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[发明专利]一种富硒发芽糙米粽的制作方法及制备的富硒发芽糙米粽-CN201711168694.X在审
发明人：冯丽敏;雷敏芝;郑立野;张延杰;胡志高;李敏 -专利权人：咀香园健康食品（中山）有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： A23L7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种富硒发芽糙米粽的制作方法，以带壳糙米为100份重量计，包括以下步骤一次浸泡取100份带壳糙米放入浸泡池中，加水至刚好淹没，再加入8‑10份亚硒酸钠至浸泡池中，浸泡6‑8小时后达到萌发状态；二次浸泡取出萌芽的带壳糙米进行杀青、脱壳，脱壳后的糙米再次投入浸泡池中浸泡20‑60min；成型步骤冲洗、沥干脱壳糙米，包裹成型，即得富硒发芽糙米粽。本发明还公开了通过该富硒发芽糙米粽的制作方法制备的富硒发芽糙米粽。本发明一种富硒发芽糙米粽的制作方法以及通过该方法制备得到的富硒发芽糙米粽中有机硒占比高，利于人体吸收，缩短了生产周期，同时也降低了生产成本。
一种发芽糙米制作方法制备

[发明专利]一种三硒化二铟纳米带及其制备方法和应用-CN202110170558.4有效
发明人：简基康;许静;杨文龙;何梓民 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种三硒化二铟纳米带及其制备方法和应用。所述制备方法，包括如下步骤：S1.在管式炉中，将硒源加热到220～360℃，将铟源加热到400～630℃；所述硒源为硒粉，所述铟源为负载氧化铟的衬底；S2.密封管式炉腔体并抽真空后，以流量为20～80sccm的氩气为载气，将管式炉腔体压强恢复至常压，再升温至900～980℃后，经过沉积、降温，得到所述三硒化二铟纳米带。本发明通过选择合适的硒源和铟源，通过化学气相沉积方法，在无催化剂辅助作用的情况下，在管式炉中制备得到了纳米带形貌的三硒化二铟材料。
一种三硒化二铟纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种可以切换常规模式与低压模式的带隙基准源电路-CN202111678055.4在审
发明人：傅珅;王海力 -专利权人：京微齐力（北京）科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请提供了一种带隙基准源电路及其控制方法。带隙基准源电路包括：核心带隙基准源生成电路及其控制电路、以及带隙基准源输出电路。控制电路根据控制信号，切换核心带隙基准源生成电路的工作模式，包括常规模式和低压模式。核心带隙基准源生成电路在常规模式下输出第一基准电压，还用于在低压模式下输出第二基准电压。带隙基准源输出电路用于基于第一基准电压或者第二基准电压，输出目标电压或者目标电流。
一种可以切换常规模式低压基准电路

[发明专利]带隙基准启动电路及射频芯片-CN202111344992.6有效
发明人：唐生东;郭嘉帅 -专利权人：深圳飞骧科技股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种带隙基准启动电路，包括带隙基准单元，用于产生基准电压并输出；启动电路，所述启动电路连接至所述带隙基准单元的输出端，用于将处于兼并态时的所述带隙基准单元输出的低电平电压反相，以触发所述启动电路输出高电平至所述带隙基准单元，以使所述带隙基准单元脱离兼并态并输出高电平。与现有技术相比，本发明的带隙基准启动电路及射频芯片可靠性更好。
基准启动电路射频芯片

[实用新型]一种BICMOS线路结构的带隙基准电路-CN201320080616.5有效
发明人：王文建 -专利权人：浙江商业职业技术学院
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种BICMOS线路结构的带隙基准电路。BICMOS线路结构的带隙基准电路包括带隙电路、输出反馈补偿电路、电压调整电路和启动电路：所述带隙电路产生随温度变化很小的基准电压；所述输出反馈补偿电路是对所述带隙电路进行频率响应补偿并输出基准电压；所述电压调整电路用以调整输出基准电压的电压值；所述启动电路是对所述带隙电路提供启动电流。利用本实用新型提供的BICMOS线路结构的带隙基准电路能产生高精度的基准电压。
一种 bicmos 线路结构基准电路

[发明专利]基于范德华外延制备二维非层状窄带隙半导体材料的方法-CN202210806705.7在审
发明人：何军;姜健;程瑞清;尹蕾;文耀 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本申请涉及无机半导体纳米材料技术领域，特别涉及一种基于范德华外延制备二维非层状窄带隙半导体材料的方法。本申请提供的基于范德华外延制备二维非层状窄带隙半导体材料的方法包括：以范德华材料或带有范德华材料的硅片作为生长基底，采用气相沉积法利用反应原料制备得到二维非层状窄带隙半导体材料，所述反应原料选用Pb、Sn、S、Se、Te或含有对应元素的硫化物、硒化物、碲化物、氯化物中的一种或多种的混合。
基于范德华外延制备二维层状窄带半导体材料方法

