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[其他]液相电子轰击质谱法及其组合离子源-CN85107273无效
发明人：黄庆文;唐恢同;吴光路;柴文刚;曹绮蓁 -专利权人：中国科学院科学仪器厂
申请日： 1985-10-07 - 公布日： 1987-04-15 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：液相电子轰击质谱法及由它设计的液相电子轰击/快原子轰击组合离子源。本发明涉及仪器零部件领域。其特征是将待分析的样品溶解在底物中，不必加热样品，由能量约70ev电子束直接轰击底物，便可获得类似气相中电子轰击的质谱图。由于分析过程中不必加热离子源和样品，因而减少了本底的严重干扰，使它可方便地与快原子轰击结合起来。在一套装置内用一支进样杆，不必破坏真空，由电开关转换，进行电子轰击或快原子轰击。
电子轰击质谱法及其组合离子源

[实用新型]一种夹持多个基板的溅射夹具-CN202020464843.8有效
发明人：彭海 -专利权人：无锡元核芯微电子有限责任公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种夹持多个基板的溅射夹具，包括溅射炉、基板主体、腔体和夹头，所述溅射炉内部的顶端均匀固定有靶材原子轰击装置，所述溅射炉的下方设置有腔体，且腔体的内部均匀固定有凹槽，所述凹槽的内部均设置有转杆本实用新型通过安装有溅射炉、靶材原子轰击装置、腔体、凹槽、夹头以及基板主体，溅射炉内部的顶端均匀固定有靶材原子轰击装置，靶材原子轰击装置的底部均设置有溅射口，溅射口下方的腔体中均匀通过夹头夹持有基板主体
一种夹持多个基板溅射夹具

[发明专利]多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及装置-CN202210279430.6在审
发明人：严琦;韦亚一;陈睿;龚文华;邵花;李晨 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及装置，包括：定义待刻蚀对象的结构信息，待刻蚀对象包括硅衬底及其上方的多个由锗化硅层/硅层依次堆叠的叠层；定义锗化硅层和硅层各自的刻蚀函数；定义不同深度的左侧发射源和右侧发射源的位置坐标和入射角范围；根据刻蚀时间和待刻蚀对象的结构信息确定要入射的刻蚀粒子的个数；向待刻蚀对象依次入射刻蚀粒子直至刻蚀粒子耗尽，对于每个刻蚀粒子，执行以下操作：计算所述待刻蚀对象上接收所述刻蚀粒子的轰击位置，判断所述轰击位置的原子特性，根据原子特性选择不同的刻蚀函数，当满足刻蚀函数的去除条件时，将所述轰击位置的原子去除，最终得到基本刻蚀轮廓。
多叠层结构原子刻蚀工艺仿真方法装置

[发明专利]改善金刚石表面光洁度的反应轰击方法-CN03105134.0无效
发明人：韩勇;李钒;熊明 -专利权人：中国地质大学(北京)
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： B24B9/16 文献下载
摘要：本发明属于离子束加工的领域，特别涉及改善金刚石表面光洁度的反应轰击方法。采用高能离子束轰击金刚石表面，气体为氧气或氩气和氧气。高能离子与金刚石表面原子发生碰撞与反应、金刚石表面原子能量增大到高于该原子的逸出功时，便飞离其表面，这样就使金刚石表面不断失去原子，其利用的是碰撞与化学反应双重作用，而不仅仅是机械冲刷作用，大大提高抛光的速度本发明特点是利用离子轰击与化学反应进行抛光，提高金刚石表面光洁度，使金刚石表面亮度增强。
改善金刚石表面光洁度反应轰击方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜及其制备方法、装置、太阳能电池-CN201811216853.3在审
发明人：来霸;卫成刚 -专利权人：华夏易能（南京）新能源有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：该方法包括：在惰性气体的等离子体环境下，对带钼膜的衬底蒸发硒；蒸发硒过程中，对衬底施以第一偏置电压值，使惰性气体的等离子体形成等离子体荷能粒子并轰击衬底上的硒原子；在对衬底施加的偏置电压从第一偏置电压值降至第二偏置电压值的过程中，共蒸发铟、镓和硒，使等离子体荷能粒子轰击衬底上的铟原子、镓原子和硒原子；共蒸发铜和硒，得到富铜的薄膜；在对衬底施以第三偏置电压值，且在具有惰性气体的等离子体环境下，共蒸发铟、镓和硒，使等离子体荷能粒子轰击衬底上的铟原子、镓原子和硒原子，得到富铟的铜铟镓硒薄膜。
衬底偏置电压铜铟镓硒薄膜等离子体惰性气体共蒸发硒原子等离子体环境太阳能电池粒子轰击铟原子镓原子制备蒸发等离子体形成晶体结构钼膜薄膜轰击粒子施加

