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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202011451010.9在审
发明人：孟凡顺;陈耀祖;陈忠奎;易芳;舒思桅 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有金属层。在所述金属层上形成图案化光刻胶层。通入碳氢化合物气体，以在所述图案化光刻胶层表面形成一钝化层。以图案化光刻胶层和所述钝化层为掩模，刻蚀所述金属层，以形成金属线。因此，本发明通过通入碳氢化合物气体，使得图案化光刻胶层与之反应而产生钝化层。在钝化层的保护下，提高金属层相对于图案化光刻胶层的刻蚀选择比，则在相同的刻蚀条件下，完成刻蚀金属层后，图案化光刻胶层仅被消耗一小部分，从而能够保证金属层的顶端不被削圆或削尖。故本发明不仅能够保证金属层顶部的平坦形貌，还无需增加光刻胶层的厚度，符合更小关键尺寸的设计要求。
半导体器件制备方法

[发明专利]触控面板的制造方法-CN201210053189.1有效
发明人：曾光义;康良豪;蔡乙诚 -专利权人：华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：形成第一感测串行、第二感测串行与传输线的方法包括：以一道光罩进行一图案化制程使一透明导电层与一金属层图案化为一图案化透明导电层以及一图案化金属层。图案化透明导电层包括第一感测串行的多条第一透明桥接线及位于周边区的多条透明传输线。图案化金属层包括位于周边区的多条金属传输线。透明传输线与金属传输线迭置以构成传输线。
面板制造方法

[发明专利]忆阻器电极及其制备方法、忆阻器和阻变式存储器-CN201880013254.3在审
发明人：姚国峰;沈健 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该方法，包括：a.在基底上沉积金属硼化物薄膜；b.对金属硼化物薄膜进行退火处理；c.在金属硼化物薄膜表面形成一光刻胶层，对光刻胶层进行光刻以形成与预定电极图案对应的光刻图案；d.以光刻图案为掩膜，采用离子束对金属硼化物薄膜进行刻蚀，以将金属硼化物薄膜形成所述预定的电极图案。本发明利用金属硼化物制备的忆阻器电极完全兼容CMOS制造工艺，并且可以改善包括该忆阻器的RRAM的产品性能。
忆阻器电极及其制备方法阻变式存储器

[发明专利]多层堆栈栅极结构及其制作方法-CN200510078077.1有效
发明人：马谛尔斯·高尔德巴;法蓝克·雅库波斯其;蓝夫·库波;赖朝文;克莉丝汀·舒波克;密夏·舒密特;黄承智 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制作一应用于场效晶体管的多层栅极堆栈结构的方法，该方法包含有：依次沉积一多晶硅层、一过渡金属界面层、一金属氮化物阻绝层、以及一金属层于一栅极介电层上；图案化该金属层及该阻绝层，并选择性地及于该界面层，以暴露出部分该界面层；以图案化之该金属层及该阻绝层为屏蔽，图案化该界面层，并选择性地及于该多晶硅层；以及以图案化之该金属层、该阻绝层及该界面层为屏蔽，图案化该多晶硅层，并选择性地及于该栅极介电层。
多层堆栈栅极结构及其制作方法

[发明专利]元件内埋式半导体封装件的制作方法-CN201210193779.4有效
发明人：藤川治;孙奇;杨中贤;杨伟雄 -专利权人：健鼎（无锡）电子有限公司
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：提供金属基板。形成一金属层于金属基板上，其中金属层包覆金属基板。金属层具有彼此相对的上表面与下表面及连接上表面与下表面的第一侧表面。形成图案化光致抗蚀剂层于金属层上，其中图案化光致抗蚀剂层暴露出部分上表面与部分下表面。形成多个接垫于图案化光致抗蚀剂层所暴露出的金属层的上表面及下表面上，且图案化光致抗蚀剂层包覆各接垫的第二侧表面。移除图案化光致抗蚀剂层，以暴露出接垫的第二侧表面。设置多个电子元件于接垫上。压合一绝缘层于金属层上，且绝缘层覆盖电子元件、接垫及部分金属层。
元件内埋式半导体封装制作方法

[发明专利]封装结构及其制作方法-CN201510437673.8有效
发明人：潘玉堂;邱士峯 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：基板包括核心层、防焊层、第一及第二图案化金属层。核心层包括相对的第一及第二表面。第一及第二图案化金属层分别设置于第一及第二表面。第二图案化金属层包括多个焊垫及金属垫。焊垫具有第一厚度，金属垫的最大厚度大于第一厚度。防焊层覆盖第二表面且局部暴露出焊垫与金属垫。防焊层的最大厚度与金属垫的最大厚度相等。芯片设置于第一表面并电性连接第一图案化金属层。金属垫在第二表面上的分布范围与芯片在第二表面的正投影重叠。封装胶体设置在第一表面上并覆盖芯片及第一图案化金属层。本发明可有效提高封装结构的结构可靠度以及制程的良率。
封装结构及其制作方法

[发明专利]触控面板与其制法、与其所组成的显示装置-CN201110245342.6有效
发明人：赵倢妤;陈冠豪;谢嘉铭;廖维仑 -专利权人：奇美电子股份有限公司;群康科技(深圳)有限公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：触控面板包括：一基板，具有一可视区与一位于可视区边缘的边框区；一图案化透明导电层，形成于基板之上，其中位于可视区的图案化透明导电层具有触控感应功能；以及一图案化金属层，形成于图案化透明导电层上且形成于边框区，其中图案化金属层具有一接触区与连接接触区的一走线区，且至少部分的该接触区重叠于图案化透明导电层，且图案化金属层的接触区的形成位置与图案化透明导电层的形成位置之间的偏移量小于150μm。
面板与其制法组成显示装置