[发明专利]带隙基准电路-CN201810079260.0在审
发明人：唐原 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G05F1/625 文献下载
摘要：本发明提供了一种带隙基准电路，所述带隙基准电路包括电荷泵电路和基准电路，其中：一电源电压为所述电荷泵电路供电，以使所述电荷泵电路输出一调控电源，并将所述调控电源提供至所述基准电路，所述调控电源高于所述电源电压并作为所述基准电路的电源，所述基准电路输出带隙参考电压。本发明通过以电荷泵电路提供高于电源电压的调控电压作为带隙基准电路的电源电压从而实现：(1)当电源电压低于带隙基准电路所需最低电源电压时，带隙基准电路仍可正常工作；(2)电荷泵电路输出的调控电压将带隙基准电路的电源波动范围降至最小(接近于零)，带隙基准电路输出的带隙参考电压比较稳定，精度提高。
带隙基准电路电源电压电荷泵电路基准电路调控电源调控电压输出带隙参考电压参考电压电源波动输出带电源供电

[发明专利]一种高阶温度补偿带隙基准电路-CN201810595100.1有效
发明人：董渊;程剑涛;王云松;黄建刚;吴传奎 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请提供一种高阶温度补偿带隙基准电路，所述高阶温度补偿带隙基准电路，包括电源、启动电路、带隙基准核心电路和高阶温度补偿电路，高阶温度补偿电路包括温漂电压采样电路、高温段补偿电路、低温段补偿电路和温度补偿输出电路即本发明提供的高阶温度补偿带隙基准电路通过高温段补偿电路和低温段补偿电路对带隙基准核心电路的带隙基准输出电压进行叠加，从而与带隙基准核心电路的温度特性电压曲线构成了四阶特性曲线，对带隙基准核心电路的电压产生了高阶温度补偿的效果，解决了传统带隙基准电路温度特性差，全温度范围内输出精度低的问题。
一种温度补偿基准电路

[发明专利]曲率校正带隙基准电路-CN202310754656.1在审
发明人：王翊舟;刘璐;倪亚波;彭嘉豪;马乾 -专利权人：重庆吉芯科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种曲率校正带隙基准电路，所述曲率校正带隙基准电路包括带隙基准模块、低温曲率校正模块及高温曲率校正模块，在带隙基准模块通过正温度系数电压和负温度系数电压的叠加产生带隙基准电压的基础上，通过低温曲率校正模块对正温度系数电压进行补偿调节，能校正带隙基准电压的低温曲率，通过高温曲率校正模块对正温度系数电压进行补偿调节，能校正带隙基准电压的高温曲率，能进一步降低带隙基准电压的温漂系数，提升了带隙基准电压的温度稳定性；引入调节电阻来平衡低温和高温的曲率校正补偿程度，进一步提高了性能；同时，本发明所提出的曲率校正带隙基准电路可应用于较低的电源电压环境中，适用于28nm及以下的先进CMOS工艺。
曲率校正基准电路

[发明专利]带隙基准电路及电子设备-CN201910334000.8有效
发明人：黄宇鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H03K17/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准电路，包括带隙基准电流产生单元、启动电路和输出单元；带隙基准电流产生单元，用于产生带隙基准电流；输出单元，用于将带隙基准电流转换为带隙基准电压输出；启动电路设置在带隙基准电流产生单元和输出单元之间，在带隙基准电路进入简并点时，启动电路用于使带隙基准电路脱离所述简并点；其中，启动电路包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的控制极连接输出单元的输出端，第一晶体管的第一极连接第二晶体管的控制极和第二晶体管的第二极，第一晶体管的第二极连接带隙基准电流产生单元的放大器的反相输入端，第二晶体管的第一极连接带隙基准电流产生单元的放大器的输出端。
基准电路电子设备

