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[发明专利]应变纳米线CMOS器件和形成方法-CN201610621501.0有效
发明人：彭成毅;江宏礼;杨玉麟;叶致锴;杨育佳;刘继文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：晶体管结构包括第一外延材料和第二外延材料的交替层。在一些实施例中，对于一个n‑型或p‑型晶体管，可以去除第一外延材料或第二外延材料。可以去除第一外延材料和第二外延材料的最下的层，并且可以使第一外延材料或第二外延材料的侧壁缩进或凹进。本发明的实施例还涉及应变纳米线CMOS器件和形成方法。
应变纳米 cmos 器件形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201911202741.7有效
发明人：廖翊博;杨凯杰;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在实施例中，形成半导体器件的方法包括：在衬底中形成第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽中生长第一外延材料堆叠件，该第一外延材料堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层，第一外延材料堆叠件的层是未掺杂的；在第二凹槽中生长第二外延材料堆叠件，该第二外延材料堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层，第二外延材料堆叠件的第一子集是未掺杂的，第二外延材料堆叠件的第二子集是掺杂的；图案化第一外延材料堆叠件和第二外延材料堆叠件
半导体器件及其形成方法

[发明专利]外延材料层的特性测试装置-CN201110191716.0无效
发明人：梁秉文 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G01N21/66 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种外延材料层的特性测试装置，包括：探针单元，在测试时能够与所述外延材料层的表面形成导电接触，通过所述探针单元向所述外延材料层提供电信号，所述电信号能够使得所述外延材料层发出光信号；光信号分析单元，用于获得所述光信号，对所述光信号进行分析，获得所述外延材料层的特性参数。本发明节约了衬底上的外延材料层的测试时间，提高了外延材料层的测试精度，从而提高了MOCVD设备的生产效率，也提高了外延材料层的发光强度、均匀度和良率等工艺参数。
外延材料特性测试装置

[实用新型]外延材料层的特性测试装置-CN201120241006.X有效
发明人：梁秉文 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： G01N21/66 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种外延材料层的特性测试装置，包括：探针单元，在测试时能够与所述外延材料层的表面形成导电接触，通过所述探针单元向所述外延材料层提供电信号，所述电信号能够使得所述外延材料层发出光信号；光信号分析单元，用于获得所述光信号，对所述光信号进行分析，获得所述外延材料层的特性参数。本实用新型节约了衬底上的外延材料层的测试时间，提高了外延材料层的测试精度，从而提高了MOCVD设备的生产效率，也提高了外延材料层的发光强度、均匀度和良率等工艺参数。
外延材料特性测试装置

[发明专利]一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法-CN201310057279.2有效
发明人：王琦;边志强;任晓敏;贾志刚;闫映策;蔡世伟;黄永清 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法，在衬底上，或在已沉积特定异变外延层的虚拟衬底上形成纳米小球的单层排布，并控制纳米小球间隙的大小；将纳米小球间隙连在一起，形成纳米尺度图形；以纳米小球为掩膜，在纳米小球间隙内沉积外延层材料，并与衬底或虚拟衬底紧密结合，增大外延层材料的沉积厚度，使外延层材料高出纳米小球，外延层材料横向生长并合并，完全覆盖住纳米小球，降低外延层材料的表面粗糙度。本发明纳米小球间隙的生长窗口具有宽度窄、深宽比高的特征，纳米小球可以有效阻挡衬底与外延层之间由于晶格失配产生的穿透位错在外延层中继续向上穿通，大幅度提高异变外延材料质量，解决晶格失配材料间异变外延生长问题
一种基于纳米图形衬底外延生长方法

[发明专利]选择外延生长应变测量方法及量子阱激光器制作方法及量子阱激光器-CN201910941392.4有效
发明人：陈志标 -专利权人：武汉云岭光电有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择外延生长应变测量方法，包括如下步骤：1）在衬底上形成掩膜，在带有掩膜的衬底上选择外延生长材料；2）将选择外延生长区域以外的所有外延材料去除，将掩膜材料去除，仅仅剩下选择外延生长区域的材料；3）测量衬底上材料的应变，测量的应变为选择外延区域材料的应变。同时，提出一种利用该方法的选择外延生长量子阱激光器制作方法以及量子阱激光器。该方法能精确测量选择外延导致的应变的变化，从而为选择外延生长材料的表征提供一种低成本且精确的方法。
选择外延生长应变测量方法量子激光器制作方法

[发明专利]一种低损耗的外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法-CN202310690364.6在审
发明人：蒋书文;叶东瑾;聂鹏昊;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明属于功能材料技术领域，提供一种低损耗的外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法，用以作为介质薄膜变容器的介质层材料。本发明基于磁控溅射方法在低失配衬底上以较高的衬底温度、较低生长速率制备得到钛酸锶钡薄膜，实现薄膜与衬底之间的外延生长关系，得到外延钛酸锶钡薄膜材料；所述外延钛酸锶钡薄膜材料具有(001)外延结构，比多晶结构的钛酸锶钡薄膜具有更大的介电常数；并且，外延钛酸锶钡薄膜材料具有缺陷少、外延质量高的优点；同时，外延钛酸锶钡薄膜材料在高频下具有低损耗特性；另外，本发明中外延钛酸锶钡薄膜材料的外延制备工艺采用射频磁控溅射工艺，能够实现钛酸锶钡薄膜的大面积和大批量制备
一种损耗外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸半导体材料电导率提升方法及器件-CN202211255450.6在审
发明人：李震;高达;王丹;邢伟荣;王丛;折伟林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种大尺寸半导体材料电导率提升方法及器件，包括：在基于缓冲层进行外延工艺之前，在缓冲层上外延电导层，其中外延的所述电导层材料与所述缓冲层晶格匹配；基于所述电导层，利用分子束外延工艺，外延吸收层使用分子束外延设备在材料外延中一次性完成材料外延制备，减少工艺时间并提升材料外延质量。
一种尺寸半导体材料电导率提升方法器件

