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[发明专利]一种IGBT封装结构、半导体器件及封装方法-CN202310909143.3在审
发明人：张佳佳;符超;万今明 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT封装结构、半导体器件及封装方法，该封装结构包括塑封框架、电极键合部、平面电极及键合件；塑封框架内部设有晶圆键合区，框架的顶部为封装表面；电极键合部设于晶圆键合区上；平面电极设于封装表面；键合件设于晶圆键合区与平面电极之间且两端分别电连接电极键合部和平面电极。该封装结构将平面电极设置于处在晶圆键合区上方的封装表面上，并将键合件在晶圆键合区与平面电极之间，通过键合件的两端电连接到电极键合部和平面电极来实现IGBT的电气连接，增大了键合处的接触面积，有效地减缓了键合处的热聚集效应
一种 igbt 封装结构半导体器件方法

[发明专利]封装方法-CN201810883152.9有效
发明人：石虎;刘孟彬 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种封装方法，包括：提供基板，基板的待键合面为第一待键合面；提供若干个芯片，芯片的待键合面为第二待键合面；提供薄膜型封装材料；在第一待键合面和第二待键合面中的至少一个面上形成键合层；在第一待键合面和第二待键合面中的至少一个面上形成键合层后，使第一待键合面和第二待键合面相对设置并将芯片置于基板上；将芯片置于基板上后，采用热压合工艺，使基板和若干个芯片通过所述键合层实现键合，并使封装材料填充于芯片和基板之间且覆盖芯片，热压合工艺后的封装材料作为封装层通过薄膜型封装材料，降低热压合工艺过程中芯片发生漂移的概率，提高了封装结构的良率和可靠性；而且热压合工艺同步实现了基板和芯片的键合，提高了封装效率。
封装方法

[发明专利]原子腔的制备方法-CN201810194619.9有效
发明人：阮勇;尤政;亓建莹 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请提供一种原子腔的制备方法，包括以下步骤：提供预封装原子腔结构和封装基底，并将封装基底和预封装原子腔结构清洗备用。提供被填充物，将被填充物填充入盲孔。用封装基底覆盖预封装原子腔结构，施加接触压力。加热，在预封装原子腔结构和封装基底之间施加键合电压，得到预键合的原子腔室。在缓冲气体氛围内，加热，在预封装原子腔结构和封装基底之间施加键合电压。键合完成后断开键合电压，停止加热，撤除压力，自然降温至室温。通过对预封装原子腔结构和封装基底先进行预键合，再在缓冲气体中进行一次键合，可以增强键合强度和原子腔的气密性，还可以有效避免预键合的原子腔因为键合强度不够导致空气进入原子腔内的问题。
腔结构预封装键合封装基底预键合填充物施加加热制备缓冲气体氛围缓冲气体基底覆盖接触压力停止加热一次键合自然降温气密性撤除盲孔腔内腔室断开填充备用清洗申请

[实用新型]一种声表面波器件插片式封装结构-CN201620796695.3有效
发明人：赵成;陈磊;胡经国 -专利权人：扬州大学
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种声表面波器件插片式封装结构，包括封装底板、封装盖板、声表面波器件芯片、外壳。封装底板上端芯片粘接键合区制作芯片键合电极，封装底板下端制作插针电极，封装底板中部制作金属膜输入输出导线，两端对应连接芯片键合电极和插针电极，封装盖板上部制作穿通的芯片槽，对应于封装底板上部的芯片粘接键合区封装时，芯片粘接在封装底板芯片粘接键合区，键合内引线，连接芯片电极与对应的芯片粘接键合区的芯片键合电极，粘合封装盖板，安装外壳。
一种表面波器件插片式封装结构

[发明专利]一种谐振器封装结构及方法-CN202211403973.0在审
发明人：高超;蔡耀;邹杨;詹道栋;林炳辉;王雅馨;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：一种谐振器封装结构及方法，涉及集成电路封装技术领域，该谐振器封装方法包括：提供谐振器，谐振器的顶电极图案上设置有第一键合层；提供封装晶圆，封装晶圆的第一衬底上设置有第二键合层和IPD结构，IPD结构与第二键合层连接；将第一键合层和第二键合层键合，以使谐振器和封装晶圆键合。该谐振器封装结构及方法能够简化封装工艺，且具有性能调控的功能。
一种谐振器封装结构方法

