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[发明专利]一种高性能双相Ni3-CN202210711744.9有效
发明人：茹毅;马国铨;宋瑞阳;赵海根;裴延玲;李树索;宫声凯 -专利权人：北航(四川)西部国际创新港科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C22F1/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种高性能双相Ni3Al基单晶合金及其组织调控方法，属于单晶高温合金技术领域。本发明提供的组织调控方法包括如下步骤：将待处理Ni3Al基单晶合金进行固溶处理后急冷，得到过饱和固溶体合金；将得到的过饱和固溶体合金依次进行第一时效处理、淬火和第二时效处理，得到高性能双相Ni3Al基单晶合金；所述第一时效处理的保温温度为1000～1100℃；所述第一时效处理的保温时间为2～5h。本发明的组织调控方法制备的高性能双相Ni3Al基单晶合金中γ′相的体积分数为65～80％；在760℃/750MPa测试条件下蠕变寿命为93～98h，在980℃/
一种性能 ni base sub

[发明专利]一种制备EBSD样品的机械抛光液、制备方法及机械抛光方法-CN201610292613.6在审
发明人：高斯峰;肖俊峰;南晴;张炯;李永君;唐文书;朱立春 -专利权人：西安热工研究院有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C23F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备EBSD样品的机械抛光液、制备方法及机械抛光方法，属于镍基单晶高温合金晶体取向分析技术领域。本发明针对镍基单晶高温合金EBSD样品制备过程复杂、耗时长、标定率低等问题，提出了一种抛光液配制简单、操作简便、成本低、抛光效果好、标定率高的镍基单晶高温合金EBSD样品机械抛光法。本发明易于实施、能耗较低，适用于镍基单晶高温合金EBSD样品制备。
一种制备 ebsd 样品机械抛光方法

[发明专利]一种稀土基永磁单晶纳米材料及其制备方法-CN202310124905.9在审
发明人：马振辉;刘虎;杨科;罗志昆 -专利权人：北京工商大学;西安建筑科技大学;北京合研科技有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土基永磁单晶纳米材料及其制备方法，属于磁性稀土合金纳米材料技术领域，该制备方法包括：S1.采用Ar/H2离子束轰击稀土金属，得到稀土氢化物纳米颗粒油酸和油胺进行混合并反应，得到过渡金属纳米颗粒；S3.将稀土氢化物纳米颗粒与过渡金属纳米颗粒进行超声分散，得到稀土氢化物/过渡金属纳米复合粉末；S4.将稀土氢化物/过渡金属纳米复合粉末进行真空退火处理，得到稀土基永磁单晶纳米材料；或，将稀土氢化物/过渡金属纳米复合粉末依次进行真空退火处理、氨气氛围退火处理，得到稀土基永磁单晶纳米材料。本发明的制备方法退火温度低、产率高、可用于大规模制备稀土基永磁单晶纳米材料。
一种稀土永磁纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种低比重高组织稳定性镍基单晶高温合金及其制备方法-CN202310718300.2在审
发明人：丁青青;贝红斌;张泽;魏晓;姚霞;刘登宇;周鼎鑫 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种低比重高组织稳定性镍基单晶高温合金，按重量百分比计算，该合金化学成分包括Cr：2.8～3.8％；Co：4.0～7.0％；Mo：2.0～4.0％；Ta：4.0～6.5％；W：4.5～6.5本发明还公开了一种低比重高组织稳定性镍基单晶高温合金的制备方法。本发明比重低于典型四代合金TMS138合金比重8.95g/cm3；TCP相面积分数小；本发明的镍基单晶高温合金在1100℃/300MPa和1100℃/350MPa蠕变寿命分别为3.72小时和1.66小时，分别比典型四代镍基单晶高温合金TMS138合金提升了18.8％和49.5％。
一种比重组织稳定性镍基单晶高温合金及其制备方法

