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[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200910179140.9无效
发明人：金钟满 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：所述图像传感器包括：读出电路，位于第一衬底上；层间介电层，包括电连接到所述读出电路的至少一个金属和至少一个接触插塞；以及图像传感器件，形成在第二衬底上、接合到所述层间介电层并设置有第一导电型导电层和第二导电型导电层所述层间介电层中的最高接触插塞具有从所述层间介电层中的最高金属延伸的壁结构。所述最高接触插塞的上表面与所述图像传感器件接触，并且连接到相邻像素的图像传感器件以及最高金属。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]光电子器件和用于该光电子器件制造的方法-CN201180050595.6有效
发明人：沃尔夫冈·施密德;克里斯托夫·克伦普;阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子半导体器件（10），其具有半导体本体（1）、介电层（2）、镜（3）和附加层（4）。所述半导体本体（1）具有用于产生电磁辐射的有源区（1c）、用于电接触的n型接触部（1a）和p型接触部（1b）。所述介电层（2）设置在半导体本体（1）和镜（3）之间。附加层（4）设置在半导体本体（1）和介电层（2）之间。此外，提出一种用于制造这种器件（10）的方法。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]利用纳米多孔结构的半导体元件分离方法-CN201380008280.4有效
发明人：柳相完;姜珍镐 -专利权人：首尔伟傲世有限公司;全南大学校产学协力团
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：所述利用纳米多孔结构的半导体元件分离方法包括如下步骤：在基板上生长第一n型氮化物层；在所述第一n型氮化物层上生长介电层；通过介电层，在所述第一n型氮化物层内部形成纳米多孔结构；在所述第一n型氮化物层上再生长第二n型氮化物层，以形成包含所述介电层的第二n型氮化物层；在所述第二n型氮化物层上生长多量子阱结构及p型氮化物层，并与通电型基板接合；及通过HF蚀刻而选择性地蚀刻所述介电层，以从基板分离半导体元件。
利用纳米多孔结构半导体元件分离方法

[实用新型]印刷电路板连接器-CN98219132.4无效
发明人：蔡添庆 -专利权人：蔡添庆
申请日： 1998-10-07 - 公布日： 1999-10-06 - 主分类号： H01R23/68 文献下载
摘要：印刷电路板连接器,包括介电壳体、端子、子板及母板,介电壳体及端子有切断面及表面接触型,端子分长、中、短型,切断面接触端子在料带冲制成型时,以料带及连接条连接端子,该端子从连接条反方向弯曲错开一间距在料带两侧排列,可同时将三种数组端子插入介电壳体容纳槽内;表面接触型端子的中、短型端子与长型端子两侧排列在同一料带上,配合容纳槽及固定沟同时将整排表面接触端子插入容纳槽内。
印刷电路板连接器

[发明专利]片型压电谐振器和调节其谐振频率的方法-CN99107106.9无效
发明人：黑田英明;轮岛正哉;吉田龙平 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1999-05-27 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有电容器的片型压电谐振器，允许通过由层叠压电元件和介电基片生产压电谐振器后，对静电电容和谐振频率进行细微而高精度调节。谐振器包含由介电基片层叠的介电基片和外部电极，所述外部电极设置在层叠体上。将多个外部电极安排得沿相对的第一和第二表面从第一介电基片的外部主表面延伸到第二介电基片的外部主表面。在第二介电基片的外部主表面上，将至少一个外部电极分成第一和第二电极部分。
压电谐振器调节谐振频率方法

[发明专利]雷射光束烧熔增厚型介电材料的多层电路板制造方法-CN200410057060.3无效
发明人：丛守璞 -专利权人：上海展华电子有限公司
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：一种雷射光束烧熔增厚型介电材料的多层电路板制造方法。为提供一种制造简单、有效缩小电路板面积的电路板制造方法，提出本发明，它包括(a)于具有铜面电路的基板上涂覆介电材料；(b)再对涂覆介电材料的具有铜面电路的基板进行烘烤，使介电材料在基板上面聚合形成介电材料层；(c)于介电材料层上压合具有背胶的铜箔；(d)再于铜箔的连接点部位形成孔位，使基板上的铜面电路显露出来；(e)再于孔位的表面形成与基板上的铜面电路导通的上层铜质电路。
雷射光束烧熔增厚型介电材料多层电路板制造方法

[发明专利]具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构-CN201010210537.2有效
发明人：颜良吉;李逸骏 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其于一蓝宝石基板上利用蚀刻、沉积等半导体制程，埋设一具有图案花纹的介电层，该介电层为两种不同折射率的材料交互叠置而成，且在该蓝宝石基板上成长包含一N型半导体层、一活化层与一P型半导体层的发光层，并在该N型半导体层与该P型半导体层上分别镀上一N型电极与一P型电极，由此通过该介电层的存在可降低磊晶成长该发光层时的缺陷密度，且该介电层可形成高反射率区域，
具有反射缺陷密度发光二极管结构

