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[发明专利]半导体制造装置-CN202211612934.1在审
发明人：上野和起;山下钦也;高木保志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造装置，目的在于提供半导体芯片角的切割带剥离容易推进的半导体制造装置。本发明的半导体制造装置具有拾取台，该拾取台具有使四边形的半导体芯片升降的机构，拾取台在四角具有第一上推块。第一上推块构成为具有：与半导体芯片的一条边平行的第一边；与半导体芯片的另一条边平行的第二边；以及偏移部，其形成为在第一边与所述第二边之间与第一边和第二边各自的延长线的交点相比向内侧偏移。
半导体制造装置

[发明专利]半导体测试装置及半导体测试方法-CN202111232242.X在审
发明人：高木保志;山下钦也;上野和起 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明的目的是提供可在晶片状态下进行半导体器件耐压试验的半导体测试装置及半导体测试方法。本发明涉及的半导体测试装置具有：工作台(1)，其载置晶片；加压壁(4)，其设置于探针板的与工作台相对的面之上，朝向工作台延伸且具有开口部；标记(11)，其设置于加压壁的与工作台相对的面即加压壁下表面；探针(5)，其设置于开口部内；气管(6)，其将空气送入开口部内；检测器(8)，其对探针的前端与标记之间的第1间隔进行检测；以及控制部，其基于第1间隔对晶片与加压壁下表面之间的第2间隔进行控制，在对晶片处的各芯片的电气特性进行测定时，控制部以第2间隔成为预先确定的间隔的方式进行控制，从气管将空气送入开口部内。
半导体测试装置方法

[发明专利]半导体评价装置、检查用半导体装置及卡盘台的检查方法-CN201610052913.7有效
发明人：冈田章;野口贵也;山下钦也 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够容易地对卡盘台的载置面进行检查及管理的半导体评价装置及卡盘台的检查方法。本发明所涉及的半导体评价装置是对形成于半导体晶圆的多个半导体装置的特性进行评价的半导体评价装置(1)，具有：卡盘台(6)，其在评价时载置半导体晶圆；检查工具(2)，其由板状的绝缘材料构成，且具有与该绝缘材料的多个贯通孔各自嵌合的电阻体(5)，在卡盘台(6)的载置面的检查时以电阻体(5)与载置面相接触的方式将该检查工具载置于卡盘台(6)；以及接触探针(9)，其以能够接触至电阻体(5)的与卡盘台(6)接触一侧的面的相反侧的面的方式进行配置。
半导体评价装置检查卡盘方法

[发明专利]评价装置及评价方法-CN201711445768.X有效
发明人：冈田章;山下钦也;上野和起;野口贵也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够抑制局部放电的发生的技术。评价装置具备：探针，其配置于上部件的下表面；侧壁部，其配置于上部件的下表面，将探针的侧方包围；以及第1气体供给部。第1气体供给部在侧壁部与工作台接近的情况下，能够朝向在工作台载置的被测定物供给气体，在侧壁部与工作台接触的情况下，能够对由工作台、侧壁部及上部件包围的空间供给气体。
评价装置方法

[发明专利]评价装置、半导体装置的评价方法-CN201710899457.4有效
发明人：冈田章;山下钦也;上野和起 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供在半导体装置的电气特性的评价时，能够抑制局部放电的产生，且抑制异物或橡胶痕迹向半导体装置的表面转印的便利性高的评价装置和半导体装置的评价方法。特征在于，具有：绝缘板；多个探针，它们固定于该绝缘板；绝缘部，其具有可拆卸地与该绝缘板连接的连接部分和与该连接部分相连的前端部分，该前端部分比该连接部分形成得细；绝缘物，其是组合多个该绝缘部，以在俯视观察时包围该多个探针的方式形成的；以及评价部，其使电流流过该多个探针，对被测定物的电气特性进行评价。
评价装置半导体方法

[发明专利]半导体拾取装置-CN201811155776.5在审
发明人： 山下钦也;上野和起;原田辰雄;野村典嗣 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能够将半导体芯片和载片带剥离而不在半导体芯片发生破裂及缺损等缺陷的技术。半导体拾取装置(500)具有：拾取台(100)，其隔着在半导体芯片(1)的下表面粘贴的载片带(2)而载置半导体芯片(1)；延展部(200)，其对载片带(2)进行保持，对载片带(2)进行拉伸；顶起针(3)，其能够从拾取台(100)的上表面凸出，隔着载片带(2)将半导体芯片(1)顶起；以及使顶起针(3)一边螺旋状地动作一边顶起的机构。
半导体芯片载片拾取装置起针拾取半导体凸出螺旋状地上表面下表面延展部拉伸缺损载置粘贴破裂剥离

[发明专利]晶片吸附台-CN201610751500.8有效
发明人：秋山肇;冈田章;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够以低成本在不使晶片变形的情况下以充分的吸附压力将晶片吸附于台的晶片吸附台。本申请发明的晶片吸附台是在内部具有空间的晶片吸附台，具备：装载面，装载晶片；多孔质部，以表面露出于该装载面、背面与该空间相接的方式形成在该晶片吸附台内；以及连结部，与该空间连接并且延伸至该晶片吸附台外部。而且，该多孔质部的特征在于越是远离该连结部的部分形成得越薄。
晶片吸附

[发明专利]半导体装置以及其试验方法-CN201480076889.X有效
发明人：秋山肇;冈田章;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：目的在于提供一种能够抑制评价时的放电的技术。半导体装置(1)具有：半导体基体(11)，其具有元件区域(11a)以及末端区域(11b)；多个电极焊盘(12)，它们配置于半导体基体(11)的元件区域(11a)之中的与末端区域(11b)分离的区域之上；绝缘性的保护膜(13)，其在各电极焊盘(12)之上设置有开口部(13a)；以及多个导电层(14)，其配置于保护膜(13)之上，经由开口部(13a)而与多个电极焊盘(12)分别电连接。在俯视观察时，各导电层(14)延伸设置至末端区域(11b)或者其附近。
半导体装置及其试验方法