[发明专利]单晶镍基高温合金冷变形后的热处理方法-CN201911050932.6有效
发明人：陈凯;林思聪;朱文欣 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C22F1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶镍基高温合金冷变形后的热处理方法，方法包括以下步骤：制备单晶镍基高温合金的圆柱状样品，其中，在室温下压缩样品，其塑性变形量在6.5％以内，确定单晶镍基高温合金低速升温回复热处理的起始温度为标准固溶温度之下150‑180度，终止温度为单晶镍基高温合金的标准固溶温度，在起始温度和终止温度之间分为低温区间和高温区间，高温区间温度差值是低温度区间温度差值的预定倍数，按照升温速率对所述样品进行回复热处理，在温度到达终止温度后
单晶镍基高温合金变形热处理方法

[发明专利]一种复合导电剂包覆类单晶富锂锰基正极材料的制备方法-CN201910642068.2有效
发明人：廖达前;曾文赛;胡柳泉;殷春梅;周友元 -专利权人：湖南长远锂科股份有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合导电剂包覆类单晶富锂锰基正极材料的制备方法，包括以下步骤：(1)调控多组分复合导电剂溶液的Zeta电位，使所述多组分复合导电剂溶液所带电荷与类单晶富锂锰基正极材料溶液所带电荷相反；其中，所述多组分复合导电剂溶液为石墨烯、纳米碳管和导电炭黑的混合溶液；(2)将所述多组分复合导电剂溶液进行超声分散，再与所述类单晶富锂锰基正极材料溶液进行搅拌分散，过滤，洗涤，烘干，烧结，即得到复合导电剂包覆类单晶富锂锰基正极材料
一种复合导电剂包覆类单晶富锂锰基正极材料制备方法

[发明专利]镍基单晶涡轮冷却叶片气膜孔的损伤判定方法-CN201910312048.9有效
发明人：温志勋;岳珠峰;王佳坡;裴海清;张旭辉 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明提供了一种镍基单晶涡轮冷却叶片气膜孔的损伤判定方法，属于发动机技术领域。该镍基单晶涡轮冷却叶片气膜孔的损伤判定方法包括：根据气膜孔的初始尺寸，建立平板气膜孔模型；根据平板气膜孔模型，建立有限元平板气膜孔模型；建立镍基单晶本构方程；进行平板气膜孔模型的蠕变有限元模拟计算；根据蠕变有限元模拟计算的结果，建立气膜孔的尺寸与损伤的对应关系；测量镍基单晶涡轮冷却叶片气膜孔的当前尺寸；根据气膜孔的当前尺寸和气膜孔的尺寸与损伤的对应关系，确定气膜孔的当前损伤。
镍基单晶涡轮冷却叶片气膜孔损伤判定方法

[发明专利]一种快速表征分析镍基单晶高温合金微观组织演变的方法-CN202110631306.7有效
发明人：李龙飞;徐静辉;冯强 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速表征分析镍基单晶高温合金微观组织演变的方法，属于镍基单晶高温合金技术领域。该方法集成高通量实验‑高通量表征‑高通量统计技术，高效建立镍基单晶合金高温蠕变过程中微观组织演变定量关系。利用该方法可以高效研究镍基单晶合金微观组织随蠕变条件的演变规律，在建立材料组织数据库和服役安全评估等方面具有重要意义。
一种快速表征分析镍基单晶高温合金微观组织演变方法

[发明专利]一种含铼的Ni₃Al基单晶合金-CN201110064372.7无效
发明人：宫声凯;张恒;汤林志;李树索;马岳;徐惠彬 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：本发明提供一种含铼的Ni3Al基单晶合金，成分按重量百分比分别为7～8wt％的Al，8～13％的Mo，0.0005～3wt％的Re，其余为Ni；该含铼的Ni3Al基单晶合金中还可以含有一种以上的0.05该含铼的Ni3Al基单晶合金通过在Ni3Al基单晶合金中添加铼元素，使铼元素固溶到γ′相和γ相中，并在γ相形成短程有序的铼原子团簇。
一种 ni sub al 基单晶合金

[发明专利]锰锌基铁氧体单晶材料和高频磁头-CN98108325.0无效
发明人：松井进;常田富士夫 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 1998-05-21 - 公布日： 1998-12-16 - 主分类号： H01F1/34 文献下载
摘要：一种锰锌基铁氧体单晶材料,包括锰锌基铁氧体和基于所述锰锌基铁氧体量的1—7wt%的氧化镍。通过向锰锌基铁氧体添加特定量的氧化镍,在20MHz或更高的高频范围可将起始导磁率的降低减至最小并可将电阻率加大。具有本发明锰锌基铁氧体单晶材料制造的磁心小片的磁头显示减少涡电流损耗,并且特别改良在20MHz或更高的高频范围记录和读取特性。
锰锌基铁氧体材料高频磁头

