“基单晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果629159个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]单晶镍基高温合金表面重熔层的化学去除方法-CN200910249719.8有效
发明人：陈晓彦;马凌霄;刘长刚 -专利权人：西安航空动力股份有限公司
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： C23G1/10 文献下载
摘要：本发明属于表面处理技术，涉及对单晶镍基高温合金表面重熔层去除方法的改进。去除的步骤如下：零件表面除油；配制重熔层去除溶液；去除重熔层；清洗零件。本发明不会使单晶镍基高温合金表面产生再结晶现象，保证了零件的性能不受影响；同时，提高了工作效率，降低了成本。
单晶镍基高温合金表面重熔层化学去除方法

[实用新型]一种滚轴式硅基精准微针-CN202021884589.3有效
发明人：刘莎;马维宁;王逸仙 -专利权人：灏曦（天津）生物技术有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种滚轴式硅基精准微针，其包括：滚轮，单晶硅微针芯片，以及滚轮支架，其中，所述的滚轮为类圆形，表面为多个平面。本实用新型取得的有益效果是：能够将多片平面的单晶硅微针芯片组合，并粘合于滚轮的表面上，制造出滚轴式硅基精准微针。
一种滚轴式硅基精准

[发明专利]包括接合到超级合金基底上的薄蒙皮的涡轮机部件-CN98810651.5无效
发明人：迈克尔·A·伯克;波拉·D·弗雷耶;默汉·A·赫巴尔;布里杰·B·塞思;加里·W·斯沃茨贝克;托马斯·瓦尔特·扎加尔 -专利权人：西门子西屋动力公司
申请日： 1998-10-27 - 公布日： 2001-01-17 - 主分类号： F01D5/18 文献下载
摘要：内部翼梁最好是包括一种铸造单晶镍基超级合金。薄的蒙皮可以包括一种单晶或多晶镍基超级合金。
包括接合超级合金基底蒙皮涡轮机部件

[发明专利]一种无晶种精细单晶金刚石微粉的制备方法-CN201410390626.8在审
发明人：张韬;孙方宏;张文骅;沈彬;郭睿;张志明;郭松寿 -专利权人：上海交通大学;上海交友钻石涂层有限公司;苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种无晶种精细金刚石单晶微粉的制备方法，包括以下步骤：采用基体自形核衬底预处理方法，在硅基衬底上使核体均匀独立分散；应用热丝化学气相沉积法对经过预处理后的硅基衬底进行沉积，包括金刚石形核及金刚石颗粒生长两阶段，获得晶形规则的金刚石单晶颗粒；采用化学腐蚀硅基衬底结合高速离心沉降颗粒工艺处理获得的所述金刚石单晶颗粒，以获得精细金刚石单晶微粉。
一种无晶种精细金刚石制备方法

[发明专利]一种用于镍基四代单晶高温合金低扩散率铂改性金属粘结层的制备方法-CN202010672625.8在审
发明人：鲍泽斌;徐苗苗;王硕;刘贺;董志宏;朱圣龙 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C25D5/12 文献下载
摘要：本发明涉及单晶高温合金领域，具体为一种用于镍基四代单晶高温合金低扩散率铂改性金属粘结层的制备方法。该方法的工艺流程为：对镍基四代单晶高温合金进行表面处理；利用电镀工艺获得Ni‑Re镀层；利用电镀工艺获得Pt镀层；得到复合镀层后在真空中扩散退火；利用包埋或CVD化学气相沉积法渗铝，获得单相Pt改性金属粘结层本发明在以镍基四代单晶为基体的Pt改性铝化物涂层的基础上，增加了减缓Pt改性铝化物涂层与基体之间互扩散的含Re扩散障，有效抑制高温氧化过程中基体和Pt改性铝化物涂层之间元素的下坡扩散，特别是Al向基体的扩散
一种用于镍基四代单晶高温合金扩散改性金属粘结制备方法

