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[实用新型]一种单晶铜喇叭线-CN201420614927.X有效
发明人：孙逸楷 -专利权人：惠州市秋叶原实业有限公司
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶铜喇叭线，其在结构上包括信号传输导体、用于包覆该信号传输导体的保护层、用于包覆该保护层的第一绝缘层、用于包覆该第一绝缘层的屏蔽层、用于包覆该屏蔽层的第二绝缘层以及用于包覆该第二绝缘层的耐磨保护层，其中，该信号传输导体包括铜箔丝、包覆铜箔丝的第一单晶铜、围绕设置在该第一单晶铜四周的多个第二单晶铜、用于包覆该多个第二单晶铜的抗干扰层以及用于包覆该抗干扰层的绝缘层。
一种单晶铜喇叭

[实用新型]一种复合半导体衬底结构-CN202320687963.8有效
发明人：母凤文;郭超 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种复合半导体衬底结构，所述复合半导体衬底结构包括：支撑衬底、单晶硅层以及碳化硅层；所述单晶硅层设置于所述支撑衬底和碳化硅层之间；所述支撑衬底和单晶硅层之间设置有键合界面层；所述键合界面层的厚度为
一种复合半导体衬底结构

[发明专利]单晶硅薄膜及其制作方法-CN201910264767.8有效
发明人：曲连杰;吕振华 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出了单晶硅薄膜及其制作方法。该制作单晶硅薄膜的方法包括：在第一硅片的第一表面上离子注入形成离子层；在第二硅片的第二表面上热氧化形成氧化层；将第一硅片与第二硅片键合；对键合后的第一硅片与第二硅片进行退火处理，并剥离离子层；对剥离后的单晶硅进行研磨，以获得单晶硅薄膜。本发明所提出的制作方法，可实现在多种不同的衬底表面形成纳米级厚度的单晶硅薄膜，从而能解决单晶硅薄膜应用到玻璃衬底或柔性衬底上的技术难题，并且，该制作方法获得的单晶硅薄膜的迁移率可大于1000cm
单晶硅薄膜及其制作方法

[实用新型]一种CTA冷却退火单晶铜线基-CN201821038985.7有效
发明人：黄增义 -专利权人：佛山市一限天科技有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种CTA冷却退火单晶铜线基，包括线芯，所述的线芯外层设有中空的冷却管，所述的冷却管与所述的线芯的中空处填充有绝缘冷却液，所述的冷却管外层设有绝缘层，所述的绝缘层外层设有屏蔽层，所述的屏蔽层外层设有香菜外被层；本实用新型线芯采用CTA冷却退火单晶铜作为线芯，由于单晶铜线的整根铜杆仅由一个晶粒组成，不存在晶粒之间产生的“晶界”，降低了音频传输信号在线路上的失真和衰减，且单晶铜具有良好的塑性、加工性能、导电性能及高保真信号传输性能
线芯退火单晶铜线冷却管绝缘层冷却本实用新型绝缘冷却液单晶铜屏蔽层音响效果高保真信号绝缘层外层抗腐蚀性能抗疲劳性能晶粒传输性能导电性能加工性能晶粒组成音频传输音响设备密封胶外被层中空处中空的短路线材晶界衰减铜杆填充失真保证

[发明专利]金红石二氧化钛单晶薄膜-衬底材料异质结构及其制备方法-CN202010545318.3有效
发明人：马钰洁 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种金红石二氧化钛单晶薄膜‑衬底材料异质结构及其制备方法，该结构为由亚微米厚度的金红石二氧化钛单晶薄膜(2)与二氧化硅衬底层(3)构成的异质结构，还包括在二氧化硅衬底层(3)下方的第一、第二粘合层(41)、(42)、位于第一、第二粘合层(41)、(42)之间的铜锡化合物键合层(7)以及位于第二粘合层(41)下方的金红石二氧化钛单晶块体(8)。本发明所制备的金红石二氧化钛单晶薄膜‑衬底材料异质结构不仅拥有具备良好单晶性的金红石二氧化钛薄膜，而且可以根据应用需求选择合适的衬底材料制备出多种异质结构，克服了外延生长方法对单晶薄膜异质结构制备面临的困难
金红石氧化钛单晶薄膜衬底材料结构及其制备方法

