“基单晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果629159个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种镍基单晶高温合金及其制备方法-CN202210428186.5有效
发明人：王新广;周亦胄;刘金来;李金国;刘纪德;杨彦红;孙晓峰 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明关于一种镍基单晶高温合金及其制备方法，涉及高代次单晶高温合金材料领域。以重量百分比计，镍基单晶高温合金包括以下成分：Cr 3.5‑5.5wt％、Co 6‑14wt％、W 5‑7wt％、Mo 0.5‑2.5wt％、Re 4‑7.5wt％、Ru 1.5‑4wt％、Al 5‑6.8wt进一步，在镍基单晶高温合金的制备中，本发明量化制定了合理的高温固溶热处理制度，通过协同调控合金的成分与热处理制度工艺，实现了低层错能镍基单晶高温合金的针对性设计与高温强度的充分发挥。
一种镍基单晶高温合金及其制备方法

[发明专利]纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池及制备方法-CN201110032963.6有效
发明人：袁宁一;丁建宁 -专利权人：常州大学
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池，特指利用单晶硅、纳米硅和氧化铝形成异质结径向结构纳米线太阳电池，其电池结构是n型单晶硅/p型纳米硅/氧化铝或n型单晶硅/i型纳米硅/p型纳米硅/氧化铝的电池结构。本发明利用湿法腐蚀工艺在n型单晶硅衬底上制备单晶硅（c-Si）纳米线，采用PECVD方法在单晶纳米线上制备氢化的i型和p型纳米硅（nc-Si:H）薄膜，形成由内至外的c-Si（n）/nc-Si:H（p）或c-Si（n）/nc-Si:H（i）/nc-Si:H（p）径向结构，随后利用ALD技术制备Al2O3层，利用ALD技术制备制备掺铝氧化锌层；最后在n型单晶硅背面真空蒸镀铝电极，并进行快速退火；完成硅基纳米线太阳电池的制备本发明可以制备高效硅基纳米线太阳电池，而且可以利用低品质的单晶硅材料，从而可以降低电池成本。
纳米单晶硅异质结径向太阳电池制备方法

[发明专利]一种零维锑基有机-无机杂化金属卤化物单晶材料及其制备方法和应用-CN202310477040.4在审
发明人：唐孝生;郭林峰;陈威威;黄磊 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种零维锑基有机‑无机杂化金属卤化物单晶材料及其制备方法和应用，属于发光材料技术领域。本发明主要是以乙基三苯基氯化膦(EPPCl)、三氯化锑(SbCl3)为原料，以二氯甲烷作为溶剂、乙醚作为反溶剂制备单晶材料((EPP)2SbCl5·CH2Cl2单晶)，该制备方法具有方便、易重复等特点，制备得到的锑基有机‑无机杂化金属卤化物单晶展现出明亮的橙红色发射以及近单位的PLQY，在白光固态照明方面具有重要的应用。
一种零维锑基有机无机金属卤化物材料及其制备方法应用

[发明专利]一种硅碳基高温氢气传感器及其制备方法-CN201610225244.9有效
发明人：廖宁波;周峰 -专利权人：温州大学
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅碳基高温氢气传感器，包括单晶硅基板(1)，在单晶硅基板(1)上依次设有二氧化硅层(2)、硅碳基薄膜层(3)、SiAlCO层(4)和电极(5)。制备方法按下述步骤进行：①对单晶硅基板进行预清洗；②重复3‑4遍步骤①，再在真空干燥箱中烘干；③在真空条件下对单晶硅基板进行离子束溅射清洗；④在氩气作为工作气体的环境下，采用磁控溅射的方法将靶材溅射到衬底上
一种硅碳基高温氢气传感器及其制备方法

[实用新型]具有环形绝缘层结构的石墨烯硅基太阳能电池-CN201621282972.5有效
发明人：况亚伟;马玉龙;倪志春;魏青竹;杨希峰;朱丹凤;刘玉申;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有环形绝缘层结构的石墨烯硅基太阳能电池，包括背电极，背电极上设置单晶硅片，单晶硅片上设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，二氧化硅层陷入单晶硅片的厚度为0.2～2μm，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面设置石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜表面设置前电极。具有环形绝缘层结构的石墨烯硅基太阳能电池的效率与传统结构相比有显著提高。
具有环形绝缘结构石墨烯硅基太阳能电池

