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- [发明专利]半导体发光装置-CN201810687787.1有效
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加贺广持;田岛纯平;岡俊行;宫部主之
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阿尔发得株式会社
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2016-03-10
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2022-05-03
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H01L25/075
- 实施方式的半导体发光装置包括：导电性的衬底；及2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外，本发明包括：第1电极，设置在所述第1发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底；第2电极，设置在所述第2发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第2发光体的第1半导体层；及第1配线，将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。
- 半导体发光装置
- [发明专利]半导体发光装置-CN201610137734.3有效
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泽野正和;胜野弘;宫部主之
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阿尔发得株式会社
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2016-03-10
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2020-07-21
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H01L33/62
- 本发明的半导体发光装置包括：发光体，包含第1、2半导体层以及设置在第1、2半导体层间的发光层；配置在发光体的第2半导体层侧的衬底；在衬底与发光体之间电连接于第1半导体层及第2半导体层的任一层的第1金属层，其从衬底与发光体间沿衬底向发光体外侧延伸；覆盖位于发光体外侧的第1金属层的延伸部的导电层，其延伸在发光体与第1金属层间及在衬底上与发光体并排设置的第2金属层，其隔着导电层设置在延伸部；发光体包括：包含第1半导体层表面的第1面、包含第2半导体层表面的第2面、包含第1半导体层外缘的侧面；并且包括在与第1面平行的方向从侧面朝内侧凹陷的供设置第2金属层的凹陷部，其侧壁经由曲面与侧面连接。
- 半导体发光装置
- [发明专利]半导体发光元件-CN201610016212.8有效
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加贺广持;岡俊行;泽野正和;宫部主之
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阿尔发得株式会社
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2016-01-11
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2019-12-10
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H01L33/02
- 半导体发光元件包含基体、第1～6半导体层、第1～3导电层、构造体及第1绝缘层。第1半导体层与基体相隔。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第4半导体层与基体相隔，与第1半导体层并排。第5半导体层设置在第4半导体层与基体之间。第6半导体层设置在第4半导体层与第5半导体层之间。第2导电层与第5半导体层电连接。构造体与基体相隔。构造体的一部分设置在第1半导体层与第4半导体层之间。第3导电层与第4半导体层电连接。第3导电层包含第1区域、第2区域及第3区域。第1绝缘层的一部分设置在第3导电层与第5半导体层之间。
- 半导体发光元件
- [发明专利]半导体发光装置-CN201610137827.6有效
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加贺广持;田岛纯平;岡俊行;宫部主之
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阿尔发得株式会社
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2016-03-10
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2018-09-28
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H01L27/15
- 实施方式的半导体发光装置包括：导电性的衬底；及2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外，本发明包括：第1电极，设置在所述第1发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底；第2电极，设置在所述第2发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第2发光体的第1半导体层；及第1配线，将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。
- 半导体发光装置
- [发明专利]半导体发光元件-CN201610140819.7在审
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宫部主之;石黑阳;胜野弘;山田真嗣
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株式会社东芝
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2016-03-11
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2016-10-05
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H01L33/38
- 本发明的实施方式提供一种生产性高的半导体发光元件。根据实施方式，提供一种半导体发光元件，包含衬底、第1～第3半导体层、第1、第2电极、金属层。衬底具有第1区域及具备从第1区域突出的凸部的第2区域。第1半导体层为第1导电型。第1半导体层与衬底在第1方向相隔。第2半导体层为第2导电型。第2半导体层设置在第1半导体层与衬底之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1电极设置在第1半导体层与衬底之间且与第1半导体层电连接。第2电极设置在第2半导体层与衬底之间且与第2半导体层电连接。金属层设置在第1电极与第2区域之间以及第2电极与第1区域之间。金属层具有与衬底的凸部嵌合的凹部。
- 半导体发光元件
- [发明专利]半导体发光元件-CN201610134597.8在审
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加贺广持;胜野弘;泽野正和;石黑阳;宫部主之;国弘隆志
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株式会社东芝
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2016-03-09
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2016-10-05
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H01L33/38
- 本发明的实施方式提供一种能够获得稳定的特性的半导体发光元件。根据实施方式，提供一种半导体发光元件，具备：基体；第1导电型的第1半导体层，与基体在第1方向上相隔；第2导电型的第2半导体层，设置在第1半导体层与基体之间；第3半导体层，设在第1半导体层与第2半导体层之间；第1电极，设置在基体与第1半导体层之间且与第1半导体层电连接；绝缘层，设置在第1电极与基体及第2半导体层之间；及金属膜，设置在绝缘层与基体之间且覆盖绝缘层及第2半导体层；且第1电极设置在从第2半导体层到达第1半导体层的凹部；绝缘层具有基体侧的第1面，第1面具有沿从第2半导体层朝向第1电极的方向距基体的距离减小的区域。
- 半导体发光元件
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