“半导体晶片清洗”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1217146个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]涂层材料的涂布方法-CN200910195840.7无效
发明人：章国伟;张尔飚;吴欣华;刘贵娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： B05D5/00 文献下载
摘要：本发明揭露了一种涂层材料的涂布方法，所述方法包括如下步骤：提供半导体晶片；向所述半导体晶片表面喷洒涂层材料；旋转所述半导体晶片以在所述半导体晶片表面形成涂层，其中所述半导体晶片的边缘区域的涂层厚度比中央区域的涂层厚度大；继续旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液；再次旋转所述半导体晶片。所述涂布方法可形成厚度均匀的涂层，解决了半导体晶片边缘较厚的涂层材料对曝光机台造成污染的问题，提高了产品的良率。
涂层材料方法

[发明专利]半导体晶片清洗装置和方法-CN00800942.2无效
发明人： L·张;M·G·威林 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2000-03-20 - 公布日： 2001-08-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种从半导体的晶片的表面上除去杂质颗粒的清洗装置。超音速喷嘴和硬毛刷包含在清洗装置中。采用超音速喷嘴产生超音速地搅动的液体从半导体晶片的表面上除去杂质颗粒。采用硬毛刷接触半导体晶片表面并摩擦地除去杂质颗粒。喷嘴和硬毛刷都安装在清洗组件内。清洗组件同时使用喷嘴和硬毛刷从半导体的晶片的表面上有效地除去杂质。
半导体晶片清洗装置方法

[发明专利]用于湿化学处理半导体晶片的方法-CN200810174958.7有效
发明人： G·施瓦布;C·萨皮尔科;T·布施哈尔特;D·费霍;T·榛原;Y·毛利 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于湿化学处理半导体晶片的方法，其包括：a)使半导体晶片旋转；b)将包括直径为100μm或以下的气泡的清洗液施加到旋转半导体晶片上，以便在半导体晶片上形成液体膜；c)使旋转的半导体晶片暴露于具有活性气体的气氛中
用于化学处理半导体晶片方法

[发明专利]用于半导体晶片一体化循环冷却清洗的快冲快排槽-CN202210188985.X有效
发明人：周训丙;陈良 -专利权人：智程半导体设备科技（昆山）有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出了用于半导体晶片一体化循环冷却清洗的快冲快排槽，涉及半导体晶片清洗技术领域。该用于半导体晶片一体化循环冷却清洗的快冲快排槽，包括清洗槽，所述清洗槽外侧转动连接有盖板，所述清洗槽内壁两侧均固定连接有滑动架，两个所述滑动架之间设有固定板并与固定板滑动连接，该用于半导体晶片一体化循环冷却清洗的快冲快排槽，由于第一齿条设置于放置槽内部，从而使第二齿轮推动第一齿条，使多个第一齿条一端固定连接的夹板对晶片进行夹持固定，有利于快速对多个晶片固定，对于晶片的接触减少，避免了清洗时由于固定导致的遮挡，影响清洗效率，同时对晶片固定，避免了晶片在清洗时晃动导致其损坏。
用于半导体晶片一体化循环冷却清洗快冲快排槽

[实用新型]一种半导体晶片抛光系统-CN201220564271.6有效
发明人：唐强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体晶片清洗装置及其抛光系统，该抛光系统包括：能够上下移动的抛光台、抛光垫、能够上下左右移动的抛光头、抛光剂供给部件、半导体晶片清洗装置；抛光垫紧贴于抛光台上表面；抛光头设于抛光垫上方，用以保持抛光目标；抛光剂供给部件设于抛光垫的上方且位于抛光头的一侧；半导体晶片清洗装置设于抛光台的一侧，用于清洗抛光目标；半导体晶片清洗装置包括清洗槽，清洗槽内设有清洗剂喷射部件；半导体晶片清洗装置还包括清洗剂供给部件，清洗剂供给部件与清洗剂喷射部件相通。本实用新型实现了每个抛光目标在抛光后的自动清洗，避免了抛光目标在抛光后和清洗前与空气接触，彻底清除了抛光目标表面的化学残留。
一种半导体晶片抛光系统