[发明专利]一种防静电损伤的芯片封装装置-CN202310345831.1在审
发明人：孔豪;陈庆松 -专利权人：津日科技（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种防静电损伤的芯片封装装置，涉及芯片封装技术领域，所述封装装置包括机体、对接带、封装盘、引线键合机械臂，所述机体内部设置对接带、封装盘，引线键合机械臂安装在封装盘一侧，封装盘上放置有封装基座、套盖，对接带将芯片固定在封装基座上，引线键合机械臂对芯片和封装基座进行引线键合，之后，封装盘将封装基座和套盖压合在一起，最终实现芯片封装。封装盘内部设置有检测电路，在芯片与封装基座引线键合之后，封装盘对芯片与封装基座之间的键合进行通断检测，检测芯片上的焊盘与封装基座上的引脚焊盘是否焊接良好，便于引线键合机械臂及时修补焊接问题，提高芯片封装的效果
一种静电损伤芯片封装装置

[发明专利]芯片封装方法及封装芯片-CN202211193941.2在审
发明人：潘志刚;王宁;孙晓琴;孙鹏;杨道虹;胡胜;叶国梁 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请提供一种芯片封装方法及封装芯片。该芯片封装方法包括：提供具有第一混合键合结构的封装晶粒与封装基板，其中，封装基板具有相对的正面与背面，封装基板正面形成有第二混合键合结构，封装基板背面形成有连接引脚，第二混合键合结构与连接引脚通过贯穿封装基板的金属柱电连接；将封装晶粒的第一混合键合结构与封装基板的第二混合键合结构贴合进行介质与介质、金属与金属的对准键合以使封装晶粒封装在封装基板上。该芯片封装方法使封装晶粒能在封装基板上高度集成，并缩小了封装芯片的体积，降低了成本。
芯片封装方法

[发明专利]一种键合结构及其制造方法-CN201911185772.6在审
发明人：李乔伟;梁斐;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种键合结构及其制造方法，在待键合芯片中形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层，封装垫层暴露于待键合芯片的侧边缘，在待键合晶圆上形成有阵列排布的裸片，裸片表面上形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层时，利用待键合芯片中的封装垫层，将待键合芯片从侧边缘键合至裸片表面的封装垫层，以获得晶圆结构。该方法利用封装垫层将待键合芯片与待键合晶圆上的裸片键合形成晶圆结构，待键合芯片可以选择没有缺陷的产品，相较于晶圆与晶圆的键合，避免晶圆上有缺陷的芯片间的键合，提高产品的良率，进而降低制造成本。
一种结构及其制造方法

[发明专利]一种三明治式微机电系统的圆晶级真空封装腔及封装方法-CN202210800894.7在审
发明人：陈天佑;范继;赵坤伟 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及MEMS器件封装领域，公开了一种三明治式微机电系统的圆晶级真空封装腔及封装方法，包括：通过设计下、中、下层封装环，将一般的单层封装环扩展为双层或者多层封装环，通过控制隔开缓冲腔的封装环的具体宽度，保证其强度和完整器件的尺寸；通过设计中层封装环，在中层的两道封装环之间的位置设计出贯穿通孔，从而保证下层缓冲腔和上层缓冲腔的连通；对下层和中层先进行对准键合；然后与上层完成对准键合，完成整体的封装工艺，键合方式包括热压键合、直接键合、阳极键合等键合技术。本发明能有效降低真空封装的MEMS器件的内部压强上升速度，提升真空器件的寿命。
一种三明治式微机电系统圆晶级真空装腔封装方法

[实用新型]半导体产品的封装键合治具-CN201921858592.5有效
发明人：周正勇;陈明;原江伟;郑忠庆;陈兴阳;张雪龙;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：半导体产品的封装键合治具。本实用新型涉及半导体封装打线工艺，尤其涉及半导体产品的封装键合治具。提供了结构紧凑合理，加工简便，压合效果好，降低键合不良的半导体产品的封装键合治具。本实用新型中包括引线框底座和压板；压板上设有若干与封装产品适配的压孔；压孔内位于封装产品的连筋的上方设有若干与压孔的内侧壁固定连接的触角，触角位于封装产品的连筋的上方；在键合治具的压板设计上增加若干压合触角，产品在封装键合时，使上压板能有效的压合到引线框底座上，保证压合牢固。本实用新型具有结构紧凑合理，加工简便，压合效果好，降低键合不良等特点。
半导体产品封装键合治具

