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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210333081.8有效
发明人：朱慧珑;梁擎擎;钟汇才;尹海洲;骆志炯;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一示例，半导体器件可以包括：半导体层；半导体基体，位于半导体层上，所述半导体基体包括延伸穿过该半导体基体的空腔；源极和漏极，在半导体层上形成，且分别接于半导体基体的相对的第一侧面和第二侧面；栅极，分别接于半导体基体的相对的第三侧面和第四侧面
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201010223870.7有效
发明人：朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-01 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上；绝缘基体，所述绝缘基体位于所述绝缘层上并嵌于所述半导体基体中，所述绝缘基体以其具有的应力作用于所述半导体基体。一种半导体器件的形成方法，包括：在绝缘层上形成半导体基底；在所述半导体基底内形成空腔，所述空腔暴露所述绝缘层；在所述空腔中形成绝缘基体，所述绝缘基体以其具有的应力作用于所述半导体基底。
一种半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201110166632.1有效
发明人：尹海洲;朱慧珑;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，该结构包括衬底、半导体基体、半导体辅助基体层、空腔、栅极堆叠、侧墙、源/漏区，其中所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上，所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上，所述源/漏区嵌于所述半导体基体中，并位于所述栅极堆叠的两侧，所述空腔嵌于所述衬底中，所述半导体基体悬置所述空腔上方，在沿栅极长度的方向上，所述半导体基体中间的厚度大于其两侧的厚度，在沿栅极宽度的方向上，所述半导体基体与所述衬底相连，所述半导体辅助基体层位于所述半导体基体的侧壁上，所述半导体辅助基体层与所述源漏区具有相反的掺杂类型，且其掺杂浓度高于所述半导体基体的掺杂浓度。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。利于抑制短沟效应，提高器件性能，并降低成本，简化工艺。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201210117033.5有效
发明人：尹海洲;朱慧珑;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，其接于所述半导体基体的两个相对的第一侧面；栅极，其位于所述半导体基体的两个相对的第二侧面上；绝缘塞，位于所述绝缘层上并嵌于所述半导体基体中；外延层，夹于所述绝缘塞和所述半导体基体之间。一种半导体结构的形成方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成半导体基体；在所述半导体基体内形成空腔，所述空腔暴露所述半导体衬底；在所述空腔中选择性外延形成外延层；在所述空腔中形成绝缘塞。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200680033530.X有效
发明人：林哲也;下井田良雄;星正胜;田中秀明;山上滋春 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种半导体装置，其包括：半导体基体；异质半导体区域，其与半导体基体接触，并且其具有带隙与半导体基体的带隙不同；第一电极，其与异质半导体区域连接；以及第二电极，其与半导体基体欧姆接触。异质半导体区域包括通过层叠多个半导体层形成的层状异质半导体区域，其中，在至少两层之间的界面处的晶格对准不连续。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备-CN201711457463.0在审
发明人：胁山悟;冈本正喜;大冈丰;庄子礼二郎;财前义史;长畑和典;羽根田雅希 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界
半导体基体半导体装置贯通电极绝缘层半导体基第二表面第一表面电子设备配线层周界体内贯通制造

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备-CN201711458678.4在审
发明人：胁山悟;冈本正喜;大冈丰;庄子礼二郎;财前义史;长畑和典;羽根田雅希 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界
半导体基体半导体装置贯通电极绝缘层半导体基第二表面第一表面电子设备配线层周界体内贯通制造

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备-CN201380033466.5有效
发明人：胁山悟;冈本正喜;大冈丰;庄子礼二郎;财前义史;长畑和典;羽根田雅希 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其包括第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界
半导体装置制造方法电子设备

