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[发明专利]一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法-CN201410063659.1在审
发明人：贺龙飞;陈志涛;刘宁炀;赵维;张志清;张康;王巧;张娜;范广涵 -专利权人：广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院)
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种具有极化隧道结的氮化镓GaN基LED外延片及其制备方法。该GaN基LED外延片由衬底、低温缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层、高掺杂p型氮化镓层和高掺杂n型氮化镓层组成，其特征在于在高掺杂p型氮化镓层和高掺杂n型氮化镓层之间有一非掺杂的铟铝氮层高掺杂p型氮化镓层、非掺杂的铟铝氮层和高掺杂n型氮化镓层共同组成一个极化隧道结，取代了外延片p型氮化镓层上面的电流扩展层。
一种具有极化隧道 gan led 外延及其制备方法

[发明专利]半导体发光器件及其制备方法-CN201810012609.9在审
发明人：李丹丹 -专利权人：李丹丹
申请日： 2018-01-06 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件及其制备方法，包括通过金属有机化学气相沉积工艺依次沉积在衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、第一有源层、第一P型氮化镓层、第二有源层、第二P型氮化镓层。通过在第一有源层上依次设置第一P型氮化镓层、第二有源层、第二P型氮化镓层，N型氮化镓层产生的电子在跃迁过程中，先在第一有源层中与第一P型氮化镓层产生的空穴复合发光，跃迁过第一P型氮化镓层中那部分在第二有源层中与第二P型氮化镓层产生的空穴复合发光，在氮化镓基发光二极管中形成前、后两个有源层，可以的对溢出第一P型氮化镓层中的电子进行充分利用，形成前后两个光源，提高发光效率。
源层半导体发光器件空穴复合跃迁制备发光金属有机化学气相沉积氮化镓基发光二极管非掺杂氮化镓层发光效率依次设置缓冲层沉积衬底光源溢出

[发明专利]氮化镓发光二极管的快速热退火-CN201210300599.1有效
发明人：王耘;A·M·霍利鲁克 -专利权人：超科技公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：氮化镓发光二极管的快速热退火。本发明公开一种在形成氮化镓(GaN)发光二极管(LED)时所执行的快速热退火的方法，以及使用所述快速热退火方法所形成的氮化镓发光二极管。一种例示性方法包含形成氮化镓多层结构，其具有n型氮化镓层与p型氮化镓层，且所述n型氮化镓层与p型氮化镓层之间夹入激活层。该方法还包含使用激光器或闪光灯对p型氮化镓层执行快速热退火。该方法还包含在氮化镓多层结构上形成透明导电层，且将p型接触添加至透明导电层上及将n型接触添加至n型氮化镓层上。所得氮化镓发光二极管具有增强的输出功率、更低的接通电压及减低的串联电阻。
氮化发光二极管快速退火

[发明专利]氮化物半导体装置及其制作方法-CN200610142861.9无效
发明人：引田正洋;柳原学;上田哲三;上本康裕;田中毅 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种能够获得充足电流密度的常非导通型氮化物半导体装置。在衬底(601)上依次形成氮化铝缓冲层(602)、非掺杂的氮化镓层(603)、非掺杂的氮化镓铝层(604)、第一p型氮化镓铝层(605)、第二p型氮化镓铝层(607)、高浓度p型氮化镓层(608)，且栅极电极(611)和高浓度p型氮化镓层进行欧姆接触。在非掺杂的氮化镓铝层上设有源极电极(609)及漏极电极(610)。在栅极区域形成了由非掺杂的氮化镓铝层和非掺杂的氮化镓层之间的界面上产生的2维电子气和第一p型氮化镓铝层及第二p型氮化镓铝层生成的pn结。还有，第二p型氮化镓铝层将氮化硅膜(606)的一部分覆盖住。
氮化物半导体装置及其制作方法

[实用新型]一种柔性LED灯条-CN201620079195.8有效
发明人：刘诚;胡锦程;王福青 -专利权人：东莞市优森电子有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柔性LED灯条，其特征在于：包括有柔性电路板和设置在柔性电路板上的多个LED贴片；多个所述LED贴片相互并联；所述LED贴片包括有封装部和设置在封装部内用于发光的外延片；所述外延片从上至下依次设有p型氮化镓基层、p型铝镓氮层、多量子阱层、n型氮化镓基层、非掺杂氮化镓层、氮化镓基缓冲层和Si衬底层；所述p型氮化镓基层连接有第一电极；所述n型氮化镓基层连接有第二电极；通过采用柔性的电路板，能够使得LED灯条具有极好的柔韧性；通过在外延片依次设置p型氮化镓基层、p型铝镓氮层、多量子阱层、n型氮化镓基层、非掺杂氮化镓层、氮化镓基缓冲层和Si衬底层能够防止外延片形成SixNy层。
一种柔性 led