[实用新型]双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备-CN200420068277.X无效
发明人：雷卫武 -专利权人：雷卫武
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型为一种双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备。利用甚低能量的离子在靶材上的动能转换，将靶材原子搬迁出来并在附近的衬底上生长单原子纳米膜或微米膜。同时利用另一离子束在淀积前对靶材或衬底材料进行原位轰击，实现表面材料的原子级清洗；或者轰击正在淀积的薄膜，原位改善薄膜的机械特性和电特性。这种以纳米尺寸的逐原子层淀积的薄膜，实现了不同薄膜层间的原子键合，使得膜层具有了粘附性牢、均匀性和致密性好、极小内应力的优点，大大地提高了薄膜的性能。
离子束溅射原子纳米薄膜设备

[发明专利]一种激光诱发脉冲原子束发生系统-CN201911231939.8在审
发明人：孙平;郑典麟;张凯;冯雷;董春风 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种激光诱发脉冲原子束发生系统，它能够产生的原子束种类多，并且原子束的纯度高、束流强度大、发散度和脉冲频率可调等特点。本发明的有益效果在于：用激光轰击材料表面等离子体，等离子体中的正离子在加速电场作用下加速向同种材料构成的凹镜运动，这些正离子轰击材料表面发生自溅射，从而产生原子束。脉冲原子束的频率与激光脉冲的频率相同。这种原子束发生系统能够产生多种脉冲原子束，并且原子束具有纯度高，原子束流强度和发散度可调节，脉冲频率可调等特点。
一种激光诱发脉冲原子束发系统

[实用新型]一种激光诱发脉冲原子束发生系统-CN201922153968.9有效
发明人：孙平;郑典麟;张凯;冯雷;董春风 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种激光诱发脉冲原子束发生系统，它能够产生的原子束种类多，并且原子束的纯度高、束流强度大、发散度和脉冲频率可调等特点。本发明的有益效果在于：用激光轰击材料表面等离子体，等离子体中的正离子在加速电场作用下加速向同种材料构成的凹镜运动，这些正离子轰击材料表面发生自溅射，从而产生原子束。脉冲原子束的频率与激光脉冲的频率相同。这种原子束发生系统能够产生多种脉冲原子束，并且原子束具有纯度高，原子束流强度和发散度可调节，脉冲频率可调等特点。
一种激光诱发脉冲原子束发系统

[发明专利]在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法-CN200910077648.8有效
发明人：陈小龙;黄青松;王文军;王皖燕;杨蓉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-02-10 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型半导体薄膜材料石墨烯在碳化硅(SiC)基底上外延生长，这种石墨烯在电子束轰击下，强制形核并可控生长。石墨烯的层数可以控制在6层以下，生成区域的平均直径可达厘米量级。制备方法采用真空脉冲电子束轰击。先将SiC去位清洗并将表面氢蚀成原子级平整度的原子台阶。在真空腔中对SiC采用脉冲电子束轰击，形成的石墨烯连成一片；旋转靶台，继续轰击，新生成的石墨烯会与先生成的合并；重复这一过程，可以制备大面积的石墨烯。
碳化硅 sic 基底外延生长石墨方法

[实用新型]离子轰击装置及真空镀膜生产线-CN202221100259.X有效
发明人：张健宁;夏健全;吴洽 -专利权人：中山凯旋真空科技股份有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子轰击装置及真空镀膜生产线，其包括：壳体、轰击板、电连接器和绝缘结构，壳体内部设置有腔体；轰击板安装于所述腔体内，所述轰击板上设置有接线座；电连接器设置于所述壳体，所述腔体内设置有导线，所述接线座与所述电连接器通过所述导线电连接；绝缘结构设置于所述轰击板和所述壳体之间并能够对二者进行绝缘处理。轰击板相比于现有的轰击棒，在其平面一侧不仅拥有更大的有效轰击面积，并且可以直接确定轰击的方向，因此可以有效地提高原子离化的速度，并减少能量的逸散，进而大大提高镀膜的作业效率。
离子轰击装置真空镀膜生产线

