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[实用新型]冷却系统-CN202221165143.4有效
发明人：宋景亮 -专利权人：曙光数据基础设施创新技术（北京）股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种冷却系统，所述目标单元包括第一换热器件，用于获取目标对象的热量，所述换热单元包括耦合器件和第二换热器件，所述第一换热器件通过所述耦合器件与所述第二换热器件闭环循环连接，在所述第一换热器件、所述耦合器件和所述第二换热器件之间闭环循环流动换热介质，所述散热单元包括冷却器件，所述冷却器件与所述第二换热器件换热连接。因此，基于耦合器件形成的两侧的压力平衡效果，冷却系统在工作时就能够在支路侧中与不同电子元器件连接的通路中独立地调整流向每个电子元器件的换热介质的流量，使换热介质相对于不同电子元器件能够形成均匀的分配，保证冷却系统运行的稳定性，使多个电子元器件均能够获得同等的冷却效果。
冷却系统

[发明专利]LC-VCO的系统设计方法、装置-CN201510212617.4有效
发明人：陈岚;霍允杰;王海永 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种LC‑VCO仿真器模型，包括：NMOS器件和PMOS器件，PMOS器件的漏极与NMOS器件的漏极连接，PMOS器件的源极与直流输入端连接，NMOS器件的源极接地，NMOS器件和PMOS器件的漏极分别与栅极连接该模型具有更高的模型精度，应用于系统设计方法时，通过该模型获得器件的电性图表，进而获得器件参数，进而进行仿真性能参数的判断。
lc vco 仿真器模型系统设计方法装置

[实用新型]堆叠封装器件-CN201220724540.0有效
发明人：陈羽 -专利权人：华为终端有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种堆叠封装器件，包括：至少两个元器件，相互顺序焊接，位于下方的元器件底板的尺寸大于位于上方的元器件的边缘尺寸。本实用新型提供的堆叠封装器件，通过采用位于下方的元器件底板的尺寸大于位于上方的元器件的边缘尺寸，从而保证在位于下方的元器件底板上进行点胶，加固位于上方的元器件，进而保证上方的元器件的稳固性。
堆叠封装器件

[实用新型]一种用于全包胶的元器件、FPC、显示模组及电子设备-CN202221246452.4有效
发明人：杨磊;魏玲枫;樊劼 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种用于全包胶的元器件，包括：元器件本体和元器件保护壳；元器件保护壳包括壳状的元器件胶水壳；元器件胶水壳半包围元器件本体。本实用新型实施例还公开了一种FPC、显示模组及电子设备，通过壳状的元器件胶水壳半包围元器件本体，达到了对元器件全包胶的设计。
一种用于全包胶元器件 fpc 显示模组电子设备

[发明专利]半导体功率器件-CN201810506071.7在审
发明人：刘伟;刘磊;袁愿林;毛振东 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括MOSFET功率器件芯片和IGBT功率器件芯片；所述MOSFET功率器件芯片和所述IGBT功率器件芯片封装在同一个封装体内，其中：所述MOSFET功率器件芯片的源极与所述IGBT功率器件芯片的发射极均接所述封装体的源极引脚；所述MOSFET功率器件芯片的漏极与所述IGBT功率器件芯片的集电极均接所述封装体的漏极引脚；所述MOSFET功率器件芯片的栅极与所述IGBT功率器件芯片的栅极均接所述封装体的栅极引脚。本发明提供的半导体功率器件能够降低半导体功率器件的通态损耗，提高系统效率。
功率器件芯片半导体功率器件封装体芯片漏极通态损耗系统效率芯片封装源极引脚栅极引脚发射极集电极引脚源极封装体内

