“型介电”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3795084个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种微波铁电复合薄膜电容器及其制备方法-CN201410358128.5有效
发明人：刘保亭;王世杰;闫小兵;郭哲;贾长江;娄建忠 -专利权人：河北大学
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波铁电复合薄膜电容器，其是以单晶基片为衬底、以1‑3型微波铁电复合薄膜为介电层、以Pt、Au、Ag、Al、Cu、SrRuO或La0.5Sr0.5CoO3为电极的叉指结构的电容器。本发明所述的微波铁电复合薄膜电容器的介电层（掺杂低介电常数材料的BST复合薄膜）具有典型的1‑3型复合结构，与普通以外延BST薄膜为介电层的电容器相比，具有明显更高的调谐率和更低的介电损耗。本发明同时公开了所述电容器的制备方法，其是采用磁控和脉冲激光共沉积的方法，在特定的条件及特定的基片上沉积制备得到1‑3型复合薄膜，然后通过采用光刻工艺和磁控设备构建得到叉指结构的电容器，采用本发明的方法所制备的电容器具有更高的调谐率和更低的介电损耗
一种微波复合薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]面向5G的开口环引向器的宽带对跖Vivaldi天线-CN202010481405.7有效
发明人：史信荣;熊洋洋;柯进;罗旭东 -专利权人：广东省计量科学研究院（华南国家计量测试中心）
申请日： 2020-05-31 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供了面向5G的开口环引向器的宽带对跖Vivaldi天线，包括：第一金属辐射片和第二金属辐射片，介电基板由长度L、宽度W的矩形以及半径为L/2的半圆组成；第一金属辐射片与第二金属辐射片，以介电基板中线为对称轴分别对称印刷在介电基板中矩形水平面的正面和背面，第一金属辐射片与第二金属辐射片上各刻蚀一道T型槽线；其中，T型槽线由两条槽线组成，且互相垂直，T型槽线与介电基板中线的夹角分别为θ；互补开口环以介电基板中心线为对称轴，对称分布；第一金属辐射片与第二金属辐射片包括内渐变线与外渐变线
面向开口引向宽带 vivaldi 天线

[发明专利]一种非易失性存储单元、阵列及其制作方法-CN201910024107.2有效
发明人：陈耿川 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10B41/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储单元、阵列及其制作方法，该非易失性存储单元包括衬底、浮栅结构及字线结构，其中，浮栅结构包括L型浮栅导电层，字线结构的字线介电层包括依附于浮栅水平导电部上表面的水平介电部及依附于浮栅垂直导电部侧面的垂直介电部，字线结构的字线导电层交迭于浮栅结构的部分构成字线侧墙，该字线侧墙依附于垂直介电部的侧壁与水平介电部的上表面。本发明的非易失性存储单元、阵列中，字线侧墙同时与L型浮栅导电层的垂直导电部、水平导电部相对，从而与浮栅导电层之间具有较大的相对面积，可以实现控制栅到浮栅极高的耦合比。同时，由于L型浮栅导电层的厚度很薄，可以降低结构复杂度及工艺复杂度，实现相对简单的制造工艺。
一种非易失性存储单元阵列及其制作方法

[发明专利]薄型电路板及其制造方法-CN201980080732.7在审
发明人：徐筱婷;何明展;沈芾云;胡先钦 -专利权人：鹏鼎控股（深圳）股份有限公司;庆鼎精密电子（淮安）有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种薄型电路板(100)及其制造方法，所述薄型电路板(100)包括：介电层(40)；内层线路基板(30)；及设置于所述内层线路基板(30)至少一侧的金属层(50)。所述金属层(50)被所述介电层(40)包覆，所述介电层(40)包括位于最外侧的绝缘层(11)以及夹设于所述内层线路基板(30)与所述金属层(50)之间的粘结结构(20)，所述金属层(50)被所述绝缘层(
电路板及其制造方法