[发明专利]一种铜基导电复合材料及其制备方法-CN202310591034.1在审
发明人：洪涛;徐文明;潘翔;李成宇;程继贵 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜基导电复合材料及其制备方法，所述复合材料为织构铜‑石墨烯复合材料与单晶铜‑石墨烯复合材料的复合结构。所述制备方法包括以下步骤：(1)将一定层数的织构铜‑石墨烯复合材料与一定层数的单晶铜‑石墨烯复合材料进行叠放，形成织构铜/石墨烯‑单晶铜/石墨烯的复合结构，其中，织构铜‑石墨烯复合材料与单晶铜‑石墨烯复合材料形状、厚度相同；(2)将步骤(1)中所述的复合结构叠一定层数置于热等静压装置中，将装置置于无氧环境中，随后将温度升至800℃，在一定压力下保温一段时间，即可到的所述铜基导电复合材料。本发明制备的铜基导电复合材料同时具有高强度和高电导性能。
一种导电复合材料及其制备方法

[发明专利]一种镍基单晶高温合金中减小缩孔量的改性方法-CN200910049528.7无效
发明人：孔永华;李龙 -专利权人：东华大学
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种镍基单晶高温合金中减小缩孔量的改性方法，包括：镍基单晶高温合金A，其成分包括有：5.5～6.5wt％的Al，2.5～3.5wt％的W，3～3.5wt％的Re，2.5～3.5wt％的Mo，4.5本发明在镍基单晶高温合金A中添加微量元素，使合金内部缩孔量减小了40％，而缩孔量的减小提高了单晶合金第三阶段的高温抗蠕变性能。
一种镍基单晶高温合金减小缩孔改性方法

[发明专利]一种镍基单晶高温合金中减小TCP相析出倾向的方法-CN200910049531.9无效
发明人：孔永华 -专利权人：东华大学
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种镍基单晶高温合金中减小TCP相析出倾向的方法，包括：镍基单晶高温合金A，其成分包括有：5.5～6.5wt％的Al，1.5～2.5wt％的W，2.5～3.5wt％的Re，2.5～3.5wt％在合金A中加入微量元素碳、硼后，得到镍基单晶高温改性合金Mod A₁和Mod A₂，改性后的合金在高温服役时TCP相的析出被大大抑制了。微量碳、硼元素加入到单晶高温合金A中有效地降低了TCP相的析出倾向，改性合金Mod A₁和Mod A₂可使用于高性能长寿命航空发动机涡轮叶片材料。
一种镍基单晶高温合金减小 tcp 析出倾向方法

[发明专利]研磨剂组合物-CN202110320824.7在审
发明人：川原彰裕;内藤健治 -专利权人：山口精研工业株式会社
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供研磨剂组合物，其在氧化物单晶材料基板的研磨中，能够抑制研磨时的载体鸣音，并且实现研磨后的研磨表面的平坦性的提高和研磨速度的提高。一种研磨剂组合物，其用于对钽酸锂单晶材料或铌酸锂单晶材料进行研磨加工，上述研磨剂组合物含有二氧化硅颗粒、水溶性高分子化合物和水，水溶性高分子化合物为至少将具有羧酸基的单体和具有磺酸基的单体作为必要单体的共聚物，源自具有羧酸基的单体的结构单元与源自具有磺酸基的单体的单元的摩尔比为95：5～5：95的范围，水溶性高分子化合物的重均分子量为1000～5000000。
研磨剂组合

[发明专利]一种单层单晶石墨烯的制备方法-CN201711147438.2有效
发明人：孙海斌;高延利;付灿;王其尚;许军旗;马竞瑶;申雨健 -专利权人：信阳师范学院
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种单层单晶石墨烯的制备方法，包括以下步骤：将装有铜基催化剂的半封闭石英试管放入管式炉中，装有固体碳源的称量瓶放入管式炉靠近进气口的一端，通入惰性气体；持续通入惰性气体，将铜基催化剂加热升温至600℃～800℃，然后恒温保持30～120min；停止通入惰性气体，开始通入还原性气体，将铜基催化剂加热升温至1000℃～1050℃，然后恒温保持60～120min，迅速降温，即可在铜基催化剂表面得到单层单晶石墨烯本发明操作方便，简单易行，安全可靠，成本较低，可控性强，用于高端电子器件和集成电路，为实现单层单晶石墨烯的产业化道路提供了一种技术支持。
一种单层晶石制备方法

[发明专利]太阳电池单晶硅基绒面生成工艺-CN202010997821.2在审
发明人：韩超 -专利权人：江苏润阳新能源科技有限公司
申请日： 2018-09-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池制造工艺，公开一种太阳电池单晶硅基绒面生成工艺，该工艺采用以下步骤：首先，单晶硅太阳电池片在生成绒面之前，使用氢氧化钾溶液，去除硅基表面切割损伤层，使硅基表面平整；其次，使用氢氧化钾与双氧水混合溶液，在光滑平整的该硅基上形成二氧化硅氧化层；最后，使用氢氧化钾、山梨酸钾、乙酸钠、消泡剂、表面活性剂混合溶液，在形成氧化层的该硅基上生成致密、均匀的绒面结构。
太阳电池单晶硅基绒面生成工艺