[发明专利]一种驱动电路和电子器件-CN202110486404.6在审
发明人：窦泽春;忻兰苑;刘斌;漆宇;朱武;魏海山 -专利权人：中车株洲电力机车研究所有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种驱动电路和电子器件。在该驱动电路中，混合开关中并联连接的SI器件和SIC器件的驱动信号经逻辑模块和驱动模块的依次传递，对应到达SI器件的控制端和SIC器件的控制端。由于逻辑电路在SIC器件的驱动信号的电平为关断电平时，将SI器件的驱动信号的电平钳制为关断电平，以及，对SI器件和SIC器件的驱动信号的其他电平进行保持，所以逻辑模块可以在SIC器件关断时，使SI器件始终处于关断，换言之，只有在SIC器件导通时，逻辑模块才允许SI器件导通，因此，该驱动电路保证了SIC器件的先开后关。
一种驱动电路电子器件

[发明专利]一种PCBA元器件缺陷检测方法及装置-CN202310380298.2在审
发明人：周华锋;石智伟 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种PCBA元器件缺陷检测方法及装置，方法包括：通过图像采集装置采集待检测PCBA图像，得到待检测元器件图像；采用预置YOLO检测模型对待检测元器件图像进行目标检测，得到目标元器件图像，目标元器件图像包括元器件类别和元器件中心坐标；采用预置文本识别模型对目标元器件图像中的文本字符进行预置角度识别，得到元器件文本信息，元器件文本信息包括文本内容和文本中心坐标；根据基准样本信息、目标元器件图像和元器件文本信息进行缺陷对比检测，得到元器件缺陷检测结果本申请能够解决现有技术要么操作过于复杂，要么适配度低，无法满足PCB元器件缺陷检测要求的技术问题。
一种 pcba 元器件缺陷检测方法装置

[发明专利]一种半导体器件模型的建模方法及相关设备-CN202211336724.4在审
发明人：王成成;卜建辉;高立博;闫珍珍;郭燕萍;许婷;赵发展;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件模型的建模方法及相关设备，涉及半导体技术领域，能够提高建模得到的电子半导体器件模型的适用温度范围。半导体器件模型的建模方法，包括：根据对半导体器件实际测试得到的器件高温数据，对已有半导体器件模型进行参数提取，得到半导体器件高温模型，其中，所述器件高温数据对应的测试环境温度范围超出所述已有半导体器件模型对应的环境温度范围；在所述半导体器件高温模型中嵌入亚阈值漏电温度模型，得到优化版半导体器件高温模型；根据所述器件高温数据，对所述优化版半导体器件高温模型进行温度参数的提取，得到终版半导体器件高温模型。
一种半导体器件模型建模方法相关设备

[发明专利]用于集成的MEMS器件的装置和方法-CN201780034773.3有效
发明人：李彬;郭明宏;陈文志;蔡文森 -专利权人：动立方公司
申请日： 2017-04-04 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种用于MEMS器件的方法包括：接收具有设置在粘合基板上的多个器件并具有相关的已知良好器件数据的切割晶片；响应于已知良好器件数据，从粘合基板移除来自多个器件的第一组器件；拾取第一组器件并将其放置到测试平台内的多个插座中；测试第一组集成器件，包括：在对第一组器件施加物理应力时，向第一组器件提供电力并接收来自第一组器件的电响应数据；响应于电响应数据，从第一组器件确定第二组器件；拾取第二组器件并将其放置到传输带介质中。
用于集成 mems 器件装置方法

[发明专利]开关LDMOS器件的制造方法-CN202010817030.7有效
发明人：张晗;杨新杰;金锋;乐薇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请公开了一种开关LDMOS器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成有源区；在CMOS区域形成CMOS器件的第一阱区；在衬底表面形成栅氧化层；形成CMOS器件的栅极和开关LDMOS器件的栅极；在开关LDMOS区域形成开关LDMOS器件的第二阱区，第一阱区与第二阱区不相同；形成开关LDMOS器件的高压掺杂区；形成器件的栅极侧墙；形成CMOS器件和开关LDMOS器件的源区、漏区；解决了目前集成制作CMOS器件和开关LDMOS器件，开关LDMOS器件的性能受到CMOS器件限制的问题；达到了提升开关LDMOS器件的性能，满足新的应用场景的效果。
开关 ldmos 器件制造方法

