“发光元件”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果976179个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光元件-CN200910207646.6无效
发明人：海野恒弘 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高亮度的发光元件。本发明中涉及的发光元件(1)包括半导体层叠结构(10)、多个凸状部和埋入部(150)，其中，所述半导体层叠结构(10)具有第1导电型的第1半导体层、与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层和夹在第1半导体层和第
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201010193365.2无效
发明人：林俊良;李重君;陈介伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-06-01 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，其包括基板以及有机电激发光元件。基板的内部具有多个经熔融再固化的微结构。有机电激发光元件配置于基板上。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN200910253359.9无效
发明人：今野泰一郎;谷毅彦 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2009-12-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，其能抑制不必要波长的光的放射。本发明所涉及的发光元件(1)，其具有：在其上方设置有活性层(220)的半导体基板(10)；第1反射层(260)，其设置于半导体基板(10)与活性层(220)之间，反射活性层(220)所发出的光；第2反射层
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201010159429.7无效
发明人：畑雅幸;国里竜也 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-02-21 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，其特征在于，包括：具有活性层的半导体元件层；设置在与光射出面相反的一侧的支撑基板，所述光射出面射出由所述活性层生成的光；和设置在所述支撑基板和所述半导体元件层之间的反射膜；所述半导体元件层，隔着所述反射膜与所述支撑基板接合，并且，具有按照从所述支撑基板侧向着所述光射出面成为前端变细的形状的方式相对于所述光射出面倾斜的侧面，所述半导体元件层的相比于所述活性层在所述光射出面侧的厚度比所述半导体元件层的相比于所述活性层在所述支撑基板侧的厚度大
发光元件

[发明专利]发光元件-CN200910173133.8无效
发明人：新井优洋;饭塚和幸 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件的制造成品率高的发光元件。本发明中的发光元件1包括具有第一导电型的第一半导体层、与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层、夹入第一半导体层和第二半导体层之间的有源层105的半导体层压结构10、设置在半导体层压结构10的一个表面侧的对有源层
发光元件

[发明专利]发光元件-CN200910173068.9无效
发明人：新井优洋;饭塚和幸 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2009-09-10 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制造成品率高的发光元件。该发光元件具有：半导体层叠结构(10)，其具有第1导电型的第1半导体层、与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层、夹持于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的活性层(105)；反射层(132)，
发光元件

[发明专利]发光元件-CN200910178220.2无效
发明人：饭塚和幸;新井优洋 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2009-09-27 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光元件包括半导体层压结构、在所述半导体层压结构的一侧表面上的第一电极、在所述半导体层压结构的另一侧表面上用于反射由活性层发出的光的导电反射层、在所述半导体层压结构和所述导电反射层之间局部形成的且与所述半导体层压结构欧姆接触的接触部
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201110370727.5无效
发明人：吕英杰;韦安琪;黄歆斐 -专利权人：富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;晶鼎能源科技股份有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：一种发光元件，包括半导体光源及承载半导体光源的基板，基板内形成有导热通道，导热通道的热传导率高于基板的热传导率。该基板的导热性能优良，可有效对半导体光源散热。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201310225297.7无效
发明人：池田武史;富永刚;杉本和则;长尾和真 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光元件，其是在阳极与阴极之间至少存在发光层，通过电能发光的元件，该元件通过含有含具有特定结构的吡咯甲川骨架的化合物或其金属络合物和并四苯衍生物的发光元件，提供发光效率高且耐久性优异的发光元件
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201010217321.9无效
发明人：李政宪;郭修邑 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2010-07-05 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光元件包括导电基板、金属反射层、具有两种或两种以上折射率相异的材质交互堆叠的多层膜结构、透明导电层及半导体叠层。上述发光元件具有可提高发光效率的优点。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201110317294.7无效
发明人：今野泰一郎 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供发光元件(1)，反射部(210)具有多层成对层，当设光的峰值波长为λp、第1半导体层(210a)的折射率为nA、第2半导体层(210b)的折射率为nB、第1包覆层(220)的折射率为nIn、光入射角为
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201110108640.0无效
发明人：杉森畅尚 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：在半导体发光功能层的一个面形成2个电极的结构的发光元件中，在长度方向上获得均匀的发光强度。半导体发光功能层(20)形成在Si基板(11)上，具有由n型GaN层(第1半导体层)(21)、MQW层(22)和p型GaN层(第2半导体层)(23)构成的层叠结构。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201210067738.0无效
发明人：陈重嘉;林俊良;江伯轩 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种发光元件，包括透明基板、第一电极层、第二电极层、发光层以及光波长调整膜。透明基板具有相对的第一表面与第二表面，第一电极层配置于第一表面，且第一电极层为透明电极层。第二电极层与第一电极层相对，而发光层配置于第一电极层与第二电极层之间。光波长调整膜包括透明层及多个荧光粒子。此发光元件具有较佳的光学性能。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201110418590.6无效
发明人：海野恒弘 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，其包括支撑衬底(20)，设置在支撑衬底(20)上的第一导电型的第一导电型层，设置在第一导电型层上的发射光的活性层(16)，设置在活性层(16)上的与第一导电型不同的第二导电型的第二导电型层
发光元件

[发明专利]发光元件-CN200810095239.6无效
发明人：秋元克弥 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2008-05-05 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，其在抑制放射角产生的发光强度和波长的分散同时，可提高光取出效率。在基板(1)上具有含有发光层(4)的化合物半导体层的发光元件(10)，该发光元件在含有作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面的部分上具备介电率变化结构(11)，该介电率变化结构为，对于介电率不同的两种以上的物质以二维点阵状周期性地交互排列在所述主表面内
发光元件

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top