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201110183367.8有效
发明人：朱慧珑;尹海洲;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，该结构包括衬底、半导体基体、半导体辅助基体层、空腔、栅极堆叠、侧墙、源/漏区，其中所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上，所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上，所述源/漏区嵌于所述半导体基体中，并位于所述栅极堆叠的两侧，所述空腔嵌于所述衬底中，所述半导体基体悬置所述空腔上方，在沿栅极长度的方向上，所述半导体基体中间的厚度大于其两侧的厚度，在沿栅极宽度的方向上，所述半导体基体与所述衬底相连，所述半导体辅助基体层位于所述半导体基体的侧壁上相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。利于提高载流子的迁移率，抑制短沟效应，提高器件性能，并降低成本，简化工艺。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200680028008.2有效
发明人：下井田良雄;林哲也;星正胜;田中秀明;山上滋春 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体基体；与所述半导体基体相接触的异质半导体区域；隔着栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体基体之间的接合部的一部分相邻的栅电极；连接至所述异质半导体区域的源电极；以及连接至所述半导体基体的漏电极。所述异质半导体区域具有与所述半导体基体的带隙不同的带隙。所述异质半导体区域包括第一异质半导体区域和第二异质半导体区域。在形成所述栅极绝缘膜之前形成所述第一异质半导体区域，在形成所述栅极绝缘膜之后形成所述第二异质半导体区域。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件-CN201610134597.8在审
发明人：加贺广持;胜野弘;泽野正和;石黑阳;宫部主之;国弘隆志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够获得稳定的特性的半导体发光元件。根据实施方式，提供一种半导体发光元件，具备：基体；第1导电型的第1半导体层，与基体在第1方向上相隔；第2导电型的第2半导体层，设置在第1半导体层与基体之间；第3半导体层，设在第1半导体层与第2半导体层之间；第1电极，设置在基体与第1半导体层之间且与第1半导体层电连接；绝缘层，设置在第1电极与基体及第2半导体层之间；及金属膜，设置在绝缘层与基体之间且覆盖绝缘层及第2半导体层；且第1电极设置在从第2半导体层到达第1半导体层的凹部；绝缘层具有基体侧的第1面，第1面具有沿从第2半导体层朝向第1电极的方向距基体的距离减小的区域。
半导体发光元件

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710182015.4有效
发明人：林哲也;星正胜;田中秀明;山上滋春 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括：半导体基体；异质半导体区域，其由带隙与半导体基体的半导体材料不同的半导体材料制成，并被配置成与半导体基体结合形成异质结；栅极绝缘膜，其被配置成与半导体基体和异质半导体区域之间的异质结接触；栅电极，其被配置成与栅极绝缘膜接触；源电极，其被连接到异质半导体区域；以及漏电极，其被连接到半导体基体。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201110298318.9有效
发明人：尹海洲;朱慧珑;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括衬底、半导体鳍片、栅堆叠、源/漏区以及半导体基体，其中：所述半导体鳍片位于所述半导体基体之上，且与所述半导体基体相连接，所述半导体基体的两端与所述衬底相连接；所述栅堆叠覆盖所述半导体鳍片的中心部分、并延伸至所述衬底表面；所述源/漏区位于所述半导体鳍片的端部分；其中，位于所述半导体鳍片两侧的衬底中具有空腔，所述空腔中具有绝缘材料。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。通过将半导体鳍片下方的半导体基体与位于该半导体基体下方的衬底隔离开，不但有效地减小了所述半导体鳍片下方的衬底区域，还降低了半导体器件与衬底之间的漏电流，提高了半导体器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201810190168.1在审
发明人：佐佐木阳光;井口知洋;木村晃也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：半导体装置包括第1、第2半导体芯片、金属基体及第1、第2接合部件。上述第2半导体芯片在第1方向上与上述第1半导体芯片分离。上述金属基体在与上述第1方向交叉的第2方向上，与上述第1、第2半导体芯片分离。上述绝缘基体设置于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间及上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。上述第1接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间。上述第2接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。
半导体芯片金属基体接合部件绝缘基体半导体装置方向交叉

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202010968812.0在审
发明人：雒曲 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括半导体基体、位线以及字线，半导体基体内设置有多个有源区；位线位于半导体基体内，且沿第一方向延伸，位线与有源区相连接；字线位于半导体基体上，且沿第二方向延伸，字线位于位线的上方，且与有源区相交半导体基体上的单元配置尺寸较小，即半导体结构的尺寸可进一步减小，且埋入式位线的控制能力更强，以此改善半导体结构的性能。
半导体结构制作方法

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