[发明专利]一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构与方法-CN201910446516.1有效
发明人：崔成强;俆广东;杨冠南;张昱;张凯;陈新 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构，包括塑封层，以及封装固化于塑封层中露出功能面凸点的芯片；塑封层下有一层或多层介电层；介电层内有热压入的高密度嵌入再布线层；通过激光打孔贯穿嵌入的再布线层和介电层，电镀填充铜形成铜柱，实现介电层上面线路及下面线路电连接；高密度再布线层的外表面除了焊球的位置外均设置有介电层。本发明根据上述内容提出一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构与方法，利用晶圆级制程设备制备再布线层，并进行线路转移，形成嵌入式再布线层，实现亚微米级的再布线线距，在相同芯片面积下可满足更多数量I/O连接
再布线层介电层嵌入高密度线路扇出型封装塑封层芯片多层介电层封装固化激光打孔线路转移亚微米级制程设备电连接功能面晶圆级嵌入的嵌入式再布线电镀焊球热压铜柱凸点线距填充制备贯穿

[发明专利]电熔丝结构-CN201610835557.6有效
发明人：永井享浩 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开一种电熔丝结构，其主要包含一基底以及一堆叠型电容设于基底上。其中堆叠型电容包含：两个或两个以上的下电极设于基底上；一电容介电层设于该多个下电极上；以及一上电极设于电容介电层上。
电熔丝结构

[发明专利]介电体、压电体、喷墨头、喷墨记录装置及喷墨头制造方法-CN200510062574.2有效
发明人：武田宪一;伊福俊博;福井哲朗;舟洼浩;冈本庄司 -专利权人：佳能株式会社;舟洼浩
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：提供一种介电体、压电体、喷墨头、喷墨记录装置及喷墨头制造方法。形成在基板上至少具有下部电极、{100}取向性介电层、上部电极的介电体时，至少其中某一个电极是由至少两层钙钛矿型氧化物导电层构成的，且是{100}取向。
介电体压电喷墨记录装置制造方法

[发明专利]一种封装有集成电路的场效应晶体管-CN202110139393.4在审
发明人：柴力 -专利权人：中之半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明系提供一种封装有集成电路的场效应晶体管，N型基板的两侧设有N型主体和漏极金属层，N型主体一侧设有源极金属层；N型主体的顶部设有间隔的第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，第一P型掺杂区的顶部设有第一N型掺杂区，第二P型掺杂区的顶部设有第二N型掺杂区，N型主体的顶部还设有若干P型注入区；源极金属层的底部设有第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层上设有第一栅极层，第二绝缘层上设有第二栅极层，第一栅极层外设有第一介电区，第二栅极层外设有第二介电区，第一介电区和第二介电区之间的源极金属层与N型主体之间形成肖特基接触。
一种装有集成电路场效应晶体管

[发明专利]薄膜晶体管数组基板、显示面板、液晶显示装置及其制作方法-CN200910149852.6有效
发明人：卓恩宗;彭佳添;刘婉懿;陈俊雄;黄伟明 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：画素结构数组排列于画素区中，且每一画素结构包括薄膜晶体管及画素电极电性连接薄膜晶体管。薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层与主动层。光电池组件位于感测区中，并包括掺杂半导体层、透明电极层、第一型掺杂富硅介电层及第二型掺杂富硅介电层。掺杂有第一型离子的第一型掺杂富硅介电层与掺杂有第二型离子的第二型掺杂富硅介电层位于掺杂半导体层与透明电极层之间。显示介质层位于第一基板与第二基板之间。
薄膜晶体管数组显示面板液晶显示装置及其制作方法

[发明专利]一种高透过率液晶组合物及其应用-CN201711320212.8在审
发明人：陈卯先;邢文丽;陈海光;姜天孟;储士红;王杰;未欣;王新颖;田会强;苏学辉 -专利权人：北京八亿时空液晶科技股份有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：所述液晶组合物具有大的垂直介电，进而具有更低的平行介电与垂直介电的比值，进一步具有更高的透过率。因此，本发明所提供的液晶组合物适用于的IPS或FFS型TFT液晶显示装置，能够明显提升液晶显示器的透过率，降低背光源的能量损失，特别适用于FFS型液晶显示器。
液晶组合物介电液晶显示器高透过率透过率垂直能量损失显示装置背光源应用平行

[发明专利]用于倒置型有机发光组件的阴极结构-CN200410084121.5有效
发明人：叶永辉;吴忠帜;陈介伟;林俊良;杨志仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2004-10-18 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H05B33/20 文献下载
摘要：一种用于倒置型有机发光组件的阴极结构，包括一导电电极层、一有机材料层、一介电材料层以及一金属层；其特征在于所述有机材料层位于导电电极层之上，介电材料层位于有机材料层之上，金属层位于介电材料层之上；这种用于倒置型有机发光组件的阴极结构
用于倒置有机发光组件阴极结构

[发明专利]一种正负混合液晶组合物及其应用-CN201711321577.2有效
发明人：陈卯先;邢文丽;陈海光;姜天孟;储士红;王杰;未欣;王新颖;田会强;苏学辉 -专利权人：北京八亿时空液晶科技股份有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：所提供的液晶组合物具有大的垂直介电，进而具有更低的平行介电与垂直介电的比值，进一步具有更高的透过率。因此，本发明所提供的液晶组合物适用于的IPS或FFS型TFT液晶显示装置，能够明显提升液晶显示器的透过率，降低背光源的能量损失，特别适用于FFS型液晶显示器。
一种正负混合液晶组合及其应用