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[发明专利]一种阵列基板及其制作方法-CN201710423125.9有效
发明人：张嘉伟 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制作方法，该方法包括：在基板上依次形成缓冲层和非晶硅层，对所述非晶硅层进行激光退火处理以形成多晶硅层；对所述多晶硅层进行离子掺杂，以形成半导体层；在所述半导体层上形成第一绝缘层，并通过所述第一绝缘层中的氢作为氢源对所述半导体层进行氢化；在所述第一绝缘层上依次形成第一金属层、第二绝缘层以及第二金属层，其中对所述第一金属层进行图形化处理，得到栅极；对所述第二金属层进行图形化处理形成源极和漏极
一种阵列及其制作方法

[发明专利]自对准图形结构的制备方法-CN201910362619.X在审
发明人：王科;李天慧;杨瑞鹏 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种自对准图形结构的制备方法，包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成图形化光刻胶层，图形化光刻胶层包括若干个图形结构；对图形化光刻胶层进行处理，以于各图形结构的侧壁及上表面形成聚合物层；使用含硅气体对聚合物层进行处理，以将聚合物层转化为含硅材料层；对含硅材料层进行处理，以将含硅材料层转化为自对准图形结构材料层；去除位于图形结构的上表面的自对准图形结构材料层；去除图形化光刻胶层。
对准图形结构制备方法

[发明专利]文件处理方法、装置、存储介质、处理器及电子装置-CN202010500654.6在审
发明人：吴伟林 -专利权人：网易（杭州）网络有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种文件处理方法、装置、存储介质、处理器及电子装置。该方法包括：接收图形化工具发送的图形化工具文件和第一自定义事件，其中，图形化工具文件是由图形化工具上目标节点图导出的可执行文件，目标节点图包括：多个节点以及多个节点之间的连接关系，第一自定义事件用于触发客户端执行与可执行文件对应的图形化工具流程；基于第一自定义事件执行图形化工具流程，并实时反馈执行结果。本发明解决了相关技术中无法通过可视的图形化工具对客户端与服务端模型进行逻辑流程控制的技术问题。
文件处理方法装置存储介质处理器电子

[发明专利]面向开发工具的图形化日志呈现方法-CN201910954619.9在审
发明人：郭盛;柴晓伟;赵梦洁 -专利权人：北京网聘咨询有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G06F8/34 文献下载
摘要：本发明公开了面向开发工具的图形化日志呈现方法，包括以下步骤：收集开发过程中的日志；给所述日志配置属性，进行格式化处理；对所述日志进行解析并结合所述属性，对所述日志进行分类；将分类后的所述日志通过widget以及，面向开发工具的图形化日志呈现装置，电子设备和存储介质。本发明的方法使得日志呈现更简洁，便于开发者更高效地找到有效的日志信息，提高了开发效率。
日志开发工具图形化格式化处理呈现装置存储介质电子设备界面显示开发过程开发效率配置属性日志信息分类解析开发

[发明专利]图形化远程教学系统以及图形化远程教学方法-CN201910813234.0在审
发明人：高勇;杨洁 -专利权人：高勇
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： G09B5/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种图形化远程教学系统，包括：教师终端；教室管理装置；多个学生操作器；以及云端服务器，其中，学生操作器对图形化教育画面进行显示让学生进行图形化答题或图形化创作，云端服务器将接收到的像素坐标序列所代表的图形化答题或创作信息，以及图形化答题与创作的设计思路进行处理，并与学生操作器对应地存储到学习信息存储部中。该系统以图形化方式帮助教师进行课堂教学效果和教学过程的数据跟踪、统计和分析，同时将以图形化方式帮助家长获得学生学习效果以及学习思考过程的反馈，其铺设成本远低于现有的类似系统，能够以极低成本实现图形化远程教学本发明还提供了一种图形化远程教学方法以及另一种图形化远程教学系统。
图形化学生操作答题远程教学系统图形化方式云端服务器远程教学课堂教学效果创作信息教师终端教室管理教学过程数据跟踪像素坐标学生学习学习信息存储部低成本创作存储帮助铺设反馈家长教师统计学生分析教育学习

