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[发明专利]单晶刀具制备工艺-CN201510754137.0在审
发明人：王必永;王一飞;李亮 -专利权人：无锡国宏硬质合金模具刃具有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶刀具制备工艺，包括以下步骤：1）选料，选择适合刃长的刀具进行加工；2）抛面，将已经切割好的单晶片在铸铁研磨盘上研磨；3）焊接，抛光好的单晶片需清洗干净，之后在真空炉内进行焊接；4）粗磨通过上述方式，本发明能够通过加上述工工艺加工得到单晶金刚石刀具，加工效率高，刀具刃口质量好。
刀具制备工艺

[发明专利]直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法-CN02802101.0无效
发明人：饭田诚 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2002-06-07 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片，从表面到3微米以上的深度存在无COP的无缺陷层；及一种单晶硅的制造方法，通过CZ法掺杂氮拉制直径300mm及300mm以上的单晶硅时，将拉晶速度设为V[mm/min]，以G[K/mm]表示从硅的熔点至1400℃间的拉晶轴向的结晶内温度梯度平均值，将V/G[mm2/K·min]的值设为低于0.17以生长结晶；及一种单晶硅晶片的制造方法，对掺杂氮的直径300mm及300mm以上的硅单晶硅晶片进行热处理，在惰性气体或氢或它们的混合气体的环境下，进行1230℃以上、1小时以上的热处理。由此，确立单晶硅拉晶条件及晶片的热处理条件，用于拉制直径300mm及300mm以上的单晶硅并加工成晶片，并对晶片进行热处理，获得在表层的相当深度具有无COP的无缺陷层的单晶硅晶片。
直径 300 mm 以上单晶硅晶片及其制造方法

[发明专利]晶片的生成方法-CN201511008904.X有效
发明人：平田和也;高桥邦充;西野曜子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。从六方晶单晶锭生成晶片的晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对锭的正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从该改质层沿着c面伸长的裂痕而形成分离起点；以及晶片剥离步骤，将形成有分离起点的六方晶单晶锭浸渍到水中并且赋予超声波振动，而将板状物从六方晶单晶锭剥离。
晶片生成方法

[发明专利]偏[111]晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法-CN201510261309.0在审
发明人：曹可慰;赵有文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C23F1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合[100]偏[111]晶向的锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法，该方法包括：配置腐蚀液；将配置好的腐蚀液置于恒温水浴锅内加热；对锗单晶片进行表面清洁；将锗单晶片浸于腐蚀液内进行腐蚀，时间为5分钟；对腐蚀过的锗单晶片进行淋洗和吹干；最后在金相显微镜下观察腐蚀后的形貌。本发明的腐蚀方法可以有效的腐蚀出位错坑，腐蚀速率适中，反应过程温和可控，对于检测[100]偏[111]的锗单晶片位错密度，简便可行，不易出现水波纹等干扰图案。
111 晶片显示腐蚀方法

[实用新型]电磁波检测仪-CN03255327.7无效
发明人：陈仁华 -专利权人：陈仁华;陈仁忠
申请日： 2003-07-03 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G01R29/00 文献下载
摘要：一种电磁波检测仪，其特征是包括信号接收电路、信号比较电路、单晶片微电脑(MPU)、报警电路、驱动电路、显示电路，接收电路的信号输出端接单晶片微电脑(MPU)检测端，比较电路的输出端接单晶片微电脑(MPU)的I/O口，单晶片微电脑(MPU)的输出端分别接报警电路、驱动电路和显示电路，驱动电路分别接报警电路和显示电路。本实用新型采用单晶片微电脑MPU来处理整机的工作状态，大大简化了电路结构和整机体积，具有使用、携带方便，执行速度快，实用性强等优点。
电磁波检测

[发明专利]单晶硅晶片的制造方法及电子器件-CN201280066709.0有效
发明人：冈铁也;江原幸治 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，该方法通过对单晶硅晶片进行使用快速加热、快速冷却装置在含氧气氛下以第一热处理温度保持1～60秒之后，以1～100℃/秒的降温速度冷却至800℃以下的第一热处理，而使氧在内部扩散以在上述单晶硅晶片的表面附近形成氧浓度峰值区域，之后，通过进行第二热处理，而使上述单晶硅晶片内的氧凝聚于上述氧浓度峰值区域。由此，提供一种能够制造形成有靠近器件形成区域的良好的吸杂层的单晶硅晶片的方法。
单晶硅晶片制造方法电子器件

