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[发明专利]膜层的图案化方法、金属线栅偏振结构及其制作方法-CN201810002270.4在审
发明人：黄华 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种膜层的图案化方法、金属线栅偏振结构及其制作方法，属于显示技术领域。所述方法包括：在金属层上形成压印胶层；在压印胶层上形成凹槽，使部分金属层从凹槽的底部露出；对露出的金属层进行表面处理，使露出的金属层的表面形成含有金属层包含的元素的抗刻蚀层；对压印胶层和表面处理后的金属层进行刻蚀，以除去压印胶层以及表面未形成掩膜的金属层，得到具有图案的金属层。该方案通过对金属层进行表面处理形成含有金属层包含的元素的抗刻蚀层作为掩膜，减少了金属层图案化的成本和时间，同时制作上述掩膜时，直接对凹槽内的金属层进行表面处理，掩膜的位置不会出现偏离，提高了图案化的精度
图案方法金属线偏振结构及其制作方法

[发明专利]形成电容器的方法-CN201910028629.X在审
发明人：杰弗里·P·甘比诺;布鲁斯·格林伍德;安赫尔·罗德里格斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本公开提供了形成电容器的方法，所述形成电容器的方法的实施方式可以包括：在衬底上方沉积第一金属层；在所述第一金属层上方形成光刻胶层；将所述光刻胶层图案化；使用所述光刻胶层的图案将所述第一金属层图案化；在所述第一金属层上方沉积介电层；以及在所述介电层上方沉积第二金属层以形成金属‑绝缘体‑金属电容器。
第一金属层电容器光刻胶层图案化沉积绝缘体沉积介电层第二金属层金属电容器介电层衬底金属图案

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201811125940.8在审
发明人：林信南;刘美华;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：其中，所述制作方法包括在半导体衬底上依次形成缓冲层、势垒层和钝化层；形成第一阳极接触孔；在第一阳极接触孔内和所述钝化层上形成介质层；形成第二阳极接触孔；在所述介质层上和所述第二阳极接触孔内形成第一金属层，图案化所述第一金属层以得到位于阳极区域内的所述第一金属层；图案化所述介质层和所述钝化层以形成阴极接触孔；在所述介质层、所述阳极金属层和所述阴极接触孔内形成第二金属层，图案化所述第二金属层以得到阳极和阴极；形成保护层；图案化所述保护层形成阳极开孔和阴极开孔；最后形成阳极导通金属、阴极导通金属和场板。
阳极接触介质层图案化阴极第一金属层阳极钝化层半导体器件第二金属层阴极接触保护层导通开孔制作金属阳极金属层阳极区域缓冲层势垒层场板衬底半导体

[发明专利]一种混合图案化金属-石墨烯超表面的多波带吸收器-CN202110074207.3有效
发明人：蒙红云;沈鸿洋;刘春阳;刘凤祥;谭春华;黄旭光 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合图案化金属‑石墨烯超表面的多波带吸收器，所述多波带吸收器是以薄金属板作为最底层的金属反射板，最上层超表面图案化金属‑石墨烯周期单元在中间介质夹层(二氧化硅)上周期性排列组成；每一个超表面图案化金属‑石墨烯周期单元是由石墨烯矩形环和位于石墨烯矩形环中心的金属圆盘组成，由此形成共层面；所述超表面图案化金属‑石墨烯周期单元位于结构的最上层，中间介质夹层位于结构中间层，金属反射板作为反射板位于结构最底层
一种混合图案金属石墨表面多波带吸收

[发明专利]画素结构及其形成方法-CN200710126458.1有效
发明人：赵志伟;郑逸圣;林昆志;陈亦伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-06-11 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种画素结构包含至少一薄膜晶体管、一储存电容、一图案化第一金属层、一内层介电层、一保护层及一图案化画素电极。储存电容电性连接于薄膜晶体管。内层介电层覆盖于图案化第一金属层上。图案化画素电极形成于部分保护层及部分内层介电层上且接触部分保护层及部分内层介电层，其中储存电容包含图案化第一金属层、位于该开口下的被保留的内层介电层及图案化画素电极。
结构及其形成方法

