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[发明专利]双银玻璃-CN201811313804.1在审
发明人：吕宜超;刘莹;黄剑;谭小安 -专利权人：中国南玻集团股份有限公司;深圳南玻应用技术有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种双银玻璃，包括玻璃基底和依次位于玻璃基底上的第一复合介质层、第一种子层、第一功能层、第一保护层、第二复合介质层、第二种子层、第二功能层、第二保护层、第三介质层，其中，第一复合介质层包括的第一下子介质层、第一中间层、第一上子介质层，第一下子介质层与玻璃基底相邻，第一上子介质层与第一种子层相邻，第一中间层位于第一下子介质层与第一上子介质层之间，第二复合介质层包括的第二下子介质层、第二中间层、第二上子介质层，第二下子介质层与第一保护层相邻，第二上子介质层与第二种子层相邻，第二中间层位于第二下子介质层与第二上子介质层之间，并且第一中间层和第二中间层包含金属层。
玻璃

[实用新型]双银玻璃-CN201821819437.8有效
发明人：吕宜超;刘莹;黄剑;谭小安 -专利权人：中国南玻集团股份有限公司;深圳南玻应用技术有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种双银玻璃，包括玻璃基底和依次位于玻璃基底上的第一复合介质层、第一种子层、第一功能层、第一保护层、第二复合介质层、第二种子层、第二功能层、第二保护层、第三介质层，其中，第一复合介质层包括的第一下子介质层、第一中间层、第一上子介质层，第一下子介质层与玻璃基底相邻，第一上子介质层与第一种子层相邻，第一中间层位于第一下子介质层与第一上子介质层之间，第二复合介质层包括的第二下子介质层、第二中间层、第二上子介质层，第二下子介质层与第一保护层相邻，第二上子介质层与第二种子层相邻，第二中间层位于第二下子介质层与第二上子介质层之间，并且第一中间层和第二中间层包含金属层。
介质层中间层复合介质层种子层双银玻璃玻璃基第一保护层功能层本实用新型第二保护层光学性能金属层钢化

[发明专利]一种便捷式敷料-CN202210983749.7有效
发明人：张雄;曾达;林意华;白洁 -专利权人：上海大博医疗科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： A61F13/00 文献下载
摘要：便捷式敷料，包括依次连接的凝胶层、阻隔层、吸收层、软性导电层和软性膜层；其中，凝胶层内部中空，具有由凝胶构成的边缘结构；阻隔层包括第一子层和第二子层，第一子层和第二子层设置在便捷式敷料的两端；吸收层包括第三子层和第四子层，第三子层和第四子层分别设置在第一子层和第二子层的投影内；软性导电层包括设置在软性导电层的若干个通孔，通孔为负压孔，以及在与吸收层接触的表面上，设置在负压孔周围的导流通道，导流通道分别与第三子层和第四子层连接
一种便捷敷料

[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法-CN201910815397.2有效
发明人：洪威威;王倩;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：发光二极管外延片的多量子阱层的每个量子阱层均包括依次层叠的第一量子阱子层、第二量子阱子层和第三量子阱子层，第二量子阱子层的In/Ga比大于等于第一量子阱子层和第三量子阱子层的In/Ga比；第一量子阱子层中掺有Si；每个量子垒层均包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层和第三量子垒子层；第二量子垒子层的Si/Ga比大于等于第一量子垒子层和第三量子垒子层的Si/Ga比。该发光二极管外延片可以改善多量子阱层中的能带倾斜现象，增加电子和空穴的波函数在空间分布上的重叠度，提高LED的内量子效率。
发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种器件及其加工方法-CN202111677526.X在审
发明人：陈燕;雷美琴;王高辉;李远龙;李军政;朱明军;郑银玲 -专利权人：佛山市国星光电股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种器件及其加工方法，该器件包括子电路板、芯片组、子封装层、子侧防硫化膜、子挡墙和子顶防硫化膜；芯片组包括若干个芯片，若干个芯片分别键合在子电路板上并基于子封装层封装；子封装层的底面轮廓位于子电路板的边缘轮廓的包围区域内；子侧防硫化膜覆盖在子封装层的外侧面，且子侧防硫化膜自子封装层的外侧面底部朝子电路板的边缘延伸并覆盖在子电路板的顶面上；子挡墙包围在子侧防硫化膜的外侧面上；子顶防硫化膜覆盖在子封装层的顶面、子侧防硫化膜的顶面和子挡墙的顶面上该器件通过特殊的加工工艺得到具有特定结构防硫化层的器件，通过防硫化层的设置可很好的避免器件的粘连问题和硫化问题。
一种器件及其加工方法

