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[发明专利]一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶生长方法-CN201910732718.2在审
发明人：韩晓东;马林;严铮洸 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明提供一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶快速生长方法，通过调控原料卤素的比例调控钙钛矿材料的禁带宽度。通过合成得到卤素混合的钙钛矿粉末并溶解到有机溶剂中，通过添加聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇或聚丙烯酸，低温加热生长出禁带宽度可调的卤素混合钙钛矿单晶。合成的碘/溴和溴/氯任意比例混合的铅基甲胺钙钛矿单晶大尺寸、形状规则、结晶性好。本发明可以任意调控铅基甲胺卤素钙钛矿单价，从1.51‑2.94eV禁带宽度任意调控。实验装置简单成本低，工艺简单可靠，所得单晶结晶性好。拓宽了钙钛矿单晶材料的种类。为在光电探测器和发光器件领域，寻找更优异性能的钙钛矿材料提供了新的材料基础。
钙钛矿禁带单晶钙钛矿材料宽度可调甲胺铅基调控合成发光器件领域任意比例混合钙钛矿粉末光电探测器比例调控材料基础单晶材料单晶结晶低温加热简单成本聚丙二醇聚丙烯酸聚乙二醇聚乙烯醇快速生长实验装置形状规则优异性能有机溶剂结晶性单价溶解生长

[发明专利]基于同轴送粉激光增材制造制备镍基单晶高温合金的方法-CN202210511045.X有效
发明人：刘奋成;高健;刘丰刚;黄春平;郑海忠;胡晓安 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于同轴送粉激光增材制造制备镍基单晶高温合金的方法，具体包括：在锻态或铸态镍基高温合金基板上进行同轴送粉激光增材制造并且加入辅助红外光源加热，成形具有一定尺寸的试样；以具有定向凝固组织特征的增材部分侧面为基板进行第二次激光增材制造，获得晶体取向基本一致的增材成形试样，重复第二步直至得到单晶组织；将除最后一次增材成形以外部分切除，剩余部分则是晶体取向完全一致的单晶高温合金。本发明的有益效果是：提供的单晶制备方法利用激光增材制造定向散热和定向生长特点实现晶体取向由随机到定向再到单晶的过渡，较选晶法、籽晶法等技术具有效率高的特点。
基于同轴激光制造制备镍基单晶高温合金方法

[发明专利]一种高承温能力的镍基单晶高温合金及其制备方法-CN202010792537.1有效
发明人：赵新宝;张泽;谷月峰;岳全召;贝红斌;丁青青;岳亮;夏万顺;魏晓;曹高劭 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-08-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种高承温能力的镍基单晶高温合金，按质量百分数计，该合金的化学成分组成包括：铬2.5wt.％～4.5wt.％，钴4.5wt.％～6.9wt.％，钨5wt.％～7wt.本发明还公开了一种高承温能力的镍基单晶高温合金的制备方法。本发明通过协同调控关键元素添加和后续制备处理，基于优化微观结构开发了一种高承温能力的镍基单晶高温合金，其承温能力超过典型的第三代单晶高温合金水平，其高温持久性能优于报道的部分第四代单晶高温合金。
一种高承温能力镍基单晶高温合金及其制备方法

[发明专利]半导体多层结构及半导体元件-CN201510089789.7在审
发明人：佐藤慎九郎 -专利权人：株式会社田村制作所;株式会社光波
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种半导体多层结构包括：β-Ga₂O₃基单晶基板，其主面的位错密度不超过1×10³/cm²；以及氮化物半导体层，其包括外延生长在所述β-Ga₂O₃基单晶基板上的Al_xGa_yIn_zN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y
半导体多层结构元件

[发明专利]一种镍基单晶高温合金及其制备方法-CN202011014520.X在审
发明人：王新广;谭子昊;周亦胄;杨彦红;李金国;孙晓峰 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本申请提供一种镍基单晶高温合金及其制备方法，包括如下重量百分比的组分：Cr2～5.5％；Co5～9.5％；Mo1～4.5％；W6～10％；Al4.5～6.8％；Ta4～10％；Re1～3.2％；Hf0～根据本申请的镍基单晶高温合金，高性能、低密度、超低成本且组织稳定。
一种镍基单晶高温合金及其制备方法