[实用新型]一种超声波探头的外贴式多声路布置结构-CN202222880701.1有效
发明人：严学智;张力新;黄硕;郭晨阳;王洪 -专利权人：汇中科技唐山有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G01F1/667 文献下载
摘要：技术方案是：在测量管路（1）中间一条母线上布置两个双晶片探头，在双晶片探头相邻的测量管路（1）左侧一条母线上设置两个双晶片探头或两个单晶片探头，在双晶片探头相邻的测量管路（1）右侧一条母线上设置两个双晶片探头或两个单晶片探头；所述双晶片探头具有左晶片（11）和右晶片（12），共同设置在一个声楔（13）上；双晶片探头之间、单晶片探头之间以及双晶片探头与单晶片探头之间均相互匹配，形成多个测量声路。
一种超声波探头外贴式多声路布置结构

[发明专利]一种异质半导体薄膜及其制备方法-CN202010644757.X有效
发明人：欧欣;徐文慧;游天桂;沈正浩 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质半导体薄膜的制备方法，包括：获取具有第一抛光面的半导体单晶晶片；获取具有第二抛光面的异质衬底；在半导体单晶晶片的第一抛光面上沉积一层缓冲层后构成第一复合结构；向半导体单晶晶片注入阻挡层离子后形成阻挡层；退火处理；沿半导体单晶晶片的沟道向半导体单晶晶片注入H离子，H离子的原子序数小于阻挡层离子的原子序数、注入能量大于阻挡层离子的注入能量；去除缓冲层；将半导体单晶晶片与异质衬底进行键合，得到第二复合结构本发明通过注入阻挡层离子在半导体单晶晶片内形成阻挡层以俘获H离子，如此，减少了离子剥离所造成的损伤，从而大大提高了H离子的利用率和薄膜的质量。
一种半导体薄膜及其制备方法

[实用新型]一种碳化硅单晶片的镀膜装置-CN202122967528.4有效
发明人：李有群;王升;贺贤汉;高攀;孙大方 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硅单晶片技术领域，具体为一种碳化硅单晶片的镀膜装置，包括机箱、固定安装在机箱顶部一侧的高压舱、两个分别固定安装在高压舱一侧的合页和固定安装在两个合页一侧的舱门，还包括移动固定机构、观测机构、夹持翻转机构和调节机构，本实用新型通过设置有夹持翻转机构，将单晶片放置在两个弧形板之间，打开电动推杆使电动推杆带动两个弧形板分别向内移动，直至防护垫与单晶片两侧贴紧固定，当防护垫贴紧固定时会受到一定的压力，从而带动伸缩弹簧向内收缩，从而对单晶片的两侧进行缓冲，防止电动推杆在夹持固定过程中压力过大导致单晶片的损坏，影响后续的使用，伸缩弹簧和防护垫可以更加便捷的对单晶片两侧进行防护。
一种碳化硅晶片镀膜装置

[发明专利]一种复合单晶压电衬底薄膜及其制备方法-CN201911142020.1有效
发明人：李真宇;杨超;胡文;张秀全;罗具廷 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合单晶压电衬底薄膜及其制备方法，制备方法包括对抛光、清洗后单晶晶圆采用离子注入法注入He+或者H+时，调控单晶晶圆中心位置与边缘位置的注入剂量参数和/或温度参数，得到单晶晶圆注入片；本发明的一种复合单晶压电衬底薄膜的制备方法简单易行，退火分离时不需要涂胶加压或机械分离，能够避免现有工艺中机械撕裂，划伤晶片的问题；采用本发明的制备方法所得的晶片缺陷率低，成品率能达到99％以上，而现有技术的成品率一般在80％以下；并且在衬底不断裂的情况下完整分离铌酸锂/钽酸锂薄膜的制备工艺，能满足大规模的工业化生产的需要，具有良好的经济效益和社会效益
一种复合压电衬底薄膜及其制备方法