[发明专利]一种单晶衬底的制备方法-CN201910667827.0在审
发明人：姜涛 -专利权人：乂馆信息科技(上海)有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶衬底的制备方法，包括：制备基底结构；在所述基底结构上生长单晶衬底层；将所述单晶衬底层从所述基底结构上剥离下来得到单晶衬底。本发明通过在基底结构上直接生长单晶衬底层，无需借助任何中间层材料如牺牲层和柔性键合层，能够极大的提高单晶厚膜的结晶质量。
单晶基底结构衬底层衬底制备中间层材料单晶厚膜柔性键合直接生长牺牲层剥离生长

[发明专利]一种硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法-CN201711034834.4在审
发明人：李海鸥;王博;邹锋;刘洪刚;高喜;李琦;蒋振荣;张法碧;陈永和;肖功利;李跃 -专利权人：桂林电子科技大学;桂林斯壮微电子有限责任公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III‑V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；该制备方法包括步骤，首先在单晶硅衬底上设置第一键合片；然后在III‑V族半导体外延衬底上依次沉积背栅介质层的材料层、背栅电极的材料层、在隔离层、第二键合片；将第一键合片和所述第二键合片键合在一起，形成介质键合层；然后再成形、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极。
一种 ingaas 沟道 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]平面晶体管的制造方法-CN201911028078.3在审
发明人：安凯 -专利权人：沈阳硅基科技有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种平面晶体管的制造方法，包括：在第一硅片的表面沉积固溶体薄膜，固溶体薄膜与第一硅片的硅晶格失配比为第一比值；在固溶体薄膜上以单原子层的形式形成单晶硅薄膜；将第一硅片、固溶体薄膜和单晶硅薄膜进行快速热退火处理；将氢离子(H+)注入至第一硅片内；将氧化片贴合于单晶硅薄膜上，并将单晶硅薄膜与氧化片键合，以得到键合片；将键合片进行裂片处理，以去掉第一硅片；采用腐蚀液腐蚀固溶体薄膜，以得到平面晶体管。
固溶体薄膜硅片单晶硅薄膜平面晶体管键合片氢离子腐蚀液腐蚀快速热退火安全系数表面沉积表面形成单原子层辅助气体生产设备形式形成氢气沉积法硅晶格配比为键合裂片贴合制造生产

[发明专利]法布里－珀罗型光纤压力传感器及其制作方法-CN200610096596.5无效
发明人：王鸣;陈绪兴;葛益娴;戎华;倪小琦 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2006-10-09 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G01L11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种法布里－珀罗型光纤压力传感器，由单晶硅片、玻璃圆管、光纤法兰盘和光纤插头构成，其特征是：单晶硅片与玻璃圆管的一个端口通过阳极键合工艺结合；玻璃圆管另一端的侧壁与光纤法兰盘的凹槽粘结。光纤插头连接到光纤法兰盘上，光纤插头上的陶瓷插针与单晶硅片的下表面形成法布里－珀罗腔。同时还公开了制作该传感器的方法，主要步骤为：将切割后的玻璃管与硅片放在键合炉上使其键合；在玻璃管的外壁涂上环氧树脂后将其粘接到光纤法兰盘的凹槽内；将光纤插头旋接于光纤法兰盘；光纤插头上的陶瓷插针与单晶硅片上的下表面形成法布里
法布里珀罗型光纤压力传感器及其制作方法

[发明专利]功率MOSFET的高可靠性封装结构及封装工艺-CN202111553018.0在审
发明人：丁浩宸;杨超;陈志阳;徐彩云 -专利权人：无锡惠芯半导体有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率MOSFET的高可靠性封装结构及封装工艺，该结构包括MOSFET芯片、第一互连层、底覆铜陶瓷基板、第二互连层、顶覆铜陶瓷基板、引线框架、灌封胶和管壳。本发明将标准TO封装中的铜基板替换为三层结构的底覆铜陶瓷基板，将键合铝线互连以顶覆铜陶瓷基板的铜布线层互连替代。一方面通过双基板外金属层裸露于管壳表面，直接与散热器相连构成双面散热结构，减小MOSFET的封装热阻，另一方面以铜层互连替代键合线可以减小功率回路电感，同时陶瓷层的引入提升器件结构对热膨胀的耐受力，并以石墨烯材料的高导热性能提升器件散热效率
功率 mosfet 可靠性封装结构工艺