[发明专利]一种含有双氧杂环化合物的高透过率液晶组合物及其应用-CN201711320043.8有效
发明人：陈卯先;邢文丽;陈海光;姜天孟;储士红;王杰;未欣;王新颖;田会强;苏学辉 -专利权人：北京八亿时空液晶科技股份有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：本发明所提供的液晶组合物具有大的垂直介电，进而具有更低的平行介电与垂直介电的比值，进一步具有更高的透过率。因此，本发明所提供的液晶组合物适用于的IPS或FFS型TFT液晶显示装置，能够明显提升液晶显示器的透过率，降低背光源的能量损失，特别适用于FFS型液晶显示器。
一种含有杂环化合物透过液晶组合及其应用

[发明专利]一种含有甲氧基桥键化合物的高透过率液晶组合物及其应用-CN201711397140.7有效
发明人：陈卯先;邢文丽;陈海光;姜天孟;储士红;王杰;未欣;王新颖;田会强;苏学辉 -专利权人：北京八亿时空液晶科技股份有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：所述液晶组合物具有大的垂直介电，进而具有更低的平行介电与垂直介电的比值，进一步具有更高的透过率。因此，本发明所提供的液晶组合物适用于的IPS或FFS型TFT液晶显示装置，能够明显提升液晶显示器的透过率，降低背光源的能量损失，特别适用于FFS型液晶显示器。
一种含有甲氧基桥键化合物透过液晶组合及其应用

[实用新型]晶片封装的导接线路结构-CN202122224967.6有效
发明人：林功艺 -专利权人：万闳企业有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种晶片封装的导接线路结构，其中该导接线路结构的介电质层最多仅具有第一介电质层及第二介电质层这两层介电质层，较现有的导接线路结构的介电质层要来得少，使得该导接线路结构有效地改善现有导接线路结构的厚度较厚及制程繁杂的问题，以符合现代导接线路结构越趋薄型的发展趋势，有利于降低制造端成本，此外，该导接线路结构中的多个导接线路的导电度也会提升，而增加产品性能。
晶片封装接线结构

[发明专利]硅酸盐基烧结助剂方法-CN00813528.2无效
发明人：杰弗里·A·克什纳;戴维·V·米勒;凯瑟琳·A·思拉什;斯里德哈·维尼加拉 -专利权人：卡伯特公司
申请日： 2000-08-18 - 公布日： 2002-10-30 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：可以将烧结助剂或熔块,包含钛酸钡基组合物,加入到介电组合物中以降低烧结温度。烧结助剂可以是通过将包含硅物质和碱土金属物质的溶液混合发生沉淀反应而制备的单组分硅酸盐或多组分硅酸盐。该烧结助剂可以制备成纳米粒径颗粒,或涂敷在预先成形的介电颗粒的表面上。在MLCCs中,可以使用包含烧结助剂的介电组合物形成介电层,特别是超薄型的介电层。
硅酸盐烧结助剂方法

[发明专利]具有软错误率免疫晶胞结构的半导体芯片-CN200510117373.8无效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具有软错误率免疫晶胞结构的半导体芯片，包括形成在深N型井区中的记忆体元件。该记忆体元件包括一记忆体晶胞。该记忆体晶胞包括第一储存节点与第二储存节点。记忆体晶胞亦包括第一电阻器与第二电阻器分别电性连接至第一储存节点与第二储存节点。记忆体晶胞亦包括第一电容器与第二电容器分别电性连接至第一储存节点与第二储存节点。一内层介电层位于记忆体元件上。该内层介电层包括至少一不含硼的介电材料。一内金属介电层位于内层介电层上，该内金属介电层的介电常数小于约3。聚亚酰胺层位于内金属介电层上。聚亚酰胺层的厚度小于约20微米。
具有错误率免疫晶胞结构半导体芯片

[发明专利]半导体器件的柱型电容器及其制造方法-CN201110023979.0有效
发明人：曹豪辰;朴哲焕;李东均 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件的柱型电容器及其制造方法。在该柱型电容器中，在存储节点触点的上部上形成柱体。在柱体的侧壁上形成底部电极，并且在柱体和底部电极上形成介电膜。然后，在介电膜的上部上形成顶部电极。
半导体器件电容器及其制造方法