[发明专利]晶片清洗回收方法-CN200710040971.9有效
发明人：刘焕新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-05-21 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种晶片清洗回收方法，包括：预清洗晶片；对所述晶片执行氧化操作；对氧化后的所述晶片执行氧化后清洗操作；对经历氧化后清洗的所述晶片执行测试操作；若测试合格，则确定晶片满足回收要求；若测试不合格，则执行所述晶片的氧化、氧化后清洗及测试的操作，直至确定所述晶片满足回收要求。本发明提供的晶片清洗回收方法，通过重复交替地对晶片进行清洗及氧化处理，逐步地扩大所述半导体衬底表面氧化层的范围，直至在半导体衬底表面完全形成氧化层；继而可通过去除所述氧化层，获得满足回收要求的半导体衬底
晶片清洗回收方法

[发明专利]半导体器件清洗装置和清洗半导体器件的方法-CN99107491.2无效
发明人：青木秀充 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1999-05-24 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种半导体器件清洗装置，在进行用于表面的化学机械抛光工艺之后清洗半导体晶片表面。半导体晶片表面上放置滚刷以便与该表面接触。第一化学液体槽装有第一化学液体。第一排放喷嘴将第一化学液体喷射到半导体晶片表面上。第二化学液体槽装有第二化学液体。第二排放喷嘴将第二化学液体喷射到半导体晶片表面上。第一化学液体和第二化学液体是在滚刷和晶片旋转的条件下喷射到半导体晶片表面上的。
半导体器件清洗装置方法

[发明专利]一种半导体晶片清洗机-CN201811623687.9在审
发明人：伊观兰 -专利权人：天津洙诺科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶片技术领域，具体涉及一种半导体晶片清洗机，包括若干根支撑腿，支撑腿顶端共同固定连接有支撑平台，所述支撑平台内部开设有第一空腔，第一空腔通过第一软管与外界的引风机相连接，所述支撑平台上表面均匀开设有若干第一通孔，且支撑平台表面放置有半导体晶片；所述支撑腿侧壁上固定连接有安装座，安装座上均固定连接有升降装置。本发明的有益效果是为了再进一步提高对半导体晶片的清洗效果，启动泵体，泵体将清洗水箱内的水通过第二软管泵出，清洗水通过旋转装置以及进水口进入到第二空腔内部，随后通过第二通孔喷出，配合刷毛对半导体晶片进行有效的清洗，有效提高了半导体晶片的清洗效果。
半导体晶片支撑平台半导体晶片清洗第一空腔清洗效果安装座支撑腿通孔支撑腿顶端表面放置第二空腔均匀开设清洗水箱升降装置旋转装置软管进水口启动泵清洗水软管泵上表面引风机泵体侧壁喷出刷毛清洗配合

[发明专利]一种自循环式环保型半导体晶片清洗装置-CN202210714945.4在审
发明人：李述周;朱春 -专利权人：江苏科沛达半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种自循环式环保型半导体晶片清洗装置，包括清洗机座、多角度清洗机构、自循环过滤机构，多角度清洗机构设于清洗机座的一侧，多角度清洗机构包括限位输送架，限位输送架内设有输送滤带，限位输送架远离清洗机座的一侧连接有清洗隔离罩，清洗隔离罩内设有多组导流管，多组导流管靠近输送滤带的一侧连接有多组均匀分布的清洗喷嘴。本发明通过对半导体晶片清洗装置设置相应的自循环过滤机构，可对清洗液体中含有的杂质进行过滤处理，避免了半导体晶片在清洗过程中受清洗液体中杂质的影响出现划伤的情况，显著提高了对半导体晶片进行清洗的效果，提高了半导体晶片清洗装置的使用环保性
一种循环环保半导体晶片清洗装置

[发明专利]用于将半导体晶片清洗、干燥和亲水化的方法-CN200810125954.X有效
发明人： G·施瓦布;C·萨皮尔柯;T·布施哈尔特;D·费霍 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于将半导体晶片清洗、干燥和亲水化的方法，其包括给定顺序的下列步骤：a)用含有氟化氢的液体水溶液处理半导体晶片，其中该半导体晶片至少短时地绕其中轴旋转，和b)使该半导体晶片绕其中轴以1000至5000转/分钟的转速在含臭氧的气氛中旋转，由此干燥该半导体晶片，其中所述含有氟化氢的液体水溶液由于通过旋转产生的离心力而从所述半导体晶片上流走，并且该半导体晶片的表面被臭氧亲水化。
用于半导体晶片清洗干燥和亲水化方法

