效利用,另一方面铜铟镓硒和钙钛矿都可利用溶液法制备,这样整个叠层器件在获取更高转换效率的同时可以保持低的生产成
一种溶液法制高效低成本铜铟镓硒钙钛矿双结太阳能光电池

[发明专利]一种双面薄膜太阳能电池-CN201410802469.7在审
发明人：肖友鹏 -专利权人：江西科技学院
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面薄膜太阳能电池，该双面太阳能电池为在透明衬底的一面制备有宽带隙的碲镁镉薄膜太阳能电池，另一面制备有窄带隙的铜铟镓硒薄膜太阳能电池；碲镁镉薄膜太阳能电池是由p型碲镁镉吸收层、n型硫化镉缓冲层构成，铜铟镓硒薄膜太阳能电池是由p型铜铟镓硒吸收层、n型硫化镉缓冲层构成。
一种双面薄膜太阳能电池

[发明专利]一种单质硒纳米带的合成方法-CN201010235844.6无效
发明人：王雄;林颖;郇宇 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种液相还原制备单质硒纳米带的方法。具体步骤为：以亚硒酸钠为硒源，以低聚糖β-环糊精作为还原剂，通过水热反应一步制得一维单质硒纳米带。在反应过程无需添加表面活性剂或其他任何模板，140～180℃水热反应6～18小时后制得宽度50～80nm，厚10～30nm，长度达数十微米以上的单质硒单晶纳米带，材料结晶完好。β-环糊精温和的还原能力和水热反应体系为单质硒在一维方向上的充分生长提供了合适的环境。本方法具有工艺路线简单、操作便利、还原剂环境友好等特点。
一种单质纳米合成方法