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[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法-CN201280031197.4有效
发明人：大来英之;上本康裕;引田正洋;竹田秀则;佐藤高广;西尾明彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：具备基板、形成在基板之上的第1氮化物半导体层（1）、层叠在第1氮化物半导体层（1）之上、比该第1氮化物半导体层（1）带隙大、开设有底部达到第1氮化物半导体层（1）而贯通的凹槽部的第2氮化物半导体层（2）、将凹槽部（11）的内壁和第2氮化物半导体层（2）覆盖而层叠、比第1氮化物半导体层（1）带隙大的第3氮化物半导体层（12）、在凹槽部（11）的上层形成在第3氮化物半导体层（12）上的栅极电极（5）、和分别形成在栅极电极（5）的两侧方的第1欧姆电极（4a）及第2欧姆电极（4b）。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201110275417.5无效
发明人： 引田正洋;柳原学 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种常截止型半导体装置，能够降低截止时的漏电流，适用于功率开关元件，具有：衬底(101)；在衬底(101)之上形成的无掺杂GaN层(103)；在无掺杂GaN层(103)之上形成的无掺杂AlGaN层(104)；在无掺杂(GaN)层103或无掺杂AlGaN层(104)之上形成的源极电极(107)以及漏极电极(108)；在无掺杂AlGaN层(104)之上形成的、在源极电极(107)和漏极电极(108)之间配置的p型GaN层(105)；在p型GaN层(105)之上形成的栅极电极(106)；无掺杂GaN层(103)具有包含沟道的有源区(113)和不包含沟道的非有源区(112)；p型GaN层(105)以围绕源极电极(107)的方式而配置。
半导体装置

[发明专利]晶体管安装体及其制造方法-CN200980157498.X无效
发明人：田中健一郎;上田哲三;松尾尚庆;引田正洋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：晶体管安装体的制造方法具备：形成晶体管(100)的步骤(a)；对形成基板(101)进行研磨的步骤(b)；和将对形成基板(101)进行了研磨后的晶体管(100)固定于保持基板(200)的步骤(c)。步骤(a)在形成基板(101)的主面上依次形成第1半导体层以及比该第1半导体层带隙大的第2半导体层。步骤(b)对形成基板(101)的与主面相反侧的面进行研磨。步骤(c)在将形成基板(101)的翘曲变小的方向的应力施加于形成基板(101)的状态下将晶体管(100)固定于保持基板(200)上。
晶体管安装及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200980156596.1无效
发明人： 引田正洋;田中健一郎;上田哲三 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在半导体装置的制造方法中，首先在基板(101)上依次外延生长第1氮化物半导体层(103)、第2氮化物半导体层(104)和p型第3半导体层(105)。然后，选择性地除去第3半导体层(105)。接着，在第2氮化物半导体层(104)上外延生长第4氮化物半导体层(106)。然后，在第3半导体层(105)上形成栅电极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN201080005230.7有效
发明人：梅田英和;引田正洋;上田哲三 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，具备在衬底上形成的第1半导体层(103、104)与第2半导体层(105)，第1半导体层具有含有非导电型杂质的作为元件分离区域而设置的含有区域、与不含有该非导电型杂质的非含有区域，所述第1半导体层是含有区域和所述非含有区域的界面中包含所述栅极电极下方的界面部分在内的该界面部分附近的区域，并且是比该界面部分靠近所述含有区域侧的区域，所述第2半导体层包含位于第1区域紧上方的第2区域，第2区域的所述非导电型杂质的浓度比所述第1区域的所述非导电型杂质的浓度低。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管以及其制造方法-CN200980148578.9无效
发明人： 引田正洋;石田秀俊;上田哲三 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种既能够使阈值电压上升又能够实现低导通电阻化的场效应晶体管以及其制造方法，本发明的场效应晶体管包括：未掺杂GaN层(103)；未掺杂AlGaN层(104)，被形成在未掺杂GaN层(103)上，且比未掺杂GaN层(103)的带隙能大；未掺杂GaN层(105)，被形成在未掺杂AlGaN层(104)上；未掺杂AlGaN层(106)，被形成在未掺杂GaN层(105)上，且比未掺杂GaN层(105)的带隙能大；p型GaN层(107)，被形成在未掺杂AlGaN层(106)的凹部内；栅电极(110)，被形成在p型GaN层上；源电极(108)以及漏电极(109)，被形成在栅电极(110)的两侧的区域；在未掺杂GaN层(103)以及未掺杂AlGaN层(104)的异质结界面形成有沟道。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管-CN200980146363.3无效
发明人：田中健一郎;上田哲三;松尾尚庆;引田正洋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制电流崩塌的场效应晶体管，作为场效应晶体管的HEMT(100)，包括：由第一氮化物半导体构成的第一半导体层(103)；以及由第二氮化物半导体构成的第二半导体层(104)，该第二半导体层被形成在第一半导体层(103)上，并且第二氮化物半导体的禁带宽度比第一氮化物半导体大，第一半导体层(103)具有，穿透位错密度在层叠方向增大的区域。
场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管-CN201110051597.9无效
发明人：井腰文智;桥诘真吾;引田正洋;山际优人;柳原学 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种场效应晶体管，其具备形成于基板(100)上并具有第1氮化物半导体层(122)和第2氮化物半导体层(123)的半导体层层叠体(102)。在半导体层层叠体(102)上，相互留有间隔地形成有源电极(131)和漏电极(132)。在源电极(131)与漏电极(132)之间，与源电极(131)和漏电极(132)留有间隔地形成有栅电极(133)。在漏电极(132)的附近形成有空穴注入部(141)。空穴注入部(141)具有p型的第3氮化物半导体层(142)和形成于第3氮化物半导体层(142)上的空穴注入电极(143)。漏电极(132)与空穴注入电极(142)的电位实质相等。由此，能够容易地实现抑制了电流崩塌的使用了氮化物半导体的场效应晶体管。
场效应晶体管