[发明专利]高质量半导体薄膜及其制备方法和应用-CN202210066452.4在审
发明人：孙钱;黄应南;刘建勋;孙秀建;詹晓宁;高宏伟;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：所述制备方法包括：第一步骤，包括对硅衬底表面进行微纳图形化处理以获得图形化衬底；第二步骤，包括在所述图形化衬底上生长形成半导体材料薄膜；所述半导体材料薄膜由六方晶系半导体材料形成，并且所述第一步骤包括：在硅衬底表面形成多个多边形图形，并使所述多边形图形的任意一条边与所述硅衬底的11‑2晶向和所述半导体材料的10‑10晶向之中的任意一者之间的偏角均在15°以内。
质量半导体薄膜及其制备方法应用

[发明专利]蓝宝石图形化衬底的制备方法-CN201410618591.9在审
发明人：何源;谢祥同;何精明 -专利权人：苏州瀚墨材料技术有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝宝石图形化衬底的制备方法，包括如下步骤：S1：提供蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上制备高反射率的多层介质薄膜；S2：在多层介质薄膜上沉积铝膜；S3：通过掩膜和刻蚀获得图形化结构；S4：去除掩膜；S5：低温热处理，使图形化结构中的铝膜充分氧化为图形化多晶三氧化二铝膜；高温热处理，使图形化多晶三氧化二铝膜转化为单晶三氧化二铝膜。与现有图形化技术相比，本发明制作方法通过先制作图形化金属铝，在通过分段氧化的方法形成蓝宝石结构，降低了制作工艺难度和制作成本。本方法中的图形化结构包括多层介质反射层，以此制作的图形化衬底能大大提高光的取出效率，从而提高LED器件发光效率，具有重大的意义。
蓝宝石图形衬底制备方法

[发明专利]一种P型薄膜晶体管及其制备方法-CN201810016577.X在审
发明人：余明爵;徐源竣 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种P型薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括下述步骤：在缓冲层上形成P型材料有源层；在有源层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上沉积金属形成栅极金属层；在栅极金属层上形成光阻层，并图形化光阻层；对栅极金属层进行刻蚀形成栅极，使得栅极在图形化的光阻层上的投影位于图形化的光阻层内；利用图形化的光阻层作为阻挡层，对栅极绝缘层进行刻蚀，使得栅极在栅极绝缘层上的投影位于栅极绝缘层内，栅极绝缘层在有源层上的投影位于有源层内；将有源层上位于刻蚀后的栅极绝缘层下方的两侧区域进行导体化处理
栅极绝缘层源层光阻层栅极金属层图形化刻蚀投影导体化制备图形化光阻层沉积金属寄生电容两侧区域缓冲层漏电流阻挡层减小漏极源极

[发明专利]微型金刚石阵列电极及其制备方法-CN202210637799.X在审
发明人：李洋;佟建华;从奥博;姜金华;边超 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：包括：在绝缘层上制备钽金属层；在钽金属层上制备氮化硅保护层并进行第一图形化；在氮化硅保护层上制备二氧化硅牺牲层并进行第二图形化；在二氧化硅牺牲层上制备金刚石薄膜层并进行第三图形化。本发明采用MEMS技术结合二氧化硅牺牲层的图形化处理将BDD薄膜加工成超微电极阵列，进而提高BDD电极在电化学检测中的响应电流密度、提高信噪比和降低检测限。
微型金刚石阵列电极及其制备方法

[发明专利]金属栅极的形成方法-CN201110454121.X有效
发明人：李凤莲;韩秋华;倪景华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有替代栅；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层表面与替代栅表面平齐；在介质层和替代栅表面形成氮化钛层；对所述氮化钛层进行氧化处理，在氮化钛层表面形成二氧化钛层；在二氧化钛层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有对应替代栅的第一开口；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀二氧化钛层和氮化钛层，形成暴露替代栅表面的第二开口；以所述图形化的光刻胶层和氮化钛层为掩膜
金属栅极形成方法