[发明专利]介电陶瓷，制造该介电陶瓷的方法，以及单片陶瓷电容器-CN200410002931.1有效
发明人：中村友幸;小中宏泰;加藤成;武藤和夫;佐野晴信 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2004-01-20 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种介电陶瓷，该介电陶瓷在组成上包括含Ba、Ca和Ti的通式为ABO₃的钙钛矿型化合物，和含Si、R(La等)和M(Mn等)的添加剂组分，添加剂组分没有被固体溶解，而且主要组分存在于每个晶粒的至少90％的横截面中，这样的晶粒数目占介电陶瓷所含的所有晶粒数目的至少85％，在介电陶瓷晶粒界面至少85％的分析点上至少包含Ba、Ca、Ti、Si、R和M。
陶瓷制造方法以及单片电容器

[发明专利]显示装置-CN201711236397.4有效
发明人：尹净基;林宫恩 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：各种实施方式提供了一种具有触摸传感器的轻薄型有机发光显示装置。具有触摸传感器的有机发光显示装置包括触摸感测线和触摸驱动线，这些触摸感测线和触摸驱动线设置在封装堆叠上以彼此交叠。触摸感测线与触摸驱动线在有机触摸介电膜与无机触摸介电膜设置在其间的位置处彼此交叠，从而防止有机触摸介电膜退化时产生斑点并且防止对有机触摸介电膜的损害。
显示装置

[发明专利]降低等离子损害的导流电路及半导体制造方法-CN01117696.2无效
发明人：陈衣凡;卜起经;范寿康 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2001-05-16 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：先在基底上的MOS晶体管上形成一介电层。接着于介电层内蚀刻出一第一接触洞通达MOS晶体管的栅极,以及一第二接触洞通达基底的N型井,并于介电层上、第一接触洞以及第二接触洞内形成一导流电路,且于导流电路中电连接一断电区域,使MOS晶体管与N型井形成电连接,让在工艺中原本会进入栅极氧化层中的离子藉由导流电路被导至N型井内,以减少栅极氧化层遭受等离子损害,在完成MOS晶体管工艺之后,切断断电区域的电连接。
降低等离子损害导流电路半导体制造方法

[实用新型]一种无源型介电弹性体风能采集装置-CN202020112503.9有效
发明人：赖志慧;王帅博;张才亮;张国庆;王军雷 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种无源型介电弹性体风能采集装置，包括底座，固定在底座上的支架，固定在支架上的悬臂梁和连接在悬臂梁一端的钝体；其中，悬臂梁的长度延伸方向上设有压电陶瓷组件，钝体内设有一收容腔，收容腔内设有至少一个与压电陶瓷组件电连接的介电弹性体能量采集单元；每个介电弹性体能量采集单元包括一两端开口的圆筒，固定在圆筒的两端开口上的可变电容和设置在圆筒内的球体，可变电容包括依次层叠设置的第一电极、介电弹性体层和第二电极。当风源气流带动无源型介电弹性体风能采集装置的钝体和悬臂梁振动时，可以在没有外加电场的条件下，将风能高效转换为电能。
一种无源型介电弹性体风能采集装置

[发明专利]埋入式电阻-CN201310082552.7在审
发明人：洪庆文;黄志森;曹博昭 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种埋入式电阻，其包含有一第一层间介电层、一盖层、一电阻层以及一盖膜。第一层间介电层位于一基底上。盖层位于第一层间介电层上，其中盖层具有一沟槽。电阻层顺应覆盖沟槽，因而具有一U型的剖面结构。盖膜位于沟槽中以及电阻层上；或者，一种埋入式电阻，包含有一第一层间介电层、一盖层以及一块状电阻层。第一层间介电层位于一基底上。盖层位于第一层间介电层上，其中盖层具有一沟槽。块状电阻层位于沟槽中。
埋入电阻