[发明专利]一种太阳能电池-CN201510442617.3在审
发明人：陈伟文;尤宇文;宋广华 -专利权人：钧石(中国)能源有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池，包括N型单晶硅片；设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征非晶硅钝化层；设在N型单晶硅片受光面本征非晶硅钝化层上的P型掺杂非晶硅层；设在N型单晶硅片背光面本征非晶硅钝化层上的N型掺杂非晶硅层；设在P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上的透明导电膜层；设在P型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的铜栅线电极；设在N型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的铜栅线电极；所述铜栅线电极的表面被锡层完全包覆。本发明不仅克服了银浆丝网印刷的缺点，还具有提高转换效率，降低工艺成本的优点，在铜栅线电极的表面再进行包覆锡，即可防止铜栅线电极在空气中放置时间长被氧化，又可以作为助焊层连接主栅与焊带，并增强两者之间的附着力
一种太阳能电池

[实用新型]一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈-CN200920277758.4有效
发明人：韩海建;梁书正;梁开金;闫志瑞;谷宇恒 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C30B13/24 文献下载
摘要：一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈，它包括：线圈主体及在主体上的金属块，线圈主体为普通的平板线圈，所述的金属块可为铜金属块，铜金属块可通过销钉或螺丝与主体固定。本实用新型的优点是：在单晶生长过程中，平板线圈上的铜金属块对磁场有改善效果，铜金属块周围磁力线会受到铜金属块的抬升作用，同时使得铜金属块周围和线圈边缘处的磁力线密度增加，可以对多晶棒边缘更好的加热，从而防止多晶棒边缘处出刺
一种区熔法生长单晶硅高频加热线圈

[实用新型]一种铜线键合IC芯片封装件-CN200920144119.0有效
发明人：常红军;郭小伟;慕蔚 -专利权人：天水华天科技股份有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种铜线键合IC芯片封装件，包括引线框架载体、引线框架内引脚、引线框架外引脚、塑封体、粘片胶、IC芯片。IC芯片的焊盘上预植一个金球，在金球上堆叠铜键合球，拱丝拉弧在引线框架内引脚上打一个铜焊点，使IC芯片的焊盘与引线框架引脚相连。既解决了铜线键合直接在IC芯片焊盘上打线出现弹坑的难题，又可在多引脚封装中应用，效果很好。本实用新型不仅可以推广到多引脚封装，而且还可以推广到其它高端封装，实现铜线代替金线键合，节约金线焊线成本更加明显。
一种铜线 ic 芯片封装

[发明专利]一种基于钯铜线的半导体键合工艺-CN201710541340.9有效
发明人：廖伟春 -专利权人：廖伟春
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钯铜线的半导体键合工艺，包括：A.劈刀移至芯片焊盘的位置，使用表面镀钯的纯铜线构成的焊线线材制作第一个焊点的焊球；B.拉线弧，焊线线材被拉起到设定的高度后，从最高点移动到第二个焊点的位置，完成焊线线材的走线；C.劈刀移至PCB板的焊盘的位置，使用焊线线材焊接第二个焊点；其中，制作第一个焊点和第二个焊点时，使用保护气体充盈劈刀及劈刀的周边，保护气体的成分为：95％～99％氮气和1％～5％钯铜线的价格只有不到金线价格的10％，可以节约大量的成本；在键合过程中，使用氢气作为保护气，可以将铜从氧化铜里面还原出来；键合工艺参数范围变宽，非常有利于调整到最佳的工艺参数，获得优良的键合效果。
一种基于铜线半导体工艺

[发明专利]用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器-CN202111457537.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于体声波谐振器制作的方法，包括：在预设的待移除层上沉积单晶压电层；在单晶压电层远离待移除层的一侧制作谐振结构；在谐振结构上形成第一金属层；将第一金属层键合在谐振器载体上这样，将谐振结构和谐振器载体通过金属层进行金属键合，由于金属与金属之间进行键合相较于传统SiO2‑Si键合方式能够在更大的晶圆翘曲度的情况下进行键合，因此能够在硅基晶圆翘曲度大的情况下使谐振结构与谐振器载体进行键合
用于声波谐振器制作方法滤波器