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[发明专利]半导体晶片的清洗方法-CN200410102200.4无效
发明人：宫田毅;三由裕一;波冈义哲 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶片的清洗方法，能够除去半导体晶片上的金属杂质。本发明的半导体晶片的清洗方法包括：用碱性药液除去半导体晶片上异物的清洗工序；用弱酸性清洗液中和半导体晶片的表面电荷的清洗工序；以及用酸性药液除去残留在半导体晶片上的金属杂质的清洗工序。由于半导体晶片表面被中和，在不带电荷的状态下进行HPM处理，因此金属杂质不会附着，能够使得半导体晶片的表面获得极高洁净度。
半导体晶片清洗方法

[实用新型]用于清洗半导体晶片的喷淋装置及喷淋阵列-CN202121244759.6有效
发明人：王建利;洪庆福;任殿胜;史铎鹏 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于清洗半导体晶片的喷淋装置，其特征在于，包括：左喷水件，右喷水件，以及半导体晶片夹具。当所述半导体晶片夹具上装夹有半导体晶片时，所述左喷水件和所述右喷水件的喷水面积将覆盖所述半导体晶片的整个正面和整个背面，以及所述半导体晶片与所述半导体晶片夹具的接触部位。所述用于清洗半导体晶片的喷淋装置的清洗效果好，解决了表面残留的技术问题。本实用新型还涉及一种用于清洗半导体晶片的喷淋阵列，所述喷淋阵列是所述喷淋装置的特定实施方式，其能在新增部件数量较少的情况下同时清洗多个半导体晶片。
用于清洗半导体晶片喷淋装置阵列

[发明专利]半导体晶片的清洗方法-CN201280029741.1有效
发明人：阿部达夫;椛泽均 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明是一种具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序的半导体晶片的清洗方法，该方法的特征是在该半导体晶片的清洗方法中最后进行的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗由此，在半导体晶片的清洗中，提供一种能够同时降低半导体晶片表面中的金属杂质水平和粒子水平的半导体晶片的清洗方法。
半导体晶片清洗方法

[发明专利]半导体晶片表面的清洗方法-CN200710094568.4有效
发明人：高昀成;刘轩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体晶片表面的清洗方法，通过位于半导体晶片表面上方的喷头将清洗液喷洒到该半导体晶片表面，对所述半导体晶片表面进行清洗，在喷洒清洗液时，所述喷头的喷嘴在半导体晶片表面上方做往复运动，且所述喷嘴在往复运动中经过半导体晶片表面中心上方本发明能够将所述半导体晶片表面的残留物或污染物去除的较为干净。
半导体晶片表面清洗方法

[发明专利]半导体晶片的清洗槽及清洗方法-CN201910973350.9有效
发明人：今城宽纪 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够将半导体晶片的周缘部更均匀地清洗的半导体晶片的清洗槽及清洗方法。一种半导体晶片（W）的清洗槽，是将多片半导体晶片（W）浸渍到清洗液而清洗的半导体晶片的清洗槽（1），具备：槽主体（11），在上部具有开口部（11a），收容多片半导体晶片（W）并储存清洗液；以及多个晶片导引部（32），在表面设置有多个槽口（S），上述多个槽口（S）由第1侧面部（32a）和第2侧面部（32b）划定，且上述多个槽口（S）立设支承半导体晶片（W）；一边使清洗液从槽主体（11）的开口部（11a）溢流一边将多片半导体晶片（W）清洗，其特征在于，在第1侧面部（32a）及第2侧面部（32b）的各自设置有将清洗液喷射的清洗液喷射口（32c）。
半导体晶片清洗方法

[发明专利]半导体晶片清洗液组合物及利用其的清洗方法-CN202080019528.7有效
发明人：李昇勋;李昇炫;金胜焕;陈昇吾 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C11D1/825 文献下载
摘要：本发明涉及在半导体器件制造中使用的半导体晶片清洗用组合物及利用其的半导体晶片清洗方法，本发明的半导体晶片清洗用组合物由以化学式1及化学式2形成的表面活性剂、无机酸或有机酸、余量的水组成，本发明的半导体晶片清洗方法是使半导体晶片浸渍于清洗用组合物根据本发明的清洗用组合物及清洗方法在半导体器件制造用晶片表面的研磨工艺中，提供针对污染物质，特别是，对有机蜡显著增大的去除效率及有效的清洗力，从而使晶片表面高度清洁，表现出能够制造高可靠度的半导体元件的效果
半导体晶片清洗组合利用方法

