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[发明专利]用于使垂直全环栅器件中的载流子沟道应变的方法和结构-CN201510089654.0有效
发明人：大藤彻;吴俊鹏;蔡庆威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：用于增强垂直全环栅器件中沟道性能的方法和结构，其提供了器件，该器件包括：源极区(140)；基本上垂直对齐于源极区的漏极区(190)；桥接在源极区和漏极区之间且限定基本上垂直的沟道方向的沟道结构(160)；以及垂直布置在源极区和漏极区之间且围绕沟道结构的栅极结构(170)。沟道结构包括彼此基本上并列垂直延伸的多个沟道(161)，每个沟道桥接源极区和漏极区，和插入每对相邻沟道之间且基本上沿着垂直沟道方向延伸的至少一个应力源(240)；应力源影响相邻沟道上的侧向应变，从而在垂直沟道方向上使沟道发生应变本发明还涉及用于使垂直全环栅器件中的载流子沟道应变的方法和结构。
源极区沟道漏极区沟道结构全环载流子沟道垂直沟道相邻沟道垂直应力源桥接侧向应变垂直布置垂直对齐方向延伸栅极结构垂直的并列

[发明专利]包括垂直沟道结构的集成电路和该集成电路的布局方法-CN202110423684.6在审
发明人：白尚训;孔贞顺;都桢湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种由一个或更多个半导体单元中的多个垂直场效应晶体管(VFET)实现的集成电路以及集成电路的布局方法，其中第一单元的一对第二垂直沟道结构和第二单元中的相邻的一对第一垂直沟道结构之间的距离与第一单元中的所述一对第一垂直沟道结构和邻近所述一对第一垂直沟道结构布置的一对第二垂直沟道结构之间的距离相同，第一单元的所述一对第二垂直沟道结构和第二单元中的所述相邻的一对第一垂直沟道结构均面对第一单元和第二单元之间的单元边界。
包括垂直沟道结构集成电路布局方法

[发明专利]垂直晶体管及其制造方法-CN201510147785.X有效
发明人：卡洛斯·H.·迪亚兹;王志豪;连万益;杨凯杰;汤皓玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：垂直晶体管包括源极‑沟道‑漏极结构、栅极和栅极介电层。源极‑沟道‑漏极结构包括源极、源极上方的漏极和介于源极和漏极之间的沟道。栅极围绕沟道的一部分。当垂直晶体管是n沟道垂直晶体管时，栅极被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的压缩应变，或当垂直晶体管是p沟道垂直晶体管时，栅极被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的拉伸应变。在一些实施例中，垂直晶体管还包括ILD，当垂直晶体管是n沟道垂直晶体管时，ILD被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的拉伸应变，或者当垂直晶体管是p沟道垂直晶体管时，ILD被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的压缩应变本发明还提供了垂直晶体管的制造方法。
垂直晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910256626.1有效
发明人：白石千;金甫昌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的在基本上垂直于衬底的顶表面的第一方向上的下栅电极、在第一方向上在下栅电极上的上栅电极、以及在第一方向上延伸通过下栅电极和上栅电极的沟道结构。每个沟道结构包括下沟道结构、上沟道结构以及互连下沟道结构和上沟道结构的落着焊盘。第一沟道结构包括第一落着焊盘，第一落着焊盘在第一垂直高度处具有比第一沟道结构的下沟道结构的水平宽度充分地大的水平宽度。最靠近第一沟道结构的第二沟道结构包括第二落着焊盘，该第二落着焊盘在低于第一垂直高度的第二垂直高度处具有比第二沟道结构的下沟道结构的水平宽度充分地大的水平宽度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于形成垂直沟道器件的方法-CN201810460195.6在审
发明人： J·博迈尔斯 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：根据本发明概念的一方面，提供了一种用于形成垂直沟道器件的方法，该方法包括：提供包括衬底和多个垂直沟道结构的半导体结构，提供具有环绕栅极的垂直沟道结构，在所述垂直沟道结构的至少一个子集的每个垂直沟道结构的顶部上选择性地生长经掺杂半导体材料
垂直沟道结构垂直沟道器件掺杂半导体材料半导体结构顶电极衬底子集环绕生长