[发明专利]半导体评价装置及其评价方法-CN201510690208.5有效
发明人：冈田章;波户崎浩介;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种在纵向型半导体装置的评价中能够确保绝缘的技术。背面电位导出部(18)具有：在由半导体晶片保持部(6)保持的半导体晶片(51)的背面侧配置的一端部分、以及在由半导体晶片保持部(6)保持的半导体晶片(51)的表面侧配置的另一端部分。半导体晶片(51)以及保持半导体晶片(51)的半导体晶片保持部(6)能够沿半导体晶片(51)的面内方向移动。在半导体晶片(51)以及保持半导体晶片(51)的半导体晶片保持部(6)沿面内方向移动的情况下，在半导体晶片(51)的移动区域以外的附近，对背面电位导出部(18)中的、相对于半导体晶片(51)位于面内方向的部分进行固定。
半导体评价装置及其方法

[发明专利]试验装置、试验方法-CN201410389845.4有效
发明人：冈田章;野口贵也;竹迫宪浩;山下钦也;秋山肇 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种试验装置和试验方法，其能够通过简单的方法将半导体芯片的异物去除，提高试验的可靠性。该试验装置具有：异物去除部(14)，其具有第1斜面(32a)和第2斜面(32b)，在第1斜面上设置有磨料颗粒或粘接片，在第2斜面上设置有磨料颗粒或粘接片，该第2斜面以上方处与该第1斜面的距离远，下方处与该第1斜面的距离近的方式与该第1斜面相对；试验部16，其对半导体芯片(20)的电气特性进行试验；以及移动部(18)，其使该半导体芯片与该第1斜面和该第2斜面的上方接触/分离，并将该半导体芯片向该试验部输送。 1
半导体芯片试验试验装置磨料颗粒粘接片异物去除部电气特性异物去除移动部

[发明专利]半导体评价装置-CN201410475450.6有效
发明人：冈田章;野口贵也;竹迫宪浩;山下钦也;秋山肇 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：半导体评价装置(100)具有评价用夹具(12)以及探针基体(2)。评价用夹具(12)设置为能够载置多个半导体装置(10)。探针基体(2)设置为与评价用夹具(12)相对，包含接触式探针(23)、能够屏蔽电场的屏蔽部(22)、以及保持接触式探针(23)的绝缘性基体(21)。评价用夹具(12)包含有利用框部(13)划分为能够分别载置多个所述半导体装置(10)的多个收容部(17)。构成为，通过使框部(13)和探针基体(2)接近，从而在多个收容部(17)和探针基体(2)之间形成有分别载置多个半导体装置(10)的空间的状态下，能够使接触式探针(23)与多个元件接触。
半导体评价装置

[发明专利]半导体试验夹具和其搬运夹具及使用这些夹具的异物去除方法-CN201410514188.1有效
发明人：冈田章;野口贵也;竹迫宪浩;山下钦也;秋山肇 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明是半导体试验夹具和其搬运夹具及使用这些夹具的异物去除方法，本发明的目的在于，提供一种在试验时能够抑制异物附着在纵型半导体装置的设置面上，并且能够简化纵型半导体装置的制造工序及降低制造成本的技术。半导体试验夹具(1)具有导电性的基座(2)，其具有多个设置部(6)，多个纵型半导体装置(7)以下表面电极与设置部接触的状态分别独立地设置在该多个设置部(6)上；网格状的绝缘性的框部(3)，其配置在基座(2)上，在俯视观察时，其将多个设置部(6)分别包围，由此划分各设置部(6)；以及研磨层(11)，其配置在框部(3)的与设置在设置部(6)上的各纵型半导体装置(7)相对的位置处。
半导体试验夹具搬运使用这些异物去除方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410174444.7有效
发明人：秋山肇;冈田章;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：针对半导体晶圆，作为进行电气特性评价前的处理，实施保护膜形成工序处理。在该处理中，在形成作为保护膜的绝缘膜之后，通过实施照相制版处理和蚀刻处理，从而形成具有将发射极电极(11)露出的多个开口部(17)的保护膜(16)。然后，通过经由各个开口部(17)，使接触探针与露出的发射极电极(11)接触，从而进行电气特性评价。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的评价装置-CN201410174467.8有效
发明人：秋山肇;冈田章;山下钦也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体装置的评价装置，其对形成在半导体衬底(100)上的半导体装置进行电气评价，该半导体装置的评价装置具有保持部(2)，其将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上；以及检测部(3)，其对保持部(2)的表面(2A)的凹凸进行检测。保持部(2)在表面(2A)上包含多个槽部(20)，多个槽部(20)形成为，在将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上时，与半导体衬底(100)的外周重合，并且，一部分与半导体衬底(100)的外周相比位于外侧。
半导体装置评价

[发明专利]接触探针型温度检测器、半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法-CN201610466367.1在审
发明人： 山下钦也;野口贵也;冈田章;秋山肇;上野和起 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种技术，该技术在对半导体装置的电气特性进行评价时能够抑制气体放电，并且高精度地对半导体装置的温度进行检测。作为接触探针型温度检测器的温度检测用探针(7)具有：柱塞部(12)，其能够与作为被测定物的半导体装置(5)接触；弹簧部件(17)，其配置于柱塞部(12)的基端部；筒部(14)，其经由弹簧部件(17)而将柱塞部(12)向半导体装置(5)侧按压；以及作为测温部的热电偶(19)，其对半导体装置(5)的温度进行检测。
接触探针温度检测器半导体装置评价以及方法

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