[发明专利]化学机械研磨方法和半导体晶片清洗方法-CN201110004658.6无效
发明人：李健;朱旋;许宗能;曾明;杨兆宇 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种化学机械研磨方法和半导体晶片清洗方法，所述化学机械研磨方法用于在介质层的通孔中淀积金属层后，研磨去除多余的金属，形成金属插塞，包括：研磨淀积金属层后的半导体晶片表面；向半导体晶片表面喷水，控制喷水参数以实现减小介质层对金属插塞形成的侧应力；清洗半导体晶片表面。所述半导体晶片清洗方法，用于在介质层中形成金属插塞之后，清洗半导体晶片，包括：向半导体晶片表面喷水，控制喷水参数以实现减小介质层对金属插塞形成的侧应力。本实施例提供的技术方案可以减小介质层对金属插塞的侧应力，进而能够避免金属导线局部的断开，避免形成断路，能够提高半导体器件的良率。
化学机械研磨方法半导体晶片清洗

[发明专利]半导体器件的生产工艺和其中使用的清洗装置-CN99105481.4无效
发明人：八木秀明 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1999-03-13 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提出一种用于生产半导体器件的工艺过程，其构成为：一个在半导体晶片上生成金属布线图的工序，一个安置许多带有布线图的半导体晶片并用清洗液对其进行清洗的工序(清洗工序)，一个使清洗后的半导体晶片高速旋转以甩出粘附在半导体晶片上的清洗液的工序(甩出工序)，和一个用纯水漂洗已除去清洗液的半导体晶片的工序(漂洗工序)。按照本工艺过程生产半导体器件，在生成金属布线图的工序中出现的杂质和残留物，能在不导致腐蚀金属布线的情况下被除去，并以低成本生成出高质量的半导体器件。
半导体器件生产工艺其中使用清洗装置

[发明专利]半导体晶片的脱胶方法-CN201711445155.6在审
发明人：马岳 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的半导体晶片的脱胶方法，包括：第一次超声波清洗：将该半导体晶片置于具有表面活性剂的温水中进行超声波清洗；浸泡脱胶：将该半导体晶片置于包括以下重量百分比组分的清洗剂进行浸泡：辛基酚聚氧乙烯醚8‑12％、水杨酸2‑5％、乙酰胺2‑5％、2‑羟基膦酰基乙酸4‑8％、硅酸钠5‑10％、葡萄糖酸钠4‑6％、乙醇6‑10％、异丙醇2‑6％、三氯乙烯3‑9％、余量为去离子水；以及第二次超声波清洗：将该半导体晶片置于去离子水中进行超声波清洗该方法能高效去除半导体晶片上的胶体，保证半导体晶片表面无花片、崩边、缺口等，提高半导体晶片的成品率。
半导体晶片超声波清洗脱胶水中浸泡清洗剂辛基酚聚氧乙烯醚半导体晶片表面羟基膦酰基乙酸表面活性剂葡萄糖酸钠重量百分比去离子水三氯乙烯成品率硅酸钠水杨酸乙酰胺异丙醇崩边花片乙醇去除离子保证

[实用新型]一种具有防静电控制功能的旋转冲洗设备-CN202220901721.X有效
发明人：白卫平 -专利权人：广州科欣仪器有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有防静电控制功能的旋转冲洗设备，涉及半导体晶片技术领域，以解决现有的冲洗设备在清洗半导体晶片时，会因为半导体晶片的摆放出现死角等原因导致清洗不干净的问题，包括机架，所述机架内部开设有内腔将需要清洁的半导体晶片放置在清洁腔体内部，清洁腔体转动时进而带动内部的半导体晶片进行转动，通过旋转半导体晶片，再利用气控单元控制水对半导体晶片进行三百六十度无死角清洗，进而便于使用。
一种具有静电控制功能旋转冲洗设备

