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[发明专利]静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置-CN201510055458.1在审
发明人：井上胜之;寺阪麻理子;佐野浩二;奥野敏明;古村由幸 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：一种静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置，在使用了半导体基板的静电容量型压力传感器中进一步扩大动态范围。通过电介体层(33)覆盖P型或N型的半导体基板(32)的上面。在电介体层的上面形成凹槽(34)。在电介体层的上面层叠上基板(35)。上基板(35)中与凹槽(34)相对的区域为可变形的隔膜(36)，隔膜(36)的外周部分(37)固定于电介体层的上面。在半导体基板的表层部设置有由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的固定电极(42)。另外，在半导体基板的表层部，在上基板(35)的被固定的区域(外周部分37)的下方形成有由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的反极性层(46)。
静电容量压力传感器压力检测器输入装置

[实用新型]倒装LED芯片-CN202120117251.3有效
发明人：彭翔;金力;封波 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装LED芯片，包括：生长衬底；半导体多层结构，表面形成有发光区域和电极区域；电极区域表面设置有贯穿连接至n型半导体层的n电极；发光区域表面设置有：反射结构，包括介电反射层及金属反射层，介电反射层中包括填充有导电材料的第一通孔，且介电反射层中介电材料与导电材料的接触面之间、介电材料与金属反射层的接触面之间及介电反射层与半导体多层结构的接触面之间均设置有透明导电层；绝缘层，设置于反射结构表面及发光区域结构侧壁解决金属反射层、介电反射层及发光材料之间的粘附性问题的同时，解决介电材料接触区域电流无法流经的问题。
倒装 led 芯片

[发明专利]具有直埋P型区的延伸漏极NMOS晶体管-CN201810632850.1在审
发明人：迪米塔尔·米尔科夫·多切夫;阿诺德·贝内迪克特斯·范德瓦尔;马尔腾·雅各布斯·斯万内堡 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本文中描述一种由绝缘体上半导体(SOI)晶片形成的N型延伸漏极晶体管。所述晶体管具有直埋P型区，所述直埋P型区通过在所述晶体管的漂移区正下方的位置处将P型掺杂剂选择性注入于所述晶片的半导体层中来形成。所述直埋P型区与所述P阱区电气接触。所述N型漂移区、所述源极以及所述漏极同样位于由介电隔离包围的所述半导体层的一部分中。位于所述半导体层的所述部分下方的直埋介电层将所述半导体层的所述部分与位于所述直埋介电层下方的半导体衬底电隔离。
直埋半导体层晶体管漏极介电层晶片源极绝缘体上半导体漏极晶体管电气接触介电隔离电隔离漂移区位置处延伸衬底半导体包围

[发明专利]沟槽式功率半导体组件及其制造方法-CN201910333698.1在审
发明人：许修文 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：之后，形成层间介电层以及U型屏蔽层于沟槽内。层间介电层设置于上绝缘层与U型屏蔽层之间。之后，通过U型屏蔽层，去除位于沟槽上半部的一部分上绝缘层以及一部分层间介电层，以形成一极间介电层。
沟槽功率半导体组件及其制造方法