[发明专利]一种砷化镓基几何巨磁电阻器件及其制备方法-CN201210220038.0无效
发明人：章晓中;王集敏;万蔡华;朴红光 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明属于磁场检测和磁场传感器材料以及器件技术领域，特别涉及一种砷化镓基几何巨磁电阻器件及其制备方法。该砷化镓基几何巨磁电阻器件在矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片表面的4个角上分别设有1个金属电极，4个金属电极呈矩形或梯形。其制备方法为：将GaAs 基片用酒精或丙酮漂洗干净后裁剪成矩形，将高纯软金属分别沉积或压制成金属电极于矩形单晶GaAs基片的4个角上，即可得到砷化镓基几何巨磁阻器件。所得到的砷化镓基几何巨磁阻器件具有显著的磁电阻效应，其磁电阻大于常规GaAs基磁电阻器件的磁电阻。所得到的砷化镓基几何巨磁阻器件的结构简单，原材料价格适中，制备工艺简单，且环境友好。
一种砷化镓基几何磁电器件及其制备方法

[实用新型]一种合成单晶金刚石测温稳定的基台-CN202222652531.1有效
发明人：张存升;邵海明;郑明欣;王东海;王帅 -专利权人：河南宝晶新材料科技有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01K1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种合成单晶金刚石测温稳定的基台，属于金刚石合成装置技术领域，其中，包括基台本体，所述基台本体上表面开设有限位槽，所述限位槽共有多个，均开设在基台本体上表面，所述基台本体上表面搭接有氧化铝陶瓷膜，所述氧化铝陶瓷膜表面设置有放置槽，所述放置槽共有多个，均设置在氧化铝陶瓷膜表面，该合成单晶金刚石测温稳定的基台，通过设置氧化铝陶瓷膜，在对该装置进行使用时，氧化铝陶瓷膜具有高硬度、耐磨、低侵蚀、耐高温、耐腐蚀和生物惰性等特点，其高温稳定性和导热性较为良好，在对单晶金刚石测温操作时，提高了测温的准确性和稳定性，在氧化铝陶瓷膜的作用下，提高了该装置的稳定性。
一种合成金刚石测温稳定

[发明专利]半导体多层结构及半导体元件-CN201510089912.5在审
发明人：佐藤慎九郎 -专利权人：株式会社田村制作所;株式会社光波
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种半导体多层结构包括：β-Ga₂O₃基单晶基板，其具有包括(-201)、(101)、(310)或(3-10)面的主面，所述β-Ga₂O₃基单晶基板不含孪晶面或者还包括不含孪晶面的区域，所述区域在垂直于孪晶面和所述主面之间的交叉线的方向上具有不小于2英寸的最大宽度；以及氮化物半导体层，其包括外延生长在所述β-Ga₂O₃基单晶基板上的Al_xGa_yIn_zN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1,x+y+z＝1)
半导体多层结构元件

[发明专利]应用于热障涂层的多层粘结层材料及其制备方法-CN202211004137.5在审
发明人：刘俊凯;张思瑞;杨丽;周益春;孙宇;李桂芳;曹可;李聪;程春玉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了应用于热障涂层的多层粘结层材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、对单晶镍基合金表面依次进行预处理及离子刻蚀；步骤2、将处理后的单晶镍基合金材料表面喷涂γ‑γ’双相层；步骤3、在步骤2本发明制备的应用于热障涂层的多层粘结层材料，可同时提高粘结层的抗氧化性能以及抑制粘结层与单晶镍基合金基体间的元素互扩散行为，具有更优异的性能。
应用于热障涂层多层粘结材料及其制备方法