[实用新型]一种便于电镀的异形电子陶瓷外壳结构-CN202222094731.X有效
发明人：罗明达;张财盛 -专利权人：厦门海赛米克新材料科技有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种便于电镀的异形电子陶瓷外壳结构，包括：异形陶瓷件，具有多层台阶，且相邻两层台阶错开布置；临时延展部，为所述向外凸台向外延伸的延伸段；导电金属化图案，结合于电镀台阶的上表面，并在所述临时延展部的上表面形成汇聚点用于外接电镀设备；金属过孔，将电镀台阶的导电金属化图案形成电连接。本实用新型通过通过金属过孔把分别分布于各个电镀层上，且本身相互独立的导电金属化图案相互连通，并汇聚到电镀汇聚点，从而实现所有金属化图案一键电镀，操作简单，效率高，且电镀层质量一致性高。
一种便于电镀异形电子陶瓷外壳结构

[发明专利]半导体金属配线形成方法及结构-CN202210148461.8在审
发明人：尹洪权;卢一泓;李俊杰;胡艳鹏;张月 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体金属配线形成方法，包括：提供一叠层结构，所述叠层结构包括由下向上依次层叠的衬底、阻挡层、金属层和硬掩膜层；将所述硬掩膜层图案化；对所述金属层进行干法刻蚀，以使所述金属层图案化；对所述阻挡层进行湿法刻蚀，以使所述阻挡层图案化。
半导体金属线形成方结构

[发明专利]用于集成电路的减性图案化的互连结构-CN202180067654.4在审
发明人： K·林;N·佐藤;T·A·特罗尼;M·克里斯滕森;C·J·杰泽斯基;J-R·陈;J·布莱克威尔;M·V·梅茨;M·雷肖特科;N·卡比尔;J·比勒费尔德;M·钱多克;H·J·刘;E·V·卡尔波夫;C·奈勒;R·V·基比亚姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：IC互连结构包括减性图案化的特征。特征端可通过多个盖材料的多图案化而被定义，以获得减小的未配准。减性图案化的特征可以是与镶嵌过孔或者与减性图案化的过孔相集成的线路，或者可以是与镶嵌线路或者与减性图案化的线路相集成的过孔。减性图案化的过孔可作为平面金属层的部分被沉积并且当前随互连线路被定义。减性图案化的特征可与空气间隙隔离结构相集成。减性图案化的特征可包括底部、顶部或侧壁上的阻挡材料。减性图案化的特征的底部阻挡可采用区域选择性技术而被沉积，以便不存在于下层互连特征。减性图案化的特征的阻挡可包括特征中或籽晶层中的石墨烯或者金属的硫族化物。
用于集成电路图案互连结构

[发明专利]触控感测模组与形成其之方法-CN202011263055.3在审
发明人：周书绮;陈语苹;林新茹 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种形成触控感测模组的方法，包括形成金属层在基板上、形成具有疏水性的保护层在金属层上、藉由激光图案化保护层与金属层、以及在激光图案化后，清洁保护层。其中，图案化后的金属层形成导线层。保护层可作为导线层的抗腐蚀层、因具有疏水性可轻易除去制程过程中产生的异物、可作为缓冲层以避免激光图案化制程对基材产生过度切割、以及可提升导线层之加工质量有益于电性表现，例如提高利用的面积和维持导线层的平整性
触控感测模组形成方法