[发明专利]一种高介电常数X8R型钛酸钡基介电材料及其制备方法-CN202110915422.1在审
发明人：卢国锋 -专利权人：渭南师范学院
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数X8R型钛酸钡基介电材料及其制备方法，所述高介电常数X8R型钛酸钡基介电材料以100重量份的钛酸钡为主基料，添加1.1～2.4量份的共融物I，0.1～0.6重量份的共融物II；本发明中高介电常数X8R型钛酸钡基介电材料采用传统的固相法工艺进行制备，工艺简单，成本低，制备出来的介电材料具有介电常数高、工作温度范围大，介质损耗低的特点，具有较高的产业化前景和工业应用价值。
一种介电常数 x8r 钛酸钡基介电材料及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910004715.3有效
发明人：村越笃;矢桥胜典 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：接下来，通过使用硬掩模材料膜作为掩模在成像区中注入杂质，在凹陷的正下方形成p型区。并且，通过在处理区中进一步加工所述凹陷，形成沟槽。通过在所述凹陷和沟槽中掩埋介电材料以去除硬掩模材料膜，形成半掩埋介电膜和STI。接下来，形成分别覆叠半掩埋介电膜和STI的两个电极，并且使用一个电极和半掩埋介电膜作为掩模，在成像区中注入杂质，从而在半导体衬底中在与p型区接触的区域中形成构成光电二极管的n型区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]横向半导体器件及其制造方法-CN201310320064.5有效
发明人：马克·斯特拉塞;卡尔-海因茨·格布哈特;林肯·奥里亚因;拉尔夫·鲁道夫 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该半导体主体包括第一导电型的第一接触区、第二导电型的主体区、第一导电型的漂移区和具有比漂移区更高的最大掺杂浓度的第二接触区。该绝缘结构包括与漂移区形成第一水平界面的栅极介电部分且具有第一最大垂直延伸部分。场介电部分与漂移区形成被设置在主表面之下的第二和第三水平界面。场介电部分的第二最大垂直延伸部分大于第一最大垂直延伸部分。场介电部分的第三最大垂直延伸部分大于第二最大垂直延伸部分。
横向半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种低介电损耗型聚四氟乙烯微波板材及其制备方法-CN202011042992.6有效
发明人：姜琳;叶炜炜;田春 -专利权人：深圳市德诚旺科技有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C08L27/18 文献下载
摘要：本申请涉及高分子材料领域，具体公开了一种低介电损耗型聚四氟乙烯微波板材及其制备方法。低介电损耗型聚四氟乙烯微波板材包括下列重量份物质：35～40份聚四氟乙烯乳液、3～5份聚全氟乙丙烯乳液、3～5份增塑剂、10～15份改性溶胶液；所述改性溶胶液为二氧化钛溶胶液；本申请的聚四氟乙烯微波板材改善聚四氟乙烯微波板材的力学性能，降低其介电损耗。另外，本申请的一种低介电损耗型聚四氟乙烯微波板材的制备方法采用了球磨处理并加压成型的方案，不仅提高了微波板材的生产效率，还能提高聚四氟乙烯微波板材的力学强度。
一种低介电损耗聚四氟乙烯微波板材及其制备方法

[发明专利]一种空位主导型巨电流变液及其制备方法-CN202210303339.3有效
发明人：沈容;陆坤权 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C10M171/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种空位主导型巨电流变液，所述空位主导型巨电流变液由介电颗粒和绝缘液体混合配置而成，其中，所述介电颗粒内部和表面均有空位和/或空位组合分布。介电颗粒中存在的空位是产生新型电流变效应的关键因素。本发明采用高能球磨方法使介电颗粒产生大量空位。这种空位主导型巨电流变液剪切屈服强度高，可达数百kPa；抗磨损，经数百小时摩擦，电流变液性能不变；漏电流低(20μA/cm2)；随温度变化小(0‑100摄氏度范围屈服强度变化可小于
一种空位主导型巨电流变及其制备方法

[实用新型]一种介电弹性体凸轮式拉伸发电试验台-CN201921826762.1有效
发明人：鄂世举;陈浩杰;陆刚强;陈亦开;李佳玲;兰猛;马可儿;包昆伟;陈瑞发;邸奎;曹建波;夏文俊 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G01N19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种介电弹性体凸轮式拉伸发电试验台。其机械结构包括电机、联轴器、力封闭型凸轮、驱动杆、亚克力管、亚克力板、导轨、介电弹性体膜、滑轮等。试验桌固定在支撑底板上，导轨固定在试验桌上；步进电机通过安装支架固定在支撑底板上，电机轴通过联轴器与力封闭型凸轮相连，力封闭型凸轮机构将步进电机的旋转运动通过驱动杆转换成直线运动，滑块可以通过驱动杆同步带动亚克力管进行运动，从而带动介电弹性体膜沿导轨方向的周期运动，产生电能。该试验台可以实现介电弹性体的局部不规则形变，增加模拟过程的可控制性，可以根据所需的形变规则安装不同的凸轮以满足试验需求，具有机构简单、安装方便、维护成本低、可控性高等优点。
一种弹性体凸轮拉伸发电试验台