[发明专利]一种镍基单晶高温合金叶片的表面强化方法-CN202310852731.8在审
发明人：王江;李石磊;帅三三;段方苗;白小龙;赵宇辰;李维明;任忠鸣 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及重型燃气轮机涡轮叶片制造技术领域，尤其涉及一种镍基单晶高温合金叶片的表面强化方法。本发明提供的表面强化方法，包括以下步骤：将镍基单晶高温合金叶片依次进行分段式固溶处理、空冷、时效处理、喷砂处理和电解抛光处理；所述分段式固溶处理包括依次进行的第一固溶处理和第二固溶处理；所述第一固溶处理在非含氧气氛中进行所述表面强化方法可以提高镍基单晶高温合金叶片的表面强度，从而抑制涡轮叶片表面裂纹源的产生。
一种镍基单晶高温合金叶片表面强化方法

[发明专利]一种镍基单晶高温合金及其制备方法和合金制品-CN202310804898.7在审
发明人：王新广;李永梅;谭子昊;杨彦红;孟杰;周亦胄;李金国;孙晓峰 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明提供一种镍基单晶高温合金及其制备方法和合金制品，其中，以重量百分比计，所述镍基单晶高温合金的化学成分如下：Cr 1.8～4.8wt％，Co 6.4～9.2wt％，W 7.4～9.2wt％，Mo 0.8本发明的镍基单晶高温合金及其制备方法和合金制品能够避免合金熔体和陶瓷型壳材料发生界面反应，且能够保证合金高温强度、降低合金成本。
一种镍基单晶高温合金及其制备方法合金制品

[发明专利]一种基于氮化镓单晶衬底的激光二极管及其制备方法-CN201910935597.1有效
发明人：贾传宇;凌东雄;王红成;吕伟;王春华;康晓娇;胡西多 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化镓单晶衬底的激光二极管及其制备方法，所述激光二极管包括从下到上依次层叠设置的GaN单晶衬底、n型GaN层、n型限制层、下波导层、复合量子阱有源区、电子阻挡层、上波导层、p型限制层和本发明设计和优化氮化镓基激光器高量子效率应力调控有源区结构，新型光波导层结构以及新型限制层结构，在低位错密度GaN单晶衬底上制备激光二极管，突破GaN基激光器的外延制备技术难点，得到高可靠性高量子效率GaN基激光器。
一种基于氮化镓单晶衬底激光二极管及其制备方法

[发明专利]一种镍基单晶高温合金的恢复热处理方法-CN202211354693.5有效
发明人：茹毅;胡云鹏;周希晨;张恒;赵文月;裴延玲;李树索;宫声凯;肖清云;张昊;古鸣;陈犇 -专利权人：北京航空航天大学;中国航发贵州黎阳航空动力有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C22F1/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种镍基单晶高温合金的恢复热处理方法，属于合金材料修复技术领域。本发明通过在特定条件下对待修复镍基单晶高温合金进行固溶处理，可使强化相γ'相及蠕变损伤产生的TCP相等杂质相全部固溶至γ基体，形成γ相单相组织；之后在特定条件下对所得固溶镍基单晶高温合金进行时效处理，可获得合适形貌
一种镍基单晶高温合金恢复热处理方法

[发明专利]一种高强度镍基单晶高温合金-CN202010944460.5有效
发明人：谢光;张少华;王莉;卢玉章;张健;楼琅洪 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度镍基单晶高温合金，属于镍基单晶高温合金技术领域。本发明与现有的其他镍基单晶高温合金相比，具有优异的持久性能和拉伸性能，同时还具有优良的抗氧化性能和良好的组织稳定性。既可以适用于航天、航空发动机高温部件，又可以适用于地面与舰用燃气轮机高温部件。
一种强度镍基单晶高温合金

[发明专利]一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法-CN201811042914.9有效
发明人：张学富;王浩敏;吴天如;于庆凯;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括：在单晶绝缘衬底表面沉积一层二元铜基合金薄膜，将该合金薄膜置于化学气相沉积系统中进行退火处理，通入气态碳源，低温下外延生长石墨烯单晶晶圆。该方法降低石墨烯的褶皱，进而提高石墨烯的电学性能，降低石墨烯单晶晶圆的生产成本。
一种低温制备石墨烯单晶晶圆方法