|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 9个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]隔离器-CN202210937543.0在审
-
石黑阳
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2022-08-05
-
2023-09-22
-
H01P1/36
- 实施方式的隔离器具备1次侧的第一线圈、2次侧的第二线圈、第一绝缘膜、以及与所述1次侧电连接的1次侧导体。所述第二线圈设置在所述第一线圈的上方，与所述第一线圈磁耦合。所述第一绝缘膜被设置在所述第一线圈上，所述第二线圈被埋入到所述第一绝缘膜的与所述第一线圈侧相反侧的表面。所述1次侧导体在所述第一绝缘膜的所述表面侧被埋入到与所述第二线圈分离的位置。所述第一绝缘膜在所述表面侧具有设置在所述第二线圈与所述1次侧导体之间的多个岛状凸部。所述多个岛状凸部配置为，沿着所述第一绝缘膜的表面的爬电距离、即从所述第二线圈至所述1次侧导体的任意的方向的爬电距离比从所述第二线圈至所述1次侧导体的所述方向的直线距离长。
- 隔离器
- [发明专利]隔离器-CN202210586280.3在审
-
石黑阳;根贺亮平;藤庆彦
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2020-08-11
-
2022-08-30
-
H01P1/375
- 本发明的隔离器具备：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极之上；第二电极，设置于第一绝缘部之上；第二绝缘部，包围第二电极而设置，沿着与第一方向垂直的第一面而设置，与第二电极接触；第一电介质部，设置于第二电极之上及第二绝缘部之上；以及第二电介质部，设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间，第二电极具有：与第一绝缘部相对置的底面、与第一电介质部相对置的上表面及与上表面及底面连接的侧面，第二电介质部与第二电极接触，包含第一及第二电介质层，第一电介质层与第一绝缘部接触，第二电介质层设置于第一电介质层与第二绝缘部之间，第一电介质层具有比第二电介质层、第一绝缘部及第二绝缘部的相对介电常数高的相对介电常数。
- 隔离器
- [发明专利]隔离器-CN202010798666.1有效
-
石黑阳;根贺亮平;藤庆彦
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2020-08-11
-
2022-06-24
-
H01P1/375
- 实施方式的隔离器具备：第一电极；第一绝缘部，设置于所述第一电极之上；第二电极，设置于所述第一绝缘部之上；第二绝缘部，沿着与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向垂直的第一面设置于所述第二电极的周围，并与所述第二电极接触；以及第一电介质部，设置于所述第二电极及所述第二绝缘部之上。所述第二电极具有与所述第一绝缘部相对置的底面、与所述第一电介质部相对置的上表面、与所述底面相连的第一侧面及与所述上表面及所述第一侧面相连的第二侧面。沿着所述第一面，在从所述第二电极的中心朝向所述第二电极的外缘的第二方向上，所述上表面被设置为比所述底面宽，所述第一侧面相对于所述底面及所述第二侧面倾斜。
- 隔离器
- [发明专利]半导体发光元件-CN201610140819.7在审
-
宫部主之;石黑阳;胜野弘;山田真嗣
-
株式会社东芝
-
2016-03-11
-
2016-10-05
-
H01L33/38
- 本发明的实施方式提供一种生产性高的半导体发光元件。根据实施方式，提供一种半导体发光元件，包含衬底、第1～第3半导体层、第1、第2电极、金属层。衬底具有第1区域及具备从第1区域突出的凸部的第2区域。第1半导体层为第1导电型。第1半导体层与衬底在第1方向相隔。第2半导体层为第2导电型。第2半导体层设置在第1半导体层与衬底之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1电极设置在第1半导体层与衬底之间且与第1半导体层电连接。第2电极设置在第2半导体层与衬底之间且与第2半导体层电连接。金属层设置在第1电极与第2区域之间以及第2电极与第1区域之间。金属层具有与衬底的凸部嵌合的凹部。
- 半导体发光元件
- [发明专利]半导体发光元件-CN201510100254.5在审
-
胜野弘;石黑阳
-
株式会社东芝
-
2015-03-06
-
2016-10-05
-
H01L33/24
- 本发明的实施方式提供一种高可靠性的半导体发光元件。根据实施方式，半导体发光元件包含积层体、第一电极、第二电极、以及第一导电层。所述积层体包含第一半导体层、第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层。所述积层体包含第一区域、以及在与所述第二半导体层和所述第一半导体层积层的第一方向交叉的第二方向上与所述第一区域排列的第二区域。所述第一电极与所述第一半导体层电连接。所述第二电极设置在所述第一区域与所述第二区域之间。所述第一导电层将所述第二半导体层与所述第二电极连接。所述第一导电层的外缘位于较所述积层体的外缘更靠内侧。
- 半导体发光元件
- [发明专利]半导体发光元件-CN201610134597.8在审
-
加贺广持;胜野弘;泽野正和;石黑阳;宫部主之;国弘隆志
-
株式会社东芝
-
2016-03-09
-
2016-10-05
-
H01L33/38
- 本发明的实施方式提供一种能够获得稳定的特性的半导体发光元件。根据实施方式，提供一种半导体发光元件，具备：基体；第1导电型的第1半导体层，与基体在第1方向上相隔；第2导电型的第2半导体层，设置在第1半导体层与基体之间；第3半导体层，设在第1半导体层与第2半导体层之间；第1电极，设置在基体与第1半导体层之间且与第1半导体层电连接；绝缘层，设置在第1电极与基体及第2半导体层之间；及金属膜，设置在绝缘层与基体之间且覆盖绝缘层及第2半导体层；且第1电极设置在从第2半导体层到达第1半导体层的凹部；绝缘层具有基体侧的第1面，第1面具有沿从第2半导体层朝向第1电极的方向距基体的距离减小的区域。
- 半导体发光元件
- [发明专利]半导体发光元件-CN201610015618.4在审
-
胜野弘;石黑阳;山田真嗣
-
株式会社东芝
-
2016-01-11
-
2016-09-21
-
H01L33/44
- 半导体发光元件包含基体、第1～3半导体层、第1导电层及第1、2绝缘层。第1半导体层包含第1导电型区域。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间，且为第2导电型。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层设置在第2半导体层的一部分与基体之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第1绝缘层设置在第2半导体层的另一部分与基体之间以及第1导电层与基体之间。第2绝缘层设置在第1绝缘层与基体之间。第1绝缘层的第1厚度比第1绝缘层的第2厚度薄。第2绝缘层的第3厚度与第2绝缘层的第4厚度的差的第2绝对值小于第1厚度与第2厚度的差的第1绝对值。
- 半导体发光元件
|