[发明专利]芯片封装结构及其制造方法-CN201710905860.3有效
发明人：王启安;徐宏欣 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片封装结构及其制造方法，其包括基板、芯片、密封体、多个焊球以及图案化金属层。基板具有彼此相对的第一表面以及第二表面。芯片设置于第一表面上且电连接至基板。密封体密封芯片且覆盖于第一表面。图案化金属层位于密封体上。图案化金属层包括至少一凸出部以及由至少一凸出部所定义的至少一凹陷部。凸出部面向密封体。黏着层位于图案化金属层以及密封体之间。黏着层填充于凹陷部中。
芯片封装结构及其制造方法

[发明专利]无抗蚀剂图案化掩模-CN202010254819.6有效
发明人： M·克里斯塔;S·阿米尼 -专利权人： IMEC 非营利协会;鲁汶天主教大学
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明涉及无抗蚀剂图案化掩模以及一种在待图案化层(100)上形成图案化掩模的方法，所述方法包括以下步骤：(a)在待图案化层(100)上提供碳基层(200)；(b)用含卤素基团(400)使碳基层(200)的顶表面(300)官能化；(c)通过以图案化方式使顶表面(300)暴露于能源来部分去除含卤素基团(400)，从而形成包括第一区域(510)和第二区域(520)的图案，所述第一区域具有使表面官能化的含卤素基团(400)，所述第二区域(520)没有使表面官能化的含卤素基团(400)；以及(d)相对于第一区域(510)，在第二区域(520)上选择性形成金属、金属氧化物或金属氮化物(600)。
无抗蚀剂图案化掩模

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN200910159777.1无效
发明人：朴敏;吴旼锡;申明勋;李昌昊;李秉奎;南毓铉;郑胜在;林美花;徐晙荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-07-20 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该制造方法包括：在基板上沉积透明导电层；图案化透明导电层；形成半导体层，该半导体层沉积在所图案化的透明导电层上；图案化半导体层；将金属粉涂覆在图案化的半导体层上；在涂覆有金属粉的半导体层上形成后电极层；以及图案化后电极层和半导体层。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]金属互连结构的制作方法-CN201410265013.1有效
发明人：赵保军 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属互连结构的制作方法，本发明在形成金属线图案的掩膜板中，不仅包括金属线图案对应区，还包括位于金属线图案对应区的散射条，对两者进行光学临近修正得到修正后的掩膜板。上述方案利用散射条改变位于导电插塞处的光刻胶的光强分布，使得曝光后的图案化光刻胶一方面具有一定程度收缩，以该图案化光刻胶为掩膜刻蚀第二介质层所形成的沟槽完全暴露出导电插塞，在其内填充的金属线图案能完全覆盖该导电插塞，另一方面又使得图案化的光刻胶收缩程度不至于过大造成该光刻胶崩塌剥落，对应沟槽内填充的相邻金属线图案不连通。
金属互连结构制作方法

[发明专利]电路板结构及其制造方法-CN201910667950.2有效
发明人：林贤杰 -专利权人：南亚电路板股份有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：此方法包含提供核心基板；形成绝缘层于核心基板上；形成图案化金属层于绝缘层上，其中图案化金属层包含线路层和焊垫；形成第一金属柱于焊垫上，其中第一金属柱具有顶面；以及形成第一防焊层于图案化金属层及第一金属柱上，其中第一防焊层具有第一开口使第一金属柱露出，且第一开口具有底面，其中第一金属柱的顶面高于或等于第一开口的底面。
电路板结构及其制造方法

[发明专利]导线结构及其制造方法-CN201410815760.8在审
发明人：王裕铭;林圣玉;陈威远;王凯骏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种导线结构及其制造方法，其可通过形成一图案化的触发材料层于一基板上、活化图案化的触发材料层、和在图案化的触发材料层上方形成一导电层，导电层的图案是相应于图案化的触发材料层，图案化的触发材料层和上方的导电层形成导线结构，形成的导线结构保持高导电特性；其中图案化的触发材料层至少包括40wt％～90wt％的高分子材料和10wt％～60wt％的触发子，触发子选白有机金属化合物、金属粒子或其混合物。
导线结构及其制造方法