[发明专利]大功率牵引变流器功率模块-CN201010286743.1无效
发明人：王建新;陈贻堃;段三丁;孙得金;王婷 -专利权人：武汉正远铁路电气有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种大功率牵引变流器功率模块，包括功率器件、功率器件驱动电路、功率器件驱动电源、低感母排、散热板及模块框架，所述功率器件驱动电路驱动对应的所述功率器件，所述功率器件驱动电源为所述功率器件驱动电路提供直流电源所述功率器件均匀对称地排布在所述散热板上，所述低感母排安装在所述功率器件上，所述功率器件、功率器件驱动电路、功率器件驱动电源、低感母排及散热板收容在所述模块框架内。本发明采用合理化的结构布置将功率器件及其相关元器件组合成的功率模块，在简化结构的同时也使安装和维修更加方便。
大功率牵引变流器功率模块

[实用新型]大功率牵引变流器功率模块-CN201020535591.X有效
发明人：王建新;陈贻堃;段三丁;孙得金;王婷 -专利权人：武汉正远铁路电气有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种大功率牵引变流器功率模块，包括功率器件、功率器件驱动电路、功率器件驱动电源、低感母排、散热板及模块框架，所述功率器件驱动电路驱动对应的所述功率器件，所述功率器件驱动电源为所述功率器件驱动电路提供直流电源所述功率器件均匀对称地排布在所述散热板上，所述低感母排安装在所述功率器件上，所述功率器件、功率器件驱动电路、功率器件驱动电源、低感母排及散热板收容在所述模块框架内。本实用新型采用合理化的结构布置将功率器件及其相关元器件组合成的功率模块，在简化结构的同时也使安装和维修更加方便。
大功率牵引变流器功率模块

[实用新型]可灵活增减的多器件多单元的回线式线路连接结构-CN201820107540.3有效
发明人：刘华旺 -专利权人：刘华旺
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： F21V23/00 文献下载
摘要：一种可灵活增减的多器件多单元的回线式线路连接结构，其包括多个发光器件或照明器件、电源插头或输入端子、电源插座或输出端子，多个发光器件或照明器件分成多个集合单元，每个集合单元包括至少两个发光器件或照明器件，各集合单元的多个发光器件或照明器件并联连接，且多个集合单元串联连接成总集合单元。本实用新型在多器件组合使用情况下，不会因某个单元或某些器件发生故障而影响组合器件的正常使用，因而可有效保持线路电压稳定及正常工作，并可按实际需要增加或减少发光器件和照明器件数量。
发光器件照明器件集合线路连接结构多单元回线器件发生故障本实用新型并联连接单元串联电源插头电源插座输出端子输入端子线路电压组合器件总集合灵活

[实用新型]电子设备及其电声器件支架、天线与电声器件的集成模块-CN201821748851.4有效
发明人：吴寿宽 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种电子设备及其电声器件支架、天线与电声器件的集成模块。天线与电声器件的集成模块包括：电声器件支架、电声器件、以及天线模组。电声器件支架包括电声器件装设部、侧壁以及底壁。侧壁连接于电声器件装设部；底壁连接于电声器件装设部及侧壁，底壁与侧壁、电声器件装设部共同形成音腔。底壁背离音腔的一侧形成天线模组容置部。电声器件设置于电声器件装设部。天线模组设置于底壁背离音腔的一侧。上述的电子设备中，将电声器件与天线模组集成地设置于电声器件支架上，有利于电子设备的薄型化设计。
电声器件装设部底壁支架电子设备天线模组集成模块侧壁音腔天线背离薄型化设计侧壁连接容置部申请

[实用新型]重金属渗滤液处理装置-CN202120417774.X有效
发明人：陈国强;杨晓松;邵立南 -专利权人：矿冶科技集团有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种重金属渗滤液处理装置，涉及废水治理技术领域，本实用新型提供的重金属渗滤液处理装置，包括：集水器件、预处理器件和重金属处理器件；在重力的作用下，水流具有依次流经集水器件、预处理器件和重金属处理器件的趋势；集水器件与预处理器件可拆卸连接，且集水器件与预处理器件流体连通；预处理器件与重金属处理器件可拆卸连接，且预处理器件与重金属处理器件流体连通。
重金属渗滤处理装置