[发明专利]一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法-CN202010645103.9有效
发明人：欧欣;鄢有泉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L41/253 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，包括：获取钽酸锂单晶晶圆片；在所述钽酸锂单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层，对所述热膨胀抑制层和所述钽酸锂单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构，在所述钽酸锂单晶晶圆片内形成离子注入损伤层；本申请实施例所述的硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，在对钽酸锂单晶晶圆片离子注入前先在其表面制作一层热膨胀抑制层，热膨胀抑制层在离子注入的过程中能够抑制钽酸锂的各向异性热膨胀形变，减小钽酸锂的弯曲幅度，提高离子注入的深度均匀性，并最终提高剥离的钽酸锂单晶薄膜的厚度均匀性。
一种硅基钽酸锂压电薄膜衬底制备方法

[发明专利]一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法-CN201310351426.7无效
发明人：霍晓青;郑立梅;王军军;张锐;王锐;桑士晶;曹文武;杨彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种铌酸钾钠基无铅压电单晶的制备方法。本发明要解决现有的铌酸钾钠基无铅压电单晶生长困难、单晶尺寸小和机电耦合系数低的问题。一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的化学式为(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3，其中0.4单晶提拉炉中进行单晶生长；三、多步降温法进行降温退火。优点：一、生长工艺简单，成本较低；二、所获得的钽掺杂铌酸钾钠单晶尺寸大，质量良好；三、具有高的机电耦合性能。本发明可获得高机电耦合性能的压电晶体材料。
一种机电耦合性能掺杂铌酸钾钠无铅压电制备方法

[发明专利]一种高强度沉淀强化钴基单晶高温合金及其制备方法-CN201510850054.1在审
发明人：于金江;孙晓峰;石磊;金涛;孟杰;谢君 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C22C19/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度沉淀强化钴基单晶高温合金及其制备方法，属于钴基单晶高温合金及制备技术领域。制备方法包括在单晶生长炉温度梯度范围40K/cm～80K/cm，浇注温度1480～1580℃，模壳温度与浇注温度保持一致；单晶生长速率为4～8mm/min范围内制备单晶叶片或试棒，再经热处理使该合金具有高的持久强度极限和蠕变极限
一种强度沉淀强化钴基单晶高温合金及其制备方法

[发明专利]一种制备(Li,Fe)OHFeSe超导材料的方法-CN201811396552.3有效
发明人：施智祥;易晓磊;秦玲瑶 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备(Li,Fe)OHFeSe超导材料的方法，具体步骤包括：步骤a、制备FeSe基单晶；步骤b、在保护气氛条件下，配制氢氧化锂水溶液，加入铁粉和FeSe基单晶之后，得到反应溶液并密封保存；步骤c、将密封的反应溶液加热并保温反应；步骤d、过滤并清洗反应后的溶液，得到(Li,Fe)OHFeSe超导单晶。该方法采用无硒脲的水热离子交换法成功制备了高质量(Li,Fe)OHFeSe超导单晶，成本低廉、工艺简单，制备的超导单晶尺寸大、质量高，且对(Li,Fe)OHFeSe多晶粉末的制备同样适用，适合于规模化工业生产
一种制备 li fe ohfese 超导材料方法

[实用新型]一种用于制备氮化物半导体外延材料的蓝宝石基复合衬底-CN201020168781.2无效
发明人：施建江;杨少延;刘祥林 -专利权人：杭州海鲸光电科技有限公司;施建江
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种用于制备氮化物半导体外延材料的蓝宝石基复合衬底，其特征在于，包含：一蓝宝石单晶基底；一复合应力协变层，覆盖在所述蓝宝石单晶基底上，由多层氮化铝单晶薄膜材料和多层氮化钛单晶薄膜材料交替堆叠构成；一氮化镓模板层，生长在所述复合应力协变层上，由氮化镓单晶薄膜材料构成。
一种用于制备氮化物半导体外延材料蓝宝石复合衬底

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