[发明专利]一种LED外延片、芯片及其制备方法-CN202210602928.1有效
发明人：孙建建;曹敏;纪东;姜湃;牛群磊;陈铭胜 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延片、芯片及其制备方法，包括p型限制层、过渡层以及GaP窗口层；过渡层包括依次生长的第一过渡子层、第二过渡子层以及第三过渡子层，第一过渡子层生长于p型限制层上，GaP窗口层生长于第三过渡子层上；其中，第一过渡子层为（AlxGa1‑x）0.5In0.5P层，其中，x从1向0渐变，第二过渡子层为GayIn1‑yP层，其中，y从0.5向1渐变，第三过渡子层为GaP层。本发明中的LED外延片、芯片及其制备方法，通过将生长三种组分依次渐变的第一过渡子层、第二过渡子层和第三过渡子层，提高晶体生长质量。
一种 led 外延芯片及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201710845697.6在审
发明人：姚振;从颖;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光二极管的电子阻挡层包括依次层叠设置在有源层上的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为AlGaN层，第二子层包括n个周期的AlGaN/InGaN超晶格结构，2≤n≤6，第三子层为InGaN层，第二子层中的InGaN层和第三子层中均掺杂有Mg。本发明通过将电子阻挡层分成三个子层，第一子层可以阻挡电子泄露到P型层，第二子层可以进一步地对电子进行多次的间隔阻挡，且能让空穴更容易向有源层移动，第三子层中的In是Mg的激活剂，可以降低Mg所需要的激活能
一种发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种显示面板及其制作方法和显示装置-CN202111197191.1在审
发明人：李红翠;邢益彬;吴晨;梁娇娇;陈东运;戴灵均 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：显示面板中：多个发光器件位于衬底一侧；光耦合层位于发光器件的远离衬底一侧；封装层位于光耦合层的远离发光器件的一侧；封装层包括第一无机层，第一无机层包括堆叠的第一子无机层、第二子无机层和第三子无机层，第二子无机层位于第一子无机层和第三子无机层之间，第一子无机层为封装层中距衬底距离最近的膜层，第一子无机层与光耦合层相接触；第一子无机层的折射率小于第二子无机层的折射率，且第二子无机层的材料和第三子无机层的材料不同。本发明能够避免光耦合层和封装层之间相互剥离，同时还能够确保显示面板的出光效率。
一种显示面板及其制作方法显示装置

[发明专利]一种外延片、外延片制备方法及发光二极管-CN202310266386.X有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片、外延片制备方法及发光二极管，外延片包括：多量子阱层，多量子阱层包括交替堆叠的量子阱层和量子垒层，量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层、第三量子垒子层、第四量子垒子层以及第五量子垒子层；第一量子垒子层为N型InGaN层、第二量子垒子层和第四量子垒子层均为非掺GaN层、第三量子垒子层为P型AlInGaN层、以及第五量子垒子层为P型InGaN层，第一量子垒子层的In组分由靠近量子阱层的一端向另一端逐渐降低，第五量子垒子层的In组分由靠近量子阱层的一端向另一端逐渐升高。本发明解决了现有技术中的外延片由于量子阱层与量子垒层晶格失配增大而导致发光效率低的问题。
一种外延制备方法发光二极管