[发明专利]半导体晶片的清洗工装与清洗方法-CN202210285422.2有效
发明人：郭春霞;李智;魏金鑫;兰宇;张健;王纪东;王颖;何远 -专利权人：北京晨晶电子有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B08B11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶片的清洗工装与清洗方法，半导体晶片的清洗工装包括第一夹板与第二夹板；第一夹板设有多个第一通孔，每个第一通孔的一侧设有沉槽；沉槽设于第一夹板的第一表面，沉槽的开口端设于第一通孔的孔壁本发明便于对半导体晶片进行分离存放，防止半导体晶片在清洗中出现叠片，可实现对半导体晶片的充分清洗，防止半导体晶片在清洗中出现崩飞、破损或叠片，从而达到较好的清洗效果。
半导体晶片清洗工装方法

[实用新型]一种超声波干式半导体晶片、液晶面板清洗头-CN202222296355.2有效
发明人：刘峰;姚自强;马栗 -专利权人：苏州光斯奥光电科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： B08B7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超声波干式半导体晶片、液晶面板清洗头，包括超声波清洗机以及设于所述超声波清洗机上的X轴送料机构和清洗机构，所述清洗机构包括：横跨于所述X轴送料机构的机架组件，所述机架组件包括横梁以及设于所述横梁两侧的机架；设于所述横梁下方、并用于清洗半导体晶片、液晶面板的超声波清洗头；设于所述超声波清洗头两侧、并用于所述超声波清洗头竖直移动的滑台，所述滑台与所述机架上竖直设置的直线导轨连接。本申请由X轴送料机构将待清洗的半导体晶片、液晶面板送入到清洗机构的下方，由驱动组件驱动超声波清洗头移动到半导体晶片、液晶面板的上方，并由超声波清洁头对半导体晶片、液晶面板表面进行清洗。
一种超声波半导体晶片液晶面板洗头

[发明专利]光刻工艺的显影方法-CN201010268601.2无效
发明人：黄玮 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻工艺的显影方法，包括：以第一速率旋转半导体晶片，同时向所述半导体晶片的圆心喷射显影液，使显影液浸润所述半导体晶片表面；以第二速率旋转浸润后的半导体晶片，同时向半导体晶片表面喷射显影液；以第三速率旋转喷射显影液后的半导体晶片，使显影液与半导体晶片表面的光刻胶层进行显影反应；采用去离子水清洗半导体晶片表面；其中，所述第一速率大于所述第二速率。通过应用所述方法，可以降低半导体晶片的光刻胶层的表面张力，增强表面的亲水性和界面亲和力，避免经显影后的半导体晶片上的不同区域形成的光刻图形尺寸不一致的缺陷，从而能够提高半导体晶片内的光刻图形尺寸均匀性，进而提高半导体器件电性的均匀性。
光刻工艺显影方法

[发明专利]半导体晶片及制造半导体晶片的工艺-CN200610105981.1有效
发明人：鲁道夫·鲁普;维尔纳·艾格纳;弗里德里希·帕塞克 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有边缘区域但是没有大于或者等于0.3μm的缺陷的半导体晶片。此外，本发明涉及制造半导体晶片的工艺，其包括下列工序：(a)提供具有倒圆和蚀刻边缘的半导体晶片；(b)抛光半导体晶片的边缘，在该步骤中，使半导体晶片和至少一个抛光鼓在连续提供抛光研磨剂的情况下相对彼此移动并在特定接触压力下相互挤压，其中，该半导体晶片被固定在绕中心旋转的夹盘上并且凸出夹盘之外，而抛光鼓相对于夹盘倾斜特定角度，且绕中心旋转并且覆盖有抛光布；(c)清洗半导体晶片；(d)使用检查单元检查半导体晶片的边缘区域；(e)进一步对该半导体晶片进行处理
半导体晶片制造工艺

[发明专利]半导体晶片的清洗方法-CN95115577.6无效
发明人：罗兰德·布朗纳;乔格·霍赫格桑;安东·施奈格;格特奥德·台尔哈默尔 -专利权人：瓦克硅电子半导体材料有限公司
申请日： 1995-08-25 - 公布日： 2000-10-11 - 主分类号： C11D3/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体晶片清洗剂及其清洗方法。本发明的含水清洗剂其ｐＨ值为１—５，优选为１—３，且含有至少一种表面活性剂和至少一种属于包括琥珀酸和其衍生物化合物在内的一组中的化合物。为了清洗半导体晶片，优选采用机械工具在半导体晶片的侧面产生清洗剂的薄膜。
半导体晶片清洗方法