[发明专利]一种发光器件、显示面板及电子设备-CN202210179597.5在审
发明人：梁轩;王飞;王明星;王灿;董学;杨明坤;齐琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种发光器件、显示面板及电子设备，发光器件至少包括：第一外延结构、第二外延结构，第一外延结构和第二外延结构能够发出不同波段的光；第一外延结构和第二外延结构沿第一方向依次设置，每个外延结构均包括：N型半导体层、P型半导体层、多量子阱层；第一外延结构和第二外延结构之间设置有导电键合层，包括：第一导电材料层和第二导电材料层，第一导电材料层还与第一外延结构的N型半导体层连接，第二导电材料层还与第二外延结构的P型半导体层连接；第二导电材料层的表面面积小于或等于第一导电材料层的表面面积；第二导电材料层的表面面积与第二外延结构的P型半导体层的表面面积之比的取值范围为0.2‑1。
一种发光器件显示面板电子设备

[发明专利]一种碲镉汞外延材料霍尔测试样品的制备方法-CN202310174151.8在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;汪鑫 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料加工制备技术领域，具体提供了一种碲镉汞材料霍尔测试样品的制备工艺。本发明的碲镉汞外延材料霍尔测试样品的制备工艺，通过对碲镉汞外延材料正面进行表面处理并沉积介质膜进行保护，同时将碲镉汞外延材料背面的衬底和过渡层材料进行去除，避免了碲镉汞外延材料表面电荷的堆积，以及失配位错缺陷对碲镉汞外延材料霍尔测量的影响，提高了碲镉汞外延材料电学测量的准确度。
一种碲镉汞外延材料霍尔测试样品制备方法

[发明专利]基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法-CN201010527353.9有效
发明人：张国义;吴洁君;杜彦浩;于彤军;杨志坚;康香宁;贾传宇;孙永健;罗伟科;刘鹏 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-10-30 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法。本发明包括如下步骤：对衬底材料进行预处理；在衬底上生长外延材料，工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力逐渐集中到预定自分离的位置；在外延材料的厚度达到预定自分离的位置时，工艺条件跃变调制，实现应力在该预定位置的跃变；再次工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力随厚度增加而逐渐释放，也即实现应力逆向集中于预定位置；外延生长结束，并逐渐降温，以使得预定自分离位置两侧的应力差进一步放大，从而实现单晶厚膜在预定位置的自分离。本发明在保证外延材料质量的基础上，能有效控制外延材料中应力的整体分布，良好地实现外延材料的自分离。
基于外延材料应力控制 gan 分离方法

[发明专利]一种紫外LED和紫外探测器集成器件及其制作方法-CN202111081788.X在审
发明人：郭炜;国琛雨;张佳欣;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L31/173 文献下载
摘要：本申请公开了一种紫外LED和紫外探测器集成器件及其制作方法，包括衬底；位于衬底上表面、包括多层层叠的膜层的集成外延体，集成外延体包括紫外LED的第一外延体和紫外探测器的第二外延体，集成外延体中各膜层的材料为基于同一族材料的化合物；分别与第一外延体和第二外延体接触的n型电极、p型电极。本申请中集成外延体包括紫外LED的第一外延体和紫外探测器的第二外延体，集成外延体中的各个膜层的材料为基于同一族材料的化合物，所以一外延体、第二外延体属于同一材料体系，实现第一外延体第二外延体的同质集成，提升集成器件可靠性和稳定性，且第一外延体、第二外延体可以通过一次性的外延技术进行制备，缩短工艺时间，提升制作效率。
一种紫外 led 探测器集成器件及其制作方法

[发明专利]一种外延结构及其制备方法-CN202310696044.1在审
发明人：房育涛;蔡文必;叶念慈;张富钦 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种外延结构及其制备方法，所述外延结构包括：硅衬底，所述硅衬底具有第一表面；外延层，所述外延层设置在所述第一表面；所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III‑V族材料。本公开的外延结构及其制备方法，能够利用该网格状裂纹释放热失配张应力，从而获得更厚更高质量的外延材料，减小高温外延生长时硅衬底翘曲。
一种外延结构及其制备方法

[发明专利]一种外延结构及其制备方法-CN202110719527.X有效
发明人：房育涛;蔡文必;叶念慈;张富钦 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：公开了一种外延结构及其制备方法，所述外延结构包括：硅衬底，所述硅衬底具有第一表面；外延层，所述外延层设置在所述第一表面；所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III‑V族材料。本公开的外延结构及其制备方法，能够利用该网格状裂纹释放热失配张应力，从而获得更厚更高质量的外延材料，减小高温外延生长时硅衬底翘曲。
一种外延结构及其制备方法

[发明专利]一种超结器件耐压层的制备方法-CN201710028090.9在审
发明人：杨尊松;王立新;罗小梦;宋李梅;肖超;陆江;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件耐压层的制备方法，包括在衬底材料上生长并刻蚀第一外延材料，以在第一外延材料上形成相互间隔的N个第一沟槽；用第二外延材料填充N个第一沟槽，第二外延材料的掺杂类型与第一外延材料的掺杂类型不相同；抛光第二外延材料；在光滑表面上生长并刻蚀第一外延材料，以形成与N个第一沟槽一一对齐的N个第二沟槽；用所述第二外延材料填充所述N个第二沟槽，以与之前填充的所述第二外延材料对齐连通，形成交替设置的多对P型和
一种器件耐压制备方法

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