[发明专利]异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法-CN202010904648.7在审
发明人：张美荣;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开一种异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法，该异质结太阳能电池包括衬底层；在衬底层的受光面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层；第一掺杂层包括第一掺杂子层、第二掺杂子层和第三掺杂子层，第一掺杂子层靠近第一本征层，第三掺杂子层靠近第一透明导电层，第二掺杂子层设置在第一掺杂子层和第三掺杂子层之间；第一掺杂子层的晶化率较大而第二掺杂子层晶化率较小，第一掺杂子层和第三掺杂子层相对于第二掺杂子层电导率较大但载流子迁移率较小
异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]一种负极片及锂离子电池-CN202310316146.6在审
发明人：徐寒姣;李瑞年;李素丽 -专利权人：珠海冠宇电池股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种负极片及锂离子电池，负极片包括：集流体和涂膏层，所述涂膏层包括第一子涂膏层、第二子涂膏层和第三子涂膏层，所述第一子涂膏层、所述第二子涂膏层和所述第三子涂膏层依次层叠设置，且所述第二子涂膏层位于所述第一子涂膏层与所述第三子涂膏层之间；所述涂膏层涂覆于所述集流体表面，且所述第一子涂膏层与所述集流体相接触；其中，所述第一子涂膏层的导热能力大于所述第二子涂膏层的导热能力，所述第三子涂膏层的导热能力大于所述第二子涂膏层的导热能力。本发明实施例提供的负极片，通过在负极片上设置多个不同导热性能的涂膏层，实现了利用电池内阻引起温升，从而提高了锂离子电池的充电速率。
一种负极锂离子电池

[发明专利]一种外延片制备方法、外延片以及紫外发光二极管-CN202210404150.3在审
发明人：刘春杨;胡加辉;吕蒙普;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延片制备方法、外延片以及紫外发光二极管，外延片制备方法包括：提供衬底；在衬底上依次层叠缓冲层和N型半导体层；在N型半导体层上依次交替层叠预设周期个量子阱层和量子垒层以形成多量子阱层；在最后一个量子垒层上依次层叠电子阻挡层以及P型半导体层；其中，在量子阱层上依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层、插入子层以及第三量子垒子层以形成量子垒层，量子阱层、第一量子垒子层、第二量子垒子层以及第三量子垒子层均为AlGaN层，插入子层为MgN层，第一量子垒子层和第三量子垒子层的Al组分含量均低于第二量子垒子层的Al组分含量。
一种外延制备方法以及紫外发光二极管

[发明专利]核壳结构纳米晶及其制备方法-CN201910388924.6有效
发明人：刘东强;李敬群;王允军 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请提供一种核壳结构纳米晶，包括纳米晶核，包覆在所述纳米晶核上的第一子壳层，包覆在所述第一子壳层上的第二子壳层，以及包覆在所述第二子壳层上的第三子壳层，其中，第二子壳层的厚度大于第一子壳层的厚度。本申请通过在纳米晶核上依次包覆较薄的第一子壳层、较厚的第二子壳层和第三子壳层，制备得到了发光效率高(≥80％)的纳米晶。
结构纳米及其制备方法

[发明专利]一种叠层薄膜非微晶硅太阳能电池五层结构的设计-CN201010564838.5无效
发明人：屈晓升;吕思宇 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能光伏发电领域，具体公开了一种叠层薄膜非微晶硅太阳能电池五层结构的设计。该结构包括子层A透明衬底、子层B前TCO(透明导电层)、子层C吸收层(有源层)1，子层D中间层1，子层E吸收层2，子层F中间层2，子层G吸收层3，子层H后TCO，子层I反射层。各子层A-H从下往上依次叠加构成五层叠层太阳电池。该五层结构克服了现有三层非微晶硅叠层太阳电池太阳光谱利用率不足的缺点，利用新加的吸收层和中间层，有效地提高了短波长光的吸收率，并且使得电池整体保持较高的稳定性，其光电转换效率较现有三层结构有较大改进。
一种薄膜非微晶硅太阳能电池结构设计

[发明专利]钙钛矿太阳能电池组及其制备方法、光伏组件-CN202111300837.4在审
发明人：陈晨;李白茹;徐孟雷;杨洁;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本申请提供一种钙钛矿太阳能电池组及其制备方法、光伏组件，其中，钙钛矿太阳能电池组经多个沟槽被分隔形成多个电连接的子电池，每一子电池均包括层叠设置的第一电极子层、空穴传输子层、钙钛矿子层、电子传输子层和第二电极子层；相邻两个子电池之间通过所述第二电极子层与形成于第一电极子层表面的导电隔膜层实现电连接。本申请提供的钙钛矿太阳能电池组通过导电隔膜层将子电池中的第二电极子层与相邻一个子电池的第一电极子层电连接，可以有效的降低电池之间的串阻，提升器件的性能。
钙钛矿太阳能电池组及其制备方法组件