[发明专利]一种低成本、低密度镍基单晶高温合金-CN201110088066.7有效
发明人：张健;王莉;楼琅洪 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：一种低成本、低密度镍基单晶高温合金，其组成成份构成和各成份的质量含量满足下述要求：Cr：2.5～4.5%，Co：7.0～11.0%，Mo：0.5～2.3%，W：5.0～7.5%，Ta：7.0～10.0%本发明与现有的其他镍基单晶高温合金相比具有优异的持久性能和拉伸性能；成本明显降低。
一种低成本密度镍基单晶高温合金

[发明专利]一种低铼抗热腐蚀长寿命高强度第二代镍基单晶高温合金及其热处理工艺-CN201710463755.9在审
发明人：姜祥伟;楼琅洪;王栋;常剑秀;董加胜 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种低铼抗热腐蚀长寿命高强度第二代镍基单晶高温合金及其热处理工艺，属于抗热腐蚀镍基单晶高温合金技术领域。该合金具备与典型第二代高强单晶合金相当的高温力学性能，并且具有良好的抗热腐蚀性能和长期组织稳定性。
镍基单晶高温合金热处理工艺长寿命腐蚀高温力学性能抗热腐蚀性能单晶合金合金化学合金

[发明专利]一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法-CN202311117696.1在审
发明人：王爱伟;于颖;曹丙强 -专利权人：济南大学;核芯光电科技（山东）有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法，所述硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器包括依次连接的上电极、钙钛矿层、单晶硅衬底和下电极；所述钙钛矿层通过脉冲激光沉积方法沉积在所述单晶硅衬底表面并形成异质PN结；本发明通过脉冲激光沉积技术在单晶硅衬底上形成钙钛矿层，能够实现结晶度高、晶格匹配、缺陷少的钙钛矿外延薄膜的大规模制备，进而得到很好晶体结构的的硅/钙钛矿异质结。
一种外延钙钛矿异质 pn 光电探测器制备方法

[发明专利]在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法-CN202210358854.1在审
发明人：吴燕庆;王欣;史新航 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法。该方法是利用熔融盐与钨源反应生成更低熔点更高蒸气压的中间产物，使得硅基底上的氧化硅或高介电常数绝缘层上更易基于化学气相沉积的原理生长二硒化钨单晶，同时通过改变衬底放置方式实现二硒化钨的大面积生长。本发明方法能够有效控制大面积多层二硒化钨单晶的生长，得到硅基兼容的高迁移率的空穴导电二维材料，且操作简单，无需转移，材料质量更高。
绝缘生长大面积性能空穴导电二硒化钨单晶方法

[发明专利]一种无铼低密度高性能镍基单晶高温合金及其热处理工艺-CN201410231844.7有效
发明人：张少华;王莉;张功;谢光;张健;楼琅洪 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铼低密度高性能镍基单晶高温合金及其热处理工艺，属于镍基单晶高温合金领域。％Re的第二代单晶高温合金CMSX‑4相当，不含贵重元素Re，合金成本降低70％以上，合金密度降低3％左右。
镍基单晶高温合金热处理工艺合金单晶高温合金抗氧化性能低周疲劳贵重元素合金成本合金化学密度降低

[发明专利]一种SnSe2-CN201910758398.8有效
发明人：杜保立;刘明;汪舰;张晶晶;胡保付;徐坚;刘丙国 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种SnSe2基单晶材料，Sn、Se两个组成元素化学计量比偏离1：2，化学组成为SnSe2+x，其中x为0.1本发明用Se作助溶剂，可以抑制液相冷却时发生共晶反应生成SnSe杂质，从而得到纯相的SnSe2+x单晶材料，具有大量本征缺陷，即Se间隙原子和SeSn反位缺陷，可用来研究SnSe2基单晶材料的本征性能；同时，晶体生长周期短，仪器成本低，成功率高。
一种 snse base sub