[发明专利]基于大数据技术的工程内控数据可视化处理系统及方法-CN202310072094.2在审
发明人：王开志;王开向;王涌;龚峰平;邱鹏;杜凯 -专利权人：北京至臻云智能科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F16/215 文献下载
摘要：本发明提出一种基于大数据技术的工程内控数据可视化处理系统及方法，其中可视化处理系统包括：业务系统，用以提供数据库接口，传输数据至数据仓库；数据仓库，用以将从业务系统获取的数据进行分层规划，对数据进行标准化转换、统计与分析处理，形成统计分析数据，并推送至关系型数据库；可视化工具，用以对接关系型数据库，将统计分析数据进行图形化展示。本发明通过对各业务系统的数据进行抽取，进一步进行统计与分析处理，最终生成统计分析数据并推送至关系型数据库，供可视化工具进行图形化展示，解决了各个系统之间的数据格式不统一，各系统数据的录入、处理与展示相对独立
基于数据技术工程内控可视化处理系统方法

[发明专利]双镶嵌结构的形成方法-CN200610116906.5有效
发明人：范瑾巍;赵永红;高俊涛;王向东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种双镶嵌结构的形成方法，包括：提供一表面至少具有一导电区域的衬底；在所述衬底上形成一刻蚀停止层；在所述衬底上形成一层间介电层；利用光刻胶对所述层间介电层进行通孔的图形化处理及刻蚀处理，形成通孔；在所述通孔内填充光刻胶牺牲层；进行加热处理；去除所述光刻胶牺牲层；利用光刻胶对所述层间介电层进行沟槽的图形化处理，并刻蚀形成沟槽，且所述沟槽下方至少有一个所述通孔；在所述沟槽和所述通孔中填充导电材料；对所述导电材料进行研磨处理
镶嵌结构形成方法

[发明专利]一种面向图形化金刚石薄膜制备的微增减材复合制造方法-CN201711498142.5有效
发明人：崔雨潇;林彬 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种面向图形化金刚石薄膜制备的微增减材复合制造方法，包括：利用激光刻蚀在金刚石薄膜表面进行图形化微细加工，实现微减材制造；利用化学气相沉积对图形化的金刚石薄膜进行再沉积处理，包括：去除图形化金刚石薄膜表面的非金刚石碳相，修复图形化金刚石薄膜表面损伤，同时去除图形化金刚石膜内激光刻蚀加工残余应力，实现微增材制造；重复上述过程，直至形成微细结构完整的图形化金刚石薄膜。本发明能够实现微增材制造，最终获得高质量、高精度并且微细结构完整的图形化金刚石薄膜。
一种面向图形金刚石薄膜制备增减复合制造方法

[发明专利]一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法及应用-CN201710248869.1在审
发明人：刘铎;赵东方;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法，包括通过在LED芯片外延结构施加载荷、形成图形化，进而提高LED光提取效率。本发明控制施加在LED芯片外延结构的载荷大小或加工图形的深度、宽度等参数，对LED芯片外延结构进行图形化处理，进而提高LED光提取效率。本发明可应用于各种结构的GaAs基LED、GaN基LED和OLED表面的粗化及刻蚀，具有适用材料范围广、加工面积大、图形的深度和宽度等加工参数严格可控、对材料损伤小、精度高、效果好等优点，适合大规模批量性生产
一种基于纳米划痕技术提高 led 提取效率方法应用

[发明专利]图形化掩膜层的制备方法和半导体结构的制备方法-CN202210464954.2在审
发明人：李乐;叶蕾;胡林辉;黄永彬;王峰 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种图形化掩膜层的制备方法和半导体结构的制备方法。图形化掩膜层的制备方法包括：提供基底；于基底的表面形成图形化光阻层，图形化光阻层内具有第一开口，第一开口暴露出基底的表面；于开口内及图形化光阻层的表面形成化学修整涂层；对所得结构进行处理，使部分图形化光阻层与化学修整涂层反应，以形成光阻反应层；显影去除化学修整涂层及光阻反应层，以得到图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有第二开口，第二开口暴露出基底的表面。本发明的图形化掩膜层的制备方法不需要刻蚀工艺便能获得图形化掩膜层，因此不会损伤基底，进而不会损伤基底内的源区等结构，可以提升器件性能，降低器件的缺陷数量，提高产品良率。
图形化掩膜层制备方法半导体结构