[发明专利]一种P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管-CN202211266942.5在审
发明人：刘杰;李孟泽;黄汇钦 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请适用于晶体管技术领域，提供了一种P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管。P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层及钝化层；钝化层中设置有与铝镓氮势垒层相接触的源极、漏极及P型栅结构；其中，P型栅结构包括栅极和N个互不接触的P型氮化镓结构；栅极设置在钝化层中远离铝镓氮势垒层的一侧，N个P型氮化镓结构沿钝化层与铝镓氮势垒层的接触面依次排列，且N个P型氮化镓结构均嵌入在栅极中，不同的P型氮化镓结构的掺杂浓度均不相同。本方案不仅可以提高P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管的阈值电压，而且不会导致P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管的开关速度降低以及开关损耗增大。
一种氮化电子迁移率晶体管

[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管-CN202310286156.X在审
发明人：沈涛 -专利权人：天津万汇亿创科技有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：该方法包括：利用高温热氧化工艺对当前N+型氧化镓晶锭进行氧化处理，得到形成在当前N+型氧化镓晶锭上表面的N‑型氧化镓漂移层；在N‑型氧化镓漂移层的上表面制备阳极电极；对当前N+型氧化镓晶锭进行裁切，得到预设厚度的N+型氧化镓衬底和第一N+型氧化镓晶锭；在N+型氧化镓衬底的下表面制备阴极电极；将第一N+型氧化镓晶锭作为当前N+型氧化镓晶锭，跳转到“利用高温热氧化工艺对当前N+型氧化镓晶锭进行氧化处理”，直至当前N+型氧化镓晶锭的厚度小于预设厚度，得到多个肖特基二极管。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管-CN202310286583.8在审
发明人：吕元杰;王元刚;刘宏宇;秦哲;李保弟;孙保瑞;周国;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：该方法包括：利用高温热氧化工艺对目标N+型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在目标N+型氧化镓衬底上表面的第一N‑型氧化镓漂移层，以及在目标N+型氧化镓衬底下表面的第二N‑型氧化镓漂移层；在第一N‑型氧化镓漂移层的上表面和第二N‑型氧化镓漂移层的下表面制备阳极电极；对目标N+型氧化镓衬底进行裁切，得到第一N+型氧化镓衬底和第二N+型氧化镓衬底；在第一N+型氧化镓衬底的下表面和第二N+型氧化镓衬底的上表面制备阴极电极，得到两个肖特基二极管。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]氮化镓肖特基二极管及其制作方法-CN201710073039.X有效
发明人：张葶葶;朱廷刚;李亦衡;王东盛;苗操;魏鸿源;严文胜 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓肖特基二极管，包括衬底、N+氮化镓层、N‑氮化镓层台面、蚀刻有凹槽的P型氮化镓层，P型氮化镓层上形成有作为阳极的肖特基金属层，N+氮化镓层上形成有作为阴极的欧姆金属层。其制作方法包括在衬底上表面依次生长N+氮化镓层、N‑氮化镓层、P型氮化镓层；形成具有P型氮化镓层和N‑氮化镓层的台面，部分蚀刻每个台面上的P型氮化镓层形成一系列凹槽；P型氮化镓层上沉淀肖特基金属层作为阳极，N+氮化镓层上沉淀欧姆金属层作为阴极。
氮化镓肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法-CN201110136088.6无效
发明人：李志聪;姚然;王兵;梁萌;李璟;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基LED的外延粗化方法的流程图，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化铝镓铟成核层；在该氮化铝镓铟成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层，该层为单层或者不同组分与厚度的氮化铝镓铟叠层结构；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层利用本发明，实现了P型掺杂的氮化铝镓铟层生长时的表面粗化，制备出的LED效率相对与传统结构提高了30％以上，且其电学性质优良。
一种氮化发光二极管外延方法