[发明专利]半导体清洗设备及晶片清洗方法-CN202110087609.7有效
发明人：王琳;张明 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体清洗设备及晶片清洗方法，半导体清洗设备包括清洗槽及设置于所述清洗槽中的换能器振板，所述换能器振板包括振板本体、多个振子组，每个所述振子组均包括至少一个振子，多个所述振子组均设置在所述振板本体上，且被设置为环绕所述清洗槽中的预设清洗位置，其中，所述半导体清洗设备清洗晶片时，所述晶片处于所述预设清洗位置。上述技术方案可以解决目前采用半导体清洗设备清洗晶片的效果较差的问题。
半导体清洗设备晶片方法

[实用新型]一种半导体晶片清洗系统-CN202122760611.4有效
发明人：吴倩;郑金龙;周铁军;马金峰;王金灵 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶片清洗系统，旨在提高晶片的清洗效果，保证晶片的生产质量，其技术方案：一种半导体晶片清洗系统，包括用于放置待清洗晶片的清洗机、用于提供清洗晶片用药液的药液供应单元，还包括一扩散单元，用于将药液供应单元供应的药液扩散输入到清洗机内；所述扩散单元与所述药液供应单元通过第一管道连接，与所述清洗机通过第二管道连接，属于半导体材料制造技术领域。
一种半导体晶片清洗系统

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200310122485.3无效
发明人：佐藤一夫;藤木直人 -专利权人：株式会社瑞萨科技;株式会社瑞萨东日本半导体
申请日： 2003-12-25 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，目的在于防止半导体晶片的背面清洗工艺中的静电破坏或干燥不良，提高半导体器件的可靠性。在半导体晶片(1)的背面(1b)朝上的状态下，使半导体晶片(1)旋转。从喷嘴(35)向半导体晶片(1)的背面(1b)供给冲洗液(36)，借助于刷子进行清洗。其间，对半导体晶片(1)的表面(1a)，从配置在其下方的喷嘴(38)供给冲洗液(39)。这时，使来自喷嘴(38)的冲洗液(39)的排出方向成为相对于半导体晶片(1)的表面(1a)垂直的方向，使从喷嘴(38)排出的冲洗液(39)的液流命中到离开半导体晶片(1)的表面(1a)的中心的位置上。
半导体器件制造方法

[实用新型]一种清洗半导体晶片的石英缸-CN202221858334.9有效
发明人：李杰 -专利权人：连云港取道石英制品有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种清洗半导体晶片的石英缸，涉及半导体晶片清洗领域，包括缸体，缸体的内部下底中心位置处转动安装有驱动齿轮，缸体的下底位于驱动齿轮的左右两侧分别转动安装有从动齿轮，从动齿轮与驱动齿轮啮合连接本实用新型通过将固定组件设置成可转动的，便可在半导体晶片清洗时对其进行多角度清洗，使半导体晶片能够与清洗液充分接触，毛刷组件能够在半导体晶片清洗时，对其表面进行毛刷清理，使得半导体晶片表面更加洁净。
一种清洗半导体晶片石英

[发明专利]降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗方法-CN202210224877.3在审
发明人：王世锋;杨超;张建平;王泽华 -专利权人：青岛浩瀚全材半导体有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗方法，包括如下步骤：对半导体衬底晶片进行超声波清洗，其中超声波清洗包括依次进行的超声波去蜡清洗、超声波去离子水清洗；超声波去蜡清洗时的超声波频率为25KHz；超声波去离子水清洗时依次采用频率为40KHz、80KHz、120KHz的顺便进行清洗；对超声波清洗后的半导体衬底晶片进行化学试剂清洗；对半导体衬底晶片进行兆声波清洗，兆声波清洗时的频率为0.9MHz～1.2MHz；本发明的方法能够有效降低砷化镓和磷化铟晶片表面的残留颗粒缺陷，颗粒度小于100个/片，提高了晶片表面质量和产品良率；方法成本低、实用性强，适用于半导体晶片的批量生产。
降低半导体衬底晶片表面颗粒清洗方法

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