[发明专利]SiC单晶锭-CN201680056842.6在审
发明人：中林正史 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种基面位错和穿透螺旋位错的位错密度低，晶体品质优异，而且弹性应变小的SiC单晶锭。本发明的SiC单晶锭，其特征在于，至少从相对于锭的高度方向的相对位置为0.2～0.8的范围内任意切取SiC单晶基板时，在该基板表面观察到的基面位错密度与穿透螺旋位错密度分别为预定值以下，并且，在该基板的中心部测定出的拉曼位移值
单晶锭基面位错螺旋位错穿透单晶基板弹性应变基板表面晶体品质中心部周边部基板切取位错观察

[发明专利]一种磁场可控的硅基非易失性阻变器件及制备方法-CN201410042167.4有效
发明人：章晓中;王集敏;朴红光;罗昭初;熊成悦 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了属于磁场控制和存储器制作技术领域的一种磁场可控的硅基非易失性阻变器件的结构及制备方法。该磁场可控的硅基非易失性阻变器件在矩形单晶硅基片表面上设置2块MgO区域，并于MgO上依次沉积相同面积大小的金属电极。其制备方法为：将矩形单晶硅基片裁剪成矩形，并依次用丙酮、酒精和去离子水漂洗干净，然后在矩形单晶硅基片的表面沉积2个区域的MgO，并于MgO上沉积金属电极，即可得到磁场可控的硅基非易失性阻变器件。所得到的硅基器件具有显著的非易失性阻变特性，且可受磁场调控而表现或不表现出阻变特性，并同时具有磁阻特性。本发明的硅基非易失性阻变器件的结构简单，原材料价格适中，制备工艺简单，且环境友好。
一种磁场可控硅基非易失性阻变器件制备方法

[发明专利]1,4-二(4-(1H-1,2,4-三唑-1-基)苯基)哌嗪锌配合物单晶及应用-CN201610001130.6在审
发明人：王英 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C07F3/04 文献下载
摘要：本发明公开了1,4-二(4-(1H-1,2,4-三唑-1-基)苯基)哌嗪锌配合物单晶及应用，其结构：[Zn(H₂O)₄(L)(tpa)₂]，其中，L = 1,4-二(4-(1H-1,2,4-三唑-1-基)苯基)哌嗪；tpa = 对苯二甲酸。同时还公开了单晶的制备方法。它是采用常温挥发法，即L、tpa和Zn(NO₃)₂·6H₂O在水中搅拌半小时后过滤，滤液常温挥发两周后得到适合X-射线单晶衍射的无色块状晶体本发明进一步公开了1,4-二(4-(1H-1,2,4-三唑-1-基)苯基)哌嗪锌配合物单晶作为潜在荧光材料在检测染料或发光剂的吸附量方面的应用。
苯基哌嗪锌配合物单晶应用

[发明专利]一种硅基径向纳米线太阳能电池及其制备方法-CN201810775606.0在审
发明人：况亚伟;马玉龙;张静;王书昶;倪志春;魏青竹;潘启勇;张德宝;刘玉申;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L31/077 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基径向纳米线太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型纳米线周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属薄膜，n型纳米线周期阵列结构表面依次设置硫化钼薄膜和p型非晶硅薄膜，p型非晶硅薄表面和n型单晶硅衬底的由n型纳米线周期阵列结构裸露的第一面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜和金属薄膜引出导电电极对外供电。本发明还公开了一种硅基径向纳米线太阳能电池的制备方法。本发明利用利用硫化钼薄膜作为本征层对n型纳米线周期阵列的纳米线表面缺陷进行修饰，在降低界面复合的同时提高对宽光谱太阳能波段的吸收，从而提高硅基径向纳米线太阳能电池的光电转换效率。
纳米线太阳能电池衬底硅基周期阵列结构透明导电薄膜金属薄膜硫化钼制备薄膜光电转换效率纳米线表面导电电极界面复合依次设置周期阵列本征层第二面宽光谱波段修饰太阳能裸露供电吸收