[发明专利]一种芯片防反向封装结构及封装方法-CN202110976967.3在审
发明人：刘书利;王涛;章国涛;朱家昌;孟德喜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种微电子封装结构，尤其是一种芯片防反向封装结构及封装方法。一种芯片防反向封装结构，包括封装外壳和封装盖板，封装外壳内设有封装槽，封装盖板固定在封装槽的顶部，封装外壳上设有若干键合点，键合点与引脚连接；还包括：装片胶，装片胶分别与芯片的背面和封装槽粘结，将芯片固定在封装槽内；键合线，键合线设有若干个，用于键合点与芯片键合区的键合指的连接；及防反向硬质层，防反向硬质层覆盖在芯片正面的功能区。本发明提供的一种芯片防反向封装结构利用溅射方式在芯片功能区表面镀附防反向硬质层，有效地增强了芯片的防物理和化学反向性能，增加了芯片的安全性。
一种芯片反向封装结构方法

[发明专利]封装键合程序自动生成方法、装置、存储介质及电子设备-CN202010307381.3有效
发明人：刘丰收;钱胜杰;武纪宏 -专利权人：上海望友信息科技有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装键合程序自动生成方法、装置、存储介质及电子设备，所述方法包括：分别获取待键合的芯片与封装框架的键合点坐标数据；根据所述键合点坐标数据获取所有对键合点的相关约束条件，所述相关约束条件包括每对键合点的垂直约束高度差、水平约束距离、框架约束高度差；根据所述相关约束条件获取所有对键合点的键合数据，所述键合数据包括键合线的实际键合高度和拐点坐标；根据所述键合数据生成键合生产程序。本发明能够自动生成封装键合数据，并结合不同键合装置自动生成封装键合程序，从而提升了工作效率，降低了生产成本。
封装程序自动生成方法装置存储介质电子设备

[发明专利]一种LED光源的封装方法-CN201810815831.2有效
发明人：高春瑞;郑剑飞;郑文财 -专利权人：厦门多彩光电子科技有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED光源的封装方法，该封装封装将通过现有封装工艺制得的LED光源的键合线进行加热处理，使得键合线与封装胶分离形成空腔，使得LED光源工作时封装胶受热膨胀不会直接作用在键合线上，避免键合线因封装胶受热膨胀将其拉断
键合线封装封装胶受热膨胀封装工艺加热处理空腔拉断

[发明专利]RF放大器封装-CN202111443631.7在审
发明人：约瑟夫斯·H·B·范德赞登;丹尼尔·玛森 -专利权人：安普林荷兰有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及RF放大器封装。本发明进一步涉及用于这种放大器封装的、包括RF功率FET的半导体管芯。根据本发明，RF功率FET包括布置在栅极键合条和第一漏极键合条之间的第二漏极键合条，第一漏极键合条连接到RF放大器封装的输出端。漏极指状物从第二漏极键合条朝向栅极键合条延伸，且漏极指状物朝向第一漏极键合条延伸。第二漏极键合条使用键合线连接到隔直电容器。这些键合线形成电感，该电感与RF功率FET的输出电容在RF放大器封装的工作频率处或RF放大器封装的工作频率附近进行谐振。通过在栅极键合条和第一漏极键合条之间布置第二漏极键合条，RF放大器封装可以以更高的频率工作。
rf 放大器封装

[发明专利]具有线键合通孔的堆叠封装组件-CN201280062529.5有效
发明人：埃利斯·周;雷纳多·科;罗莎娜·阿拉托雷;菲利普·丹贝格;王纬舜;杨世英;赵志军 -专利权人：英闻萨斯有限公司
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L25/10 文献下载
摘要：一种微电子封装(10)可以包括具有键合至衬底(12)上的各个导电元件(28)的基(34)和相对于基(34)的端部(36)的线键合(32)。介质封装层(42)从衬底(12)延伸且覆盖线键合(32)的部分，以使线键合(32)的被覆盖部分通过封装层(42)相互分离，其中线键合(32)的未封装部分(39)由线键合(32)的未被封装层(42)覆盖的部分限定未封装部分(39)设置成具有最小间距的图案，该最小间距大于相邻的线键合(32)的基(34)之间的第一最小间距。
有线键合通孔堆叠封装组件

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