[发明专利]一种使用子带隙电压的低压UVLO电路及方法-CN202110510362.5在审
发明人：王野;谢程益;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种使用子带隙电压的低压UVLO电路，电路包括启动单元，子带隙电压生成单元和UVLO单元；其中，所述启动单元，分别与所述子带隙电压生成单元和所述UVLO单元连接，用于分别为所述UVLO单元和所述子带隙电压生成单元提供输入电流Is1和Is2；所述子带隙电压生成单元，输入端与所述启动单元连接，用于接收来自启动单元的输入电流Is2，输出端与所述UVLO单元连接，用于为所述UVLO单元提供子带隙参考电压Vref；所述UVLO单元，分别与所述启动单元和所述子带隙电压生成单元连接，用于基于所述启动单元提供的输入电流Is1和所述子带隙电压生成单元提供的子带隙参考电压Vref输出欠压锁定电压。
一种使用子带隙电压低压 uvlo 电路方法

[发明专利]一种NMOS驱动输出带隙基准电路-CN201510012144.3有效
发明人：朱彤;刘军;苏秀敏;许明 -专利权人：芯原微电子（上海）有限公司;芯原微电子（北京）有限公司;芯原微电子（成都）有限公司;芯原股份有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种NMOS驱动输出带隙基准电路，包括提供偏置电压的启动电路模块、用于固定带隙基准模块的两个反馈输入端的节点电压的运算放大器模块以及用于产生零温度系数的基准电压的带隙基准模块；所述启动电路模块向所述运算放大器模块及所述带隙基准模块提供偏置电压本发明使用NMOS作为带隙基准电压的输出，提高了带隙基准的驱动能力；使用PMOS镜像启动电路的电流，带隙基准零温度系数产生电路流过几百nA电流，增强带隙基准的启动能力，提高电路的可靠性；使用单位电阻并联串联来等效电阻R0，提高电阻匹配性能，优化带隙基准精度；使用在NMOS驱动管和电源之间串联电阻，提高电路的静电保护能力。
一种 nmos 驱动输出基准电路

[发明专利]应用于5G毫米波基站的CMOS集成电路带隙基准源-CN201811616031.4有效
发明人：马顺利;任俊彦;魏继鹏;李宁;叶凡 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体为一种应用于5G基站的CMOS集成电路带隙基准源。本发明电路结构包括带隙基准核心模块、带隙基准补偿模块、电压电流转换模块以及启动电路模块；带隙基准核心模块、带隙基准补偿模块、电压电流转换模块通过PMOS晶体管的栅端电压偏置连接构成带隙基准源的核心电路。本发明通过加入NMOS晶体管和电阻来提高带隙基准的精度。该带隙基准源在室温下输出1.2V的电压，且具有较低的温度系数和较高的电源抑制比；由晶体管和电阻组成的混合高阶矫正网络，使得该电路在超过120度的温度下仍然具有很好的线性度，特别适合用作5G基站的CMOS集成电路带隙基准源。
应用于毫米波基站 cmos 集成电路基准

[发明专利]一种高电源抑制、低工艺偏差带隙基准电压源-CN201310313883.7有效
发明人：孙伟锋;张太之;陆炎;宋慧滨;钱钦松;祝靖;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种高电源抑制、低工艺偏差带隙基准电压源，包括带隙基准核心电路、预调节电路、自适应工艺调节电路、第一、第二偏置电路和启动电路；启动电路在电源电压上电时分别给第一偏置电路、第二偏置电路和带隙基准核心电路提供启动信号，第一偏置电路和第二偏置电路的输出分别连接自适应工艺调节电路和预调节电路，预调节电路从带隙基准核心电路得到预调节信号，为第一偏置电路，自适应工艺调节电路和带隙基准核心电路提供预调节电压；自适应工艺调节电路从带隙基准核心电路得到工艺信息再返回工艺调节信息给带隙基准核心电路；带隙基准核心电路接受预调节信号和工艺调节信息，最后输出带隙基准电压Vref。
一种电源抑制工艺偏差基准电压

[发明专利]不随电源变化的带隙参考系统-CN201110043989.0有效
发明人：约翰·L·梅兰松;普拉沙恩斯·德拉克沙帕利;拉里·L·哈里斯 -专利权人：塞瑞斯逻辑公司
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明涉及不随电源变化的带隙参考系统。一种电子参考信号生成系统包括不随电源变化的带隙参考系统，该系统生成基本上不受体误差电流影响的一个或者多个带隙参考信号。在至少一个实施例中，带隙参考生成针对直流(DC)电源电压的一个范围而言基本上不变的带隙参考信号。此外，在至少一个实施例中，带隙参考系统在电源电压由于交流(AC)电压而变化时提供基本上不变的带隙参考信号。在至少一个实施例中，带隙参考系统生成基本上不受电源电压的变化影响并且不受体误差电流影响的带隙参考电压VBG、“与绝对温度成比例”(PTAT)的电流(“iPTAT”)和“与绝对温度零相关”(ZTAT)的电流
电源变化参考系统