[发明专利]凸块的制造方法与晶片封装结构-CN200510108091.1无效
发明人：王俊恒 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：该凸块的制造方法，先在一基板上形成一第一金属层。接着，在第一金属层上形成一图案化第二金属层。紧接着，在图案化第二金属层上形成多个平顶凸块。最后，图案化第一金属层，以形成多个接垫与连接至这些接垫的多条导线。
制造方法晶片封装结构

[发明专利]TFT阵列基板及显示面板-CN201810805877.6有效
发明人：方俊雄;吴元均;吕伯彦 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该TFT阵列基板包括图案化的金属氧化物主动层、栅极金属层，以及源漏极金属层，进一步包括至少一图案化的吸氢金属层，所述吸氢金属层与图案化的金属氧化物主动层之间设有介电层。本发明的TFT阵列基板及显示面板，能够减少氢原子与金属氧化物TFT主动层的反应，达到改善TFT信赖性的目的。
tft 阵列显示面板

[发明专利]金属表面图案化的方法及其结构-CN200910221943.6无效
发明人：萧钦群 -专利权人：滨川企业股份有限公司
申请日： 2009-11-23 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C25D11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金属表面图案化的方法，其包含先以一化学或物理处理清洗金属基材，再对金属基材进行抛光处理。接着，对金属基材进行一阳极氧化处理以形成一多孔氧化膜于金属基材表面，其中多孔氧化膜具有孔径介于20纳米至400纳米之间的多个孔洞。再提供一图案层以印刷方式让油墨粒子吸附于多孔氧化膜的孔洞中，其中油墨粒子的粒径介于10纳米至300纳米之间。最后进行封孔处理以形成一连续覆盖于多孔氧化膜表面的封孔层。
金属表面图案方法及其结构

[发明专利]在基底上图案化沉积金属的方法-CN200780047825.7有效
发明人：马修·H·弗赖;特雷西·J·贝尼纳德;罗克珊·A·伯默尔 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H05K3/18 文献下载
摘要：一种制品，包括聚合膜，所述聚合膜具有主表面、所述主表面上的催化剂材料的不连续层和所述催化剂材料上的金属图案。所述催化剂材料的不连续层的平均厚度小于200埃。本发明还公开了形成这些制品的方法。
基底图案沉积金属方法

[发明专利]用于制造图案化的金属涂层的方法-CN201480069139.X有效
发明人： P.W.德奥利韦拉;T.多尔;K.莫 -专利权人：新型材料莱布尼兹研究所公益性有限责任公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C23C18/14 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造图案化的金属涂层的方法，在该方法中，将包括至少一种活性物质的引发剂组合物添加至基底。将包括用于金属层的至少一种前体化合物的前体组合物施加至所述引发剂组合物涂层。然后通过所述活性物质沉积出金属层。将至少一种组合物作为乳液施加以实现所得到的金属层的图案化。
用于制造图案金属涂层方法

[发明专利]具有精细线金属化的光电设备及制造方法-CN201680036133.1在审
发明人：艾德里安·布鲁斯·特纳;博纳维尔·德贞·艾格斯顿;奥利弗·夏特威丝曼;道格拉斯·爱德华·克拉夫 -专利权人：泰特拉桑有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：一用于形成光电设备的方法，包括形成一金属膜在掺杂的半导体上；形成一图案化抗蚀体于所述金属膜上；蚀刻所述金属膜；形成一介电层于所述掺杂的半导体和所述抗蚀体上；以及施加激光给图案化的抗蚀体，以去除所述图案化的抗蚀体，所述激光具有由图案化抗蚀体吸收通过介电层的波长。
具有精细金属化光电设备制造方法

[发明专利]提供具有高导电性的图案化金属层的组合物和方法-CN200880112842.9无效
发明人： F·高;L·K·约翰逊;R·L·科伊泽延;D·E·基斯;I·马拉乔维奇;R·S·希菲诺;F·C·小宗斯特希 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： B41M5/382 文献下载
摘要：本发明公开了用于制备具有高导电性的金属图案的方法，所述方法包括通过热成像法提供包含在底部基板上图案化的催化剂层的图案化基板，随后通过镀覆提供金属图案。所提供的金属图案适用于电气器件，包括电磁干扰屏蔽罩和触摸板传感器。
提供具有导电性图案金属组合方法

[发明专利]用于提供具有高导电性的图案化金属层的负像法-CN200880112847.1无效
发明人： F·高;L·K·约翰逊;R·L·科伊泽延;I·马拉乔维奇;J·S·梅斯;K·G·夏普;F·C·小宗斯特希;S·阿格拉瓦尔 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H05K3/04 文献下载
摘要：本发明公开了用于制备具有高导电性的金属图案的负像法，所述方法包括提供图案化基板，其通过热成像法随后镀覆以提供金属图案，所述基板包含在底部基板上图案化催化剂层。所提供的金属图案适于电气器件，包括电磁干扰屏蔽装置和触摸板传感器。
用于提供具有导电性图案金属负像法

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