[发明专利]太阳电池单晶硅基绒面生成工艺-CN201811077767.9有效
发明人：韩超 -专利权人：苏州润阳光伏科技有限公司
申请日： 2018-09-16 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池制造工艺，公开一种太阳电池单晶硅基绒面生成工艺，该工艺采用以下步骤：首先，单晶硅太阳电池片在生成绒面之前，使用氢氧化钾溶液，去除硅基表面切割损伤层，使硅基表面平整；其次，使用氢氧化钾与双氧水混合溶液，在光滑平整的该硅基上形成二氧化硅氧化层；最后，使用氢氧化钾、山梨酸钾、乙酸钠、消泡剂、表面活性剂混合溶液，在形成氧化层的该硅基上生成致密、均匀的绒面结构。
太阳电池单晶硅基绒面生成工艺

[发明专利]用于外延生长大尺寸单晶金刚石的复合衬底的制备方法-CN202111149654.7在审
发明人：周兵;马永;于盛旺;王永胜;郑可;吴艳霞;黑鸿君;高洁 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于外延生长大尺寸单晶金刚石的复合衬底的制备方法，首先将抛光的氧化钇稳定氧化锆（YSZ）单晶晶片表面用金刚石微粉超声预处理，清洗后固定在真空镀膜室的旋转样品台上；将镀膜室抽至本底真空后通入惰性气体或氮气，对YSZ晶片表面进行离子刻蚀清洗；真空加热YSZ单晶晶片，在其表面以不同沉积速率依次外延生长铱单晶薄膜，得到YSZ基铱单晶薄膜复合衬底，为外延生长高质量的大尺寸单晶金刚石提供技术基础。该方法直接利用高质量单晶晶片衬底得到晶体取向一致的铱单晶薄膜，避免了硅基片表面氧化物缓冲层外延生长，降低了铱单晶薄膜衬底的生长缺陷，对于外延生长大尺寸单晶金刚石具有重要意义。
用于外延生长尺寸金刚石复合衬底制备方法

[发明专利]一种基于光固化技术单晶双层壁空心涡轮叶片的制备方法-CN202010051641.5有效
发明人：梁静静;安晓龙;李金国;周亦胄;孙晓峰 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： B22C9/22 文献下载
摘要：本发明涉及精密铸造领域，具体为一种基于光固化技术单晶双层壁空心涡轮叶片的制备方法。第一步配制高固相含量、高打印性能、同时流动沉降性能更稳定优异的硅基陶瓷型芯浆料；第二步根据需要获得的单晶空心双层壁发动机叶片得到复杂双层壁硅基陶瓷型芯的三维模型，将型芯三维模型进行切片处理并进行光固化3D打印路径编程；第三步将型芯的STL文件导入光固化3D打印机中，并结合第一步配制好的硅基陶瓷型芯浆料进行逐层打印，获得光固化双层壁型芯素坯；第四步将型芯素坯进行干燥、烧结工艺，获得光固化3D打印的复杂双层壁硅基陶瓷型芯；第五步利用陶瓷型芯进行贴蜡模处理并制作浇注铸型；第六步在单晶炉中进行单晶浇注获得双层壁空心涡轮叶片。
一种基于光固化技术双层空心涡轮叶片制备方法

[发明专利]一种高速硅基光探测器-CN201310179786.3有效
发明人：李冰 -专利权人：李冰
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SiGe HBT(锗硅异质结双极性晶体管)的硅基光探测器。在一个实施例中，硅基光探测器包括一个埋入N型掺杂(NBL)与一个位于其上的近本征掺杂的P型区(Collector区)，以及一个位于Collector区上的SiGe单晶层(基区)。所述SiGe单晶层为P掺杂。在另一个实施例中，在所述P型SiGe单晶层上方生长N型掺杂的多晶硅，类似于HBT中的发射极(emitter)。在其它实施例中，所述emitter层，由在P型SiGe单晶区上继续生长的N型SiGe单晶构成。
一种高速硅基光探测器