[发明专利]咽下运动测量装置及咽下运动测量方法-CN201680075399.7在审
发明人：太田雅史;大高秀夫;别所侑亮;石川朗;山本暁生;花家薫;山口卓巳;梅原健 -专利权人：阪东化学株式会社
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： A61B5/11 文献下载
摘要：所述咽下运动测量装置是根据食物块的咽下时所产生的喉头的运动来测量咽下运动的装置，其具备：静电电容型传感器，与被试验者的喉头部的体表接触；以及测量器，测量所述静电电容型传感器中的静电电容的变化；所述静电电容型传感器包含传感器本体，所述传感器本体具有片状的介电层、以及以夹持所述介电层且至少一部分对向的方式分别形成在所述介电层的表面及背面上的第1电极层及第2电极层，将所述第1电极层与所述第2电极层的对向的部分作为检测部，且以所述介电层的表背面的面积变化的方式可逆地变形
电极层介电层静电电容型传感器运动测量装置传感器本体对向测量喉头静电电容面积变化体表接触运动测量测量器喉头部可测量可逆试验表背夹持背面变形检测

[发明专利]一种堆叠型介电弹性体驱动的人工心脏-CN201910034482.5在审
发明人：李树文 -专利权人：李树文
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： A61M1/12 文献下载
摘要：本发明提供一种由堆叠型介电弹性体驱动的人工心脏，包括泵体单元、内置控能单元和外置控能单元，其中泵体单元为由堆叠型介电弹性体驱动器、弹力膜、单向阀和外壳组成。本发明通过堆叠型介电弹性体在电场作用下产生的厚度位移为血液提供柔性搏动力，避免了机械血泵复杂的机械结构也避免了膜片型介电弹性体血泵输出力小、寿命短的问题，降低了人工心脏的能耗并显著减少了人工心脏的重量、
人工心脏介电弹性体堆叠泵体单元内置外置血泵生物医学工程领域驱动器驱动搏动血流电场作用调控信息仿生效果厚度位移机械结构单向阀弹力膜方便性输出力舒适性膜片能耗噪音血液输出

[发明专利]封装结构及其制造方法-CN202210049542.2在审
发明人：曾浩维;郭季海;李政廷;陈滢竹;林溥如;柯正达 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：该封装结构包含基板、多个导电垫、发光二极管、感光型介电材料以及遮光层。基板包含上表面。导电垫位于基板的上表面。发光二极管位于导电垫上。感光型介电材料位于发光二极管与基板的上表面之间以及导电垫之间。发光二极管在基板上的垂直投影与感光型介电材料在基板上的垂直投影重叠。遮光层位于基板的上表面以及导电垫上。借由本发明技术方案的实施，可提升封装结构的可靠度及平整性。此外，接合发光二极管的步骤与固化感光型介电材料的步骤可同时达成，因此可无需在接合步骤后再增加额外的加热程序。
封装结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN200810002671.6有效
发明人：侯永田;徐鹏富;金鹰;林纲正;黄国泰;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-01-14 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，包括：半导体基底；第一导电型的第一金属氧化物半导体装置，包括：第一栅极介电层，形成于半导体基底上；含有金属的第一栅极电极层，形成于第一栅极介电层上；硅化层，形成于含有金属的第一栅极电极层上；以及第二导电型的第二金属氧化物半导体装置，其导电型与第一导电型相反，包括：第二栅极介电层，形成于半导体基底上；含有金属的第二栅极电极层，形成于第二栅极介电层上；以及接触蚀刻停止层，具有一部分形成于含有金属的第二栅极电极层上
半导体结构

[发明专利]三维多晶硅只读存储器及其制造方法-CN200310122594.5有效
发明人：徐子轩;李明修;龙翔澜;吴昭谊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种三维多晶硅只读存储器及其制造方法，此三维多晶硅只读存储器包括：硅基板、绝缘氧化层、N型重掺杂多晶硅层、P型轻掺杂多晶硅层、介电层以及二氧化层。绝缘氧化层位于硅基板上，而N型重掺杂多晶硅层位于绝缘氧化层上，包括数条相互隔开且平行的字符线；字符线之间有一层氧化层，而介电层则位于字符线与氧化层上。P型轻掺杂多晶硅层位于介电层上，且包括数条相互隔开且平行的位线，位线并与字符线实质上垂直交错。介电层中至少有一颈状结构(neck)形成于位线之下方，另一氧化层则位于位线之间，且位于字符线与第一氧化层上。
三维多晶只读存储器及其制造方法