[发明专利]半导体器件-CN202211649703.8在审
发明人：李炅奂;金容锡;金炫哲;朴种万;禹东秀;李玟浚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B51/20 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，其包括：衬底；包括电极和沟道分离图案的堆叠，电极堆叠在衬底上并彼此间隔开，沟道分离图案在相邻电极之间；以及穿透堆叠的垂直结构，其中垂直结构包括导电柱、沟道结构以及在导电柱和沟道结构之间的插入层，沟道结构包括通过沟道分离图案彼此垂直间隔开的第一沟道层和第二沟道层，电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极连接到第一沟道层和第二沟道层，沟道分离图案在第一沟道层和第二沟道层之间，沟道分离图案在连接到第一沟道层的一个第二电极和连接到第二沟道层的一个第一电极之间
半导体器件

[发明专利]在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度-CN201710912237.0有效
发明人：谢瑞龙;山下天孝;程慷果;叶俊呈 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度，其中，一种半导体结构包括半导体衬底，位于半导体衬底上方的第一垂直晶体管的底部源/漏层，位于该源/漏层上方的垂直沟道，以及包覆该垂直沟道的金属栅极，该垂直沟道在与该金属栅极之间的接口处相对金属栅极具有固定高度。半导体结构还包括位于该垂直沟道上方的顶部源/漏层，以及至各顶部及底部源/漏层及该栅极的自对准接触。半导体结构可通过以下步骤实现：提供上方具有底部源/漏层的半导体衬底，在底部源/漏层上方形成垂直沟道，形成包覆垂直沟道的伪栅极，以及分别围绕垂直沟道的顶部及底部形成底部间隙壁层及顶部间隙壁层，垂直沟道的剩余中心部分定义固定垂直沟道高度
垂直晶体管替代栅极流程控制对准长度

[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法和制造方法-CN201210513073.1有效
发明人：安泳洙;崔锺武;卢侑炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器件及其操作方法和制造方法，所述非易失性存储器件包括：多个沟道结构，形成在衬底之上，并且包括与多个沟道层交替层叠的多个层间电介质层；第一垂直栅和第二垂直栅，沿着与沟道结构相交叉的一个方向交替地设置在沟道结构之间并与多个沟道层相邻，存储器层插入在第一垂直栅和第二垂直栅与多个沟道层之间；以及第一字线和第二字线对，设置在沟道结构之上或之下，并以与第一垂直栅和第二垂直栅重叠的方式沿着一个方向延伸。第一字线与第一垂直栅连接，第二字线与第二垂直栅连接。
非易失性存储器及其操作方法制造方法

[发明专利]叠栅结构-CN202180048193.6在审
发明人：张辰;郭德超;王俊利;谢瑞龙;程慷果;李俊涛;C·帕克;鲍如强;石城大;于澜;吴恒 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明的实施例可以包括半导体结构和制造方法。所述半导体结构可包含顶部沟道及底部沟道，其中所述顶部沟道包含多个垂直取向的沟道。底部沟道包括多个水平取向的沟道。所述半导体结构可以包括围绕所述顶部沟道和所述底部沟道的栅极。所述半导体结构可以包括位于所述栅极的每一侧上的间隔物。第一间隔物包括位于多个垂直取向的沟道之间的电介质材料。第二间隔物包括位于多个水平取向的沟道之间的电介质材料。这可以实现在垂直间隔物之间形成间隔物。
结构