[发明专利]一种磁性隧道结的平坦化方法-CN201710224992.X有效
发明人：陈峻;麻榆阳;张云森;郭一民;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性隧道结的平坦化方法，其中，所述磁性隧道结包括非晶态的铁钴硼层，其特征在于，包括以下步骤：采用离子或等离子束轰击所述非晶态铁钴硼层。采用低功率离子或等离子束轰击，使表面原子获得一定动能但不至于逃离，从而将材料由粗糙凸起移至低谷，最终得到原子级平滑度的MTJ多层膜沉积。
一种磁性隧道平坦方法

[发明专利]质子显微镜、波谱仪、能谱仪、微纳加工平台-CN201710122303.4有效
发明人：顾士平;顾海涛 -专利权人：顾士平
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01J37/26 文献下载
摘要：一种质子显微镜、波谱仪、能谱仪、微纳加工平台，能实现质子透射显微功能；质子扫描显微功能；质子能谱分析功能；质子衍射谱功能；质子对原子核冲击能谱分析功能：利用质子束对样品原子核轰击，使原子核发生穆斯堡尔谱线，测量穆斯堡尔谱线的波长，反射、透射质子的能量，分析原子核的成分、含量，同位素元素的成分、含量；质子定向与样品分子结合可在样品分子外延或分子内部添加氢原子：利用质子获得一个电子转变为氢原子，在样品分子外延或分子内部添加氢原子，生成新的物质；质子束对样品的微纳加工功能：质子的质量大，质子束聚焦系统控制下利用质子束持续轰击样品，对样品进行微纳加工；质子束光刻功能。
质子显微镜波谱能谱仪加工平台

[发明专利]团簇离子注入的系统、大原子基团形成方法和超浅结制备方法-CN201710515940.8有效
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供了一种团簇离子注入的系统、大原子基团形成方法和超浅结制备方法，大原子基团的形成包括离子源发生腔中生成等离子体；从离子源发生腔出来的部分等离子体进入靶材腔，轰击靶材，从靶材中轰击出的靶材原子与所述等离子体包括的原子相互碰撞，生成大原子团；从靶材腔出来的大原子团进入基团增大腔中，同时，从离子源发生腔出来的部分等离子体进入基团增大腔，并且所述等离子体包括的电子碰撞从靶材腔出来的大原子团使其带电，从而增加带电大原子团的占比；从基团增大腔出来的带电大原子团进入磁场分析腔，进行荷质比筛选，选择所需荷质比的带电大原子团。本发明实现了离化的大原子基团和利用大原子基团的注入。
离子注入系统原子基团形成方法超浅结制备

[发明专利]氮化物半导体薄膜及制备方法-CN201610797740.1在审
发明人：刁克明 -专利权人：北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物半导体薄膜及制备方法，该氮化物半导体薄膜通过双离子源分别轰击靶材和衬底来制备，其中：在主离子源中充入氩气，产生氩离子束轰击金属靶材，溅射出的金属原子沉积在衬底上；在辅离子源中充入氨气或者氮气，产生氮离子束轰击衬底表面，其中氮离子与沉积在衬底表面的金属原子结合，形成氮化物半导体薄膜。本发明以氩气作为工作气体，通过主离子源生成氩离子束轰击靶材，以氨气或者氮气作为反应气体，通过辅离子源生成的氮离子通过化学反应生成氮化物，并以浅层注入方式直接给衬底表面补充氮离子，能够有效地提高氮化物半导体薄膜中氮元素的含量
氮化物半导体薄膜制备方法

[发明专利]基于原子层刻蚀的表面处理方法及半导体器件-CN202210793071.6在审
发明人：宁殿华;蒋胜;田伟;熊正兵;黄小蕾;李荷琴 -专利权人：苏州英嘉通半导体有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于原子层刻蚀的表面处理方法及半导体器件，所述表面处理方法包括：采用氯化气体对半导体外延结构表面部分区域进行氯化反应，形成氯化层；采用轰击气体轰击氯化层进行刻蚀反应，去除氯化层；采用表面处理气体修复半导体外延结构表面的损伤本发明针对原子层刻蚀后的表面损伤，通过表面处理气体对表面进行修复，可以极大程度的抑制电流崩塌及动态电阻效应，明显改善了半导体器件的可靠性。
基于原子刻蚀表面处理方法半导体器件

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