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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光元件-CN200810129294.2有效
发明人：徐大正;蔡孟伦 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种发光元件，至少包含一发光层、一第一导电型局限层以及一第二导电型局限层，其中第一导电型局限层与第二导电型局限的厚度不同，使发光元件中沿外延生长方向的光强度分布曲线的峰值区域与发光层在空间上不相互重叠
发光元件

[发明专利]发光元件-CN200810008564.4有效
发明人：谢明勋;许嘉良 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光元件，包含第一透光层；发光叠层，形成于该第一透光层上；第二透光层，形成于发光叠层上；以及图案化接触结构，至少形成于发光叠层及该第一透光层之间或发光叠层及第二透光层之间，且图案化接触结构与发光叠层形成电连接
发光元件

[发明专利]发光元件-CN200810001299.7有效
发明人：吕志强;骆武聪;洪圣峰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-01-17 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，至少包含：一基板、一绝缘层、一接合层、一外延结构、一第一反射层、一第二反射层、一第一电极及一第二电极。其中，该第一电极及该第二电极位于该外延结构的同一平面上。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN200810002939.6有效
发明人：谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明披露一种发光元件，包括非半导体载体；接合层，位于该非半导体载体之上；反射层，位于该接合层之上；图案化导电层，位于该反射层之上；及发光叠层，位于该图案化导电层之上，其中该图案化导电层被介电层包围。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201680077003.2有效
发明人：洪俊喜;徐在元 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：实施例涉及一种发光元件，该发光元件能够通过增加在第一电极和第一半导体层之间的接触面积使电流容易地扩展并且改进驱动电压，并且包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；凹槽，其通过底表面暴露第二半导体层并且并且通过去除发光结构经由侧表面暴露第一半导体层
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201810356708.9有效
发明人：大泽信晴;野中裕介;石曾根崇浩;濑尾哲史;川田琢也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及发光元件、显示模块、照明模块、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置。本发明提供一种发光元件，包括：一对电极；以及所述一对电极之间的EL层，其中，所述EL层包括第一发光层、第二发光层以及设置在所述第一发光层和所述第二发光层之间的第一层，所述第一发光层的发射光谱存在于比所述第二发光层的发射光谱短波长一侧，所述第一发光层包括荧光物质和主体材料，所述荧光物质在所述第一发光层中发射光，所述第二发光层包括能够将三重态激发能转换为发光的物质，所述主体材料的单重态激发能级比所述荧光物质的单重态激发能级高，并且所述主体材料的三重态激发能级比所述荧光物质的三重态激发能级低
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201410743728.3有效
发明人：佐藤纮介;榎村惠滋 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够降低电流密度分布的偏差的发光元件。本发明的发光元件在第一导电型半导体层及第二导电型半导体层上分别具有第一电极及第二电极，第一电极及第二电极配置于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层的同一面侧，其中，俯视观察，第一电极及第二电极分别具有第一连接部
延伸部导电型半导体层第二电极第一电极发光元件第二连接部第一连接部延伸平行电流密度分布俯视观察直线状地垂直的同一面配置

[发明专利]发光元件-CN201810460633.9有效
发明人：高慧芳;陈怡名;李世昌;吕志强 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具一第一侧壁，一第二侧壁相对于该第一侧壁，一出光表面以及一接触表面相对于该出光表面，该第一侧壁与该第二侧壁连接该出光表面以及该接触表面；一电极具有一宽度，该电极位于该出光表面上且与该第一侧壁之间的直线距离不大于约
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201710403960.6有效
发明人：吴俊德;王信介;赖彦霖 -专利权人：英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光元件，包含一磊晶结构，磊晶结构包含一第一型半导体层、一第二型半导体层与一发光层。第一型半导体层包含一第一子半导体层，发光层设置于第一型半导体层与第二型半导体层之间，第一子半导体层具有掺杂第一型掺杂物的一高掺杂部与一低掺杂部，高掺杂部的掺杂浓度大于10
第一型半导体层立方厘米原子数第二型半导体层掺杂半导体层发光元件磊晶结构低掺杂发光层高掺杂掺杂物

[发明专利]发光元件-CN201780015120.0有效
发明人：佐佐田敏明;福岛大介;田中慎也 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供亮度寿命优异的发光元件。一种发光元件，其具有阳极、阴极、以及设置于阳极和阴极之间的第一有机层及第二有机层，第一有机层为含有式(1)所示的磷光发光性化合物和式(H)所示的化合物的层，第二有机层为含有交联材料的交联体的层。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201780019712.X有效
发明人：佐佐田敏明;横家星一郎 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，是具有阳极、阴极、设于阳极与阴极之间的第一有机层、以及与第一有机层相邻地设于阳极与阴极之间的第二有机层的发光元件，第一有机层是含有荧光发光性低分子化合物的层，第二有机层是含有高分子化合物的交联体的层
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201310500242.2有效
发明人：廖文禄;郑鸿达;张耀儒;陈世益;许嘉良 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一发光元件，包含：一发光叠层，至少包含一活性层；一透明绝缘层位于发光叠层之上，透明绝缘层具有一边缘；及一电极区，包含一第一电极位于透明绝缘层之上，且第一电极具有一边缘；其中第一电极远离透明绝缘层的表面的表面积小于透明绝缘层远离发光叠层的表面的表面积
透明绝缘层第一电极发光叠层发光元件穿透率电极区活性层折射率

[发明专利]发光元件-CN201810595145.9有效
发明人：陈世益;许嘉良;徐子杰;巫汉敏;许晏铭;黄建富;陈昭兴;姚久琳;刘欣茂;钟健凯 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光元件包含︰一支持基板、一第一发光元件与一第二发光元件位于该支持基板之上、以及一金属线位于该支持基板上且电连接该第一发光元件与该第二发光元件。其中该第一发光元件包含一第一透明层位于该支持基板上、及一第一发光叠层位于该第一透明层上，且该金属线直接接触该第一透明层。该第一发光叠层具有一第一宽度，该第一透明层具有一第二宽度不同于该第一宽度。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201810645534.8有效
发明人：江啟圣;詹钧翔;李欣浤;范铎正;蔡庭玮;蔡旻锦 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种发光元件，包括基板、主动元件、第一遮光层、透明电极、第二遮光层、光转换层、电致发光结构以及顶电极。主动元件位于基板上。第一遮光层位于主动元件上，且具有第一开口。透明电极位于第一遮光层上，且电性连接主动元件。第二遮光层位于透明电极上，且具有对应第一开口的第二开口。光转换层实质上位于第一开口中。电致发光结构实质上位于第二开口中。电致发光结构位于顶电极以及透明电极之间。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201810770386.2有效
发明人：王佳琨;沈建赋;陈昭兴;杨於铮;叶慧君;古依雯;陈宏哲;林植南 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，该发光元件包括：半导体叠层；反射层，位于半导体叠层之上；第一缓冲层，包括由金属元素及非金属元素所组成的化合物，位于反射层之上；第一电极；以及电性绝缘层，位于第一缓冲层与第一电极之间
发光元件

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