[发明专利]硅晶片的制造方法-CN201780042556.9有效
发明人：松山博行 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：硅晶片的制造方法包括：培育工序，通过切克劳斯基法培育不包含COP及位错簇团的单晶硅；OSF评价工序，对从单晶硅中获取的评价晶片的OSF的产生状况进行评价；及热处理工序，当在评价晶片中存在OSF时，在1310℃以上的条件下，对从与评价晶片相同的单晶硅中获取的硅晶片进行RTO处理，当在评价晶片中不存在OSF时，在低于1310℃的条件下，对硅晶片进行RTO处理。
晶片制造方法

[发明专利]在绝缘体上的外延半导体结构和器件-CN02814692.1无效
发明人：库尔特·W·艾森贝塞尔;俞志毅;拉万德拦那斯·德鲁帕德 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 2002-07-17 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：通过形成用于生长单晶层的柔性衬底，在例如大尺寸硅晶片的单晶衬底(22)上面生长高质量外延单晶材料层(26)。调节缓冲层(24)包括通过氧化硅的非晶界面层(28)与硅晶片(22)隔开的单晶氧化层。非晶界面层释放应力并允许生长高质量单晶氧化物调节缓冲层。调节缓冲层与下面的硅晶片和上面的单晶材料层都晶格匹配。接着在调节缓冲层上形成单晶层(26)，以使单晶层的晶格常数基本上与随后生长的单晶膜的晶格常数相匹配。
绝缘体外延半导体结构器件

[发明专利]一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法-CN201811347796.2有效
发明人：欧欣;伊艾伦;游天桂;黄凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基异质集成4H‑SiC外延薄膜结构的制备方法，包括提供碳化硅单晶晶片，通过氢离子注入在碳化硅单晶晶片中形成注入缺陷层并提供碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶晶片或碳化硅单晶薄膜上外延生长4H‑SiC单晶薄膜；将所述4H‑SiC单晶薄膜与一硅支撑衬底键合，得到包括碳化硅单晶晶片、4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；剥离，得到包括碳化硅单晶薄膜、4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；表面处理以除去碳化硅单晶薄膜，得到包括4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的硅基异质集成4H‑SiC外延薄膜结构。
一种硅基异质集成 sic 外延薄膜结构制备方法

[发明专利]一种YAG晶片式白光发光二极管及其封装方法-CN200510102388.7有效
发明人：苏锵;谢鸿波;方福波;王静;钟玖平;李绪锋;吴昊;武南平;潘利兵;李军政 -专利权人：中山大学;广州半导体材料研究所;佛山市国星光电科技有限公司
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种YAG晶片式白光发光二极管及其封装方法。其利用YAG单晶片将GaN基无机半导体LED晶粒发出的部分蓝光转换为另外一种或多种理想波段的光，然后LED晶粒发出的剩余未被转换的蓝光与单晶片转换后的理想波段的光混合产生白光。该技术通过精确控制单晶片荧光体各种参数，来调节和控制荧光体单晶片转换的黄光与未被转换的蓝光之间的比例，同时利用单晶片自身具有的均匀性，获得均一、高质量白光；解决了传统白光LED器件技术很难控制荧光体粉末在硅脂类或树脂类密封胶中的分散性此外，其可将薄单晶片切割成器件所需尺寸，利用全自动化进行封装，大大提高现有白光LED器件封装的机械化程度。
一种 yag 晶片白光发光二极管及其封装方法

[发明专利]扩散抛光片单侧主扩散制作方法-CN200710055275.5有效
发明人：王新;黄光波;刘广海;商亚峰;佐义忠;陶巍;邹光祎 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：现有方法不管是预扩散还是主扩散，扩散过程始终在硅单晶片两侧同时同样地进行，硅单晶片的结构呈N⁺－N^－－N⁺形态，而制造半导体器件所需的扩散抛光片其结构应当为N⁺－N^－形态，需要再采用减薄抛光工艺将一侧的N⁺层去掉，造成硅单晶材料的浪费。本发明采取在硅单晶片一侧生成起阻止扩散作用的掩蔽层，或者在主扩散之前去掉硅单晶片一侧的预扩散层的方法，使得主扩散只在硅单晶片的一侧进行，这样的话，一开始即可选用较薄的硅单晶片，如300～400μm，实现了节省硅单晶材料的发明目的
扩散抛光片单侧主制作方法

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