[发明专利]晶体管及其驱动方法-CN200680018786.3无效
发明人：上田大助;田中毅;上本康裕;上田哲三;柳原学;引田正洋;上野弘明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：在蓝宝石衬底(101)上，按顺序形成了氮化铝缓冲层(102)，不掺杂氮化钙层(103)，不掺杂氮化钙铝层(104)，p型控制层(105)，p型接线柱层(106)。还有，晶体管包括：与p型接线柱层(106)欧姆连接的栅电极(110)，设置在不掺杂氮化钙铝(AlGaN)层(104)的源电极(108)及漏电极(109)。通过向p型控制层(105)施加正电压，沟道内注入空穴，能够增加流过沟道的电流。
晶体管及其驱动方法

[发明专利]氮化物半导体装置及其制作方法-CN200610142861.9无效
发明人： 引田正洋;柳原学;上田哲三;上本康裕;田中毅 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种能够获得充足电流密度的常非导通型氮化物半导体装置。在衬底(601)上依次形成氮化铝缓冲层(602)、非掺杂的氮化镓层(603)、非掺杂的氮化镓铝层(604)、第一p型氮化镓铝层(605)、第二p型氮化镓铝层(607)、高浓度p型氮化镓层(608)，且栅极电极(611)和高浓度p型氮化镓层进行欧姆接触。在非掺杂的氮化镓铝层上设有源极电极(609)及漏极电极(610)。在栅极区域形成了由非掺杂的氮化镓铝层和非掺杂的氮化镓层之间的界面上产生的2维电子气和第一p型氮化镓铝层及第二p型氮化镓铝层生成的pn结。还有，第二p型氮化镓铝层将氮化硅膜(606)的一部分覆盖住。
氮化物半导体装置及其制作方法

[发明专利]晶体管-CN200610171710.6无效
发明人：柳原学;引田正洋;上田哲三;上本康裕;田中毅 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：提供一种能够实现最大电流的下降以及通态电阻的上升等电特性的恶化小的常关型的晶体管。晶体管包括：第一半导体层(13)，其形成在衬底(11)上；第二半导体层(14)，其形成在第一半导体层(13)上，与第一半导体层(13)相比带隙大；控制层(15)，其形成在第二半导体层(14)上，含有p型的杂质；栅电极(20)，其设置成与控制层(15)的一部分相接；和源电极(18)及漏电极(19)，其设置在控制层(15)的两侧方。在控制层(15)和第二半导体层(14)之间形成有第三半导体层(21)，其是由蚀刻率小于控制层(15)的材料制成的。
晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510080752.4有效
发明人： 引田正洋;上野弘明;广濑裕;柳原学;上本康裕;田中毅 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在本发明的构造中，第1源极电极(106)通过通孔(112)连接在导电性衬底(101)上，此外，还形成有第2源极电极(110)。由此，即便是在栅极电极(108)与漏极电极(107)之间施加高的反向电压，也可以效果良好地分散或缓和易于在栅极电极(108)中接近漏极电极(107)的一侧的端部产生的电场集中，故耐压增高。此外，由于作为形成元件形成层的衬底使用了导电性衬底，故在导电性衬底(101)上不需要设置贯穿到背面的通孔。因此，可以保持导电性衬底(101)所需要的强度不变地把第1源极电极(106)与背面电极(115)电连接起来。由此，实现耐压优良、强度高的由III－V族氮化物半导体构成的半导体器件。
半导体器件及其制造方法

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