[发明专利]一种芯‑壳场效应晶体管及其制备方法-CN201410427814.3有效
发明人：孙雷;徐浩;张一博;韩静文;王漪;张盛东 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种结合垂直沟道、芯‑壳结构和无结结构的环栅场效应晶体管，包括垂直方向的环状半导体芯，垂直方向的环状半导体壳，环状栅电极，环状栅介质层，芯源区，芯漏区，壳源区，壳漏区，半导体衬底；其中，芯源区位于垂直芯沟道的底部，与衬底相接，芯漏区位于垂直芯沟道的顶部；壳源区位于垂直壳沟道的底部，与衬底相接，壳漏区位于垂直壳沟道的顶部；壳沟道呈环状围绕住芯沟道；壳沟道外环绕着栅介质层；栅介质层外环绕着栅电极。本发明利用源漏沟道相同掺杂极大地降低了热预算消除了杂质扩散和突变结的形成问题、简化了工艺要求，利用锗芯增大了驱动电流，并利用垂直沟道、环形栅结构突破了集成加工光刻极限限制，提高了集成度。
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]具有延伸栅极结结构的垂直串驱动器-CN202011543152.8在审
发明人：冀东;黄广宇;D·蒂梅高达 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种用于三维(3D)存储器器件的驱动器电路，其具有超级结结构作为场管理结构。超级结结构可以称为延伸结结构，其在用于串驱动器的垂直沟道与栅极导体之间分布结的电场。垂直沟道包括垂直连接在源极导体与漏极导体之间的沟道导体。延伸结结构平行于垂直沟道导体延伸，延伸结结构朝向漏极导体垂直延伸，延伸结结构具有大于栅极导体的高度的高度。
具有延伸栅极结构垂直驱动器

[发明专利]三维半导体存储器件-CN201711234274.7在审
发明人：崔茂林;李奉镕;林濬熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：该三维半导体存储器件包括：公共源极区域、在公共源极区域之间的电极结构、穿透电极结构的第一沟道结构以及在第一沟道结构之间并穿透电极结构的第二沟道结构。所述电极结构包括垂直堆叠在衬底上的电极。所述第一沟道结构包括第一半导体图案和第一垂直绝缘层。所述第二沟道结构包括围绕第二半导体图案的第二垂直绝缘层。所述第二垂直绝缘层的底面低于第一垂直绝缘层的底面。
沟道结构垂直绝缘层三维半导体存储器半导体图案穿透电极电极结构公共源极底面垂直堆叠电极衬底

[发明专利]半导体器件-CN202310315781.2在审
发明人：郑文泳;李基硕;李相昊;卢亨俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板；在基板上的第一栅极结构和第二栅极结构；单个背栅极结构，在第一栅极结构和第二栅极结构之间；第一结构，包括在垂直方向上延伸的第一垂直沟道区，第一垂直沟道区的至少一部分在第一栅极结构和单个背栅极结构之间；以及第二结构，包括在垂直方向上延伸的第二垂直沟道区。第二结构与第一结构间隔开，第二垂直沟道区的至少一部分在第二栅极结构和单个背栅极结构之间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010114927.3有效
发明人：张若芳;王恩博;杨号号;徐前兵;胡禺石;陶谦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：半导体器件包括在半导体器件的衬底之上沿垂直方向堆叠的一串晶体管。该串可以包括第一子串、设置在第一子串之上的沟道连接体和第二子串。第一子串包括第一沟道结构，该第一沟道结构具有沿垂直方向延伸的第一沟道层和第一栅极电介质结构。第二子串堆叠在沟道连接体之上，并且具有第二沟道结构，该第二沟道结构包括沿垂直方向延伸的第二沟道层和第二栅极电介质结构。电耦合第一和第二沟道层的沟道连接体设置在第二栅极电介质结构下方，以使得能够在第二沟道层的底部区域中形成导电路径。底部区域与第二子串中的最下面的晶体管相关联。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201880001908.0有效
发明人：张若芳;王恩博;杨号号;徐前兵;胡禺石;陶谦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：半导体器件包括在半导体器件的衬底之上沿垂直方向堆叠的一串晶体管。该串可以包括第一子串、设置在第一子串之上的沟道连接体和第二子串。第一子串包括第一沟道结构，该第一沟道结构具有沿垂直方向延伸的第一沟道层和第一栅极电介质结构。第二子串堆叠在沟道连接体之上，并且具有第二沟道结构，该第二沟道结构包括沿垂直方向延伸的第二沟道层和第二栅极电介质结构。电耦合第一和第二沟道层的沟道连接体设置在第二栅极电介质结构下方，以使得能够在第二沟道层的底部区域中形成导电路径。底部区域与第二子串中的最下面的晶体管相关联。
子串沟道结构沟道层栅极电介质结构半导体器件沟道连接垂直方向延伸底部区域晶体管堆叠导电路径电耦合衬底关联制造

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