[实用新型]薄膜石英舟-CN201220135210.8有效
发明人：宋伟宏;计斌;陆建国;沈根法 -专利权人：湖州奥博石英科技有限公司
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于承载薄膜太阳能电池生产的石英舟，属于石英制品技术领域。薄膜石英舟，包括舟首、舟身和舟尾，所述的舟首和舟尾均由碳化硅的U型片、碳化硅的插槽片和石英的插接片构成，以所述U型片为连接载体，所述U型片上水平地固定连接有所述插槽片，所述插槽片上垂直地插接有所述插接片；所述舟身由石英的侧板和碳化硅的底板构成，所述底板两端均与所述U型片固定连接。本实用新型采用碳化硅的材料做石英舟的框架结构。并且巧妙地设计了框架与各种石英板材之间的连接关系。使本实用新型兼具耐高温和牢度高的优良性能，并且由于材质中不含金属元素，不会对薄膜太阳能电池产生污染。
薄膜石英

[实用新型]一种蒸发舟夹紧装置-CN202021391053.8有效
发明人：董晓磊;刘红广 -专利权人：合肥酷飞新材料科技有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蒸发舟夹紧装置，包括底板以及开设在底板上的条形通槽，所述底板的上方设有蒸发舟，且蒸发舟的左右两侧均设有安装端，所述底板的上方设有两个L型导电座，所述通槽内设有用于调节两个蒸发舟间距的移动调节组件，且蒸发舟的安装端位于L型导电座上，所述L型导电座的侧面设有用于对安装端抵压固定的压块。本实用新型通过上述等结构的配合，实现了能够进行调节两个L型导电座之间的距离，便于对不同尺寸长度的蒸发舟进行夹持固定，同时能够简单快速的实现对蒸发舟的夹持固定，操作简单方便，且无需用工具安装某些结构，通过安装的这些结构来实现对蒸发舟的夹持固定，节省了操作时间，给安装和拆卸蒸发舟提供了方便。
一种蒸发夹紧装置

[发明专利]发光二极管-CN99119153.6有效
发明人：周铭俊;刘家呈;章绢明;曾建峰;洪文庆 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 1999-09-20 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管，其晶粒包含一长方形绝缘衬底，在绝缘衬底上依次形成氮化镓长晶层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓接触层、n型氮化铝镓束缚层、氮化铟镓多重量子井发光层、P型氮化铝镓束缚层、P型氮化镓接触层、氧化铟锡透明导电层，其中一部分以蚀刻方式除去，以露出部分P型氮化镓接触层，形成一P型Ti/Al前电极，前电极与透明导电层接触；发光二极管蚀刻至n型氮化镓接触层，在该层形成一n型Ti/Al后电极，两电极并排在长方形晶粒表面的纵向
发光二极管

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201110104692.0无效
发明人：洪梓健;杨顺贵;沈佳辉 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括基板、第一n型氮化镓层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层以及电极层。第一n型氮化镓层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层以及电极层依次形成在基板的表面。第二n型氮化镓层底面包括形成在边缘处的裸露的粗化表面，且所述粗化表面为反向极化氮化镓结构。由于在第二n型氮化镓层上形成粗化表面，提高了发光二极管的光萃取效率。本发明还提供了一种发光二极管的制造方法。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种具有金刚石钝化层的氮化镓基二极管器件的制备方法-CN202111149330.3在审
发明人：周兵;于盛旺;黑鸿君;高洁;吴艳霞;马永;王永胜;郑可 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有金刚石钝化层的氮化镓基二极管器件的制备方法，包括以下步骤：首先将非掺杂本征氮化镓晶片与金刚石衬底结合，并在本征氮化镓晶片正面依次外延生长n型氮化镓层和过渡介质层；然后对过渡介质层进行处理形成图形化的n型氮化镓层凹形台面；接着在露出的n型氮化镓层表面依次外延生长本征氮化镓层或量子阱层结构、p型氮化镓层、介质保护层和金刚石钝化层；最后通过光刻、显影、刻蚀、薄膜沉积等工艺在p型氮化镓层和n型氮化镓层上形成p型和n型金属电极，从而得到具有金刚石衬底和钝化层的氮化镓基二极管。所得产品满足氮化镓基高频高功率器件的高散热需求，同时降低了氮化镓基探测器器件的表面漏电流和抗辐射性。
一种具有金刚石钝化氮化二极管器件制备方法

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