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[发明专利]半导体制造装置及半导体基板接合方法-CN201210018300.3无效
发明人：谷田一真;本乡悟史;山口直子;高桥健司;沼田英夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供半导体制造装置及半导体基板接合方法。根据实施例的半导体制造装置，具备：第1部件，保持第1半导体基板；第2部件，保持第2半导体基板，使接合面与第1半导体基板的接合面相对向；距离检测单元，检测第1半导体基板的接合面和第2半导体基板的接合面的距离；调节单元，调节第1半导体基板的接合面和第2半导体基板的接合面的距离；第3部件，在第1半导体基板和第2半导体基板之间形成接合开始点。
半导体制造装置接合方法

[发明专利]确定对过程的校正-CN201980073186.4在审
发明人： S·罗伊;E·M·休瑟博斯;R·沃克曼;阮俊儒 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于配置半导体制造过程的方法，该方法包括：基于与半导体制造过程中的过程步骤的第一操作相关联的测量以及第一采样方案来获得第一参数的第一值；使用递归神经网络基于第一值来确定第一参数的预测值；以及将第一参数的预测值用于配置半导体制造过程中的过程步骤的后续操作
确定过程校正

[发明专利]半导体设备的远程群组控制系统-CN201911198868.6在审
发明人：黄扬君;周法福 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体设备的远程群组控制系统，该群组控制系统包括：服务器、至少一个客户端，其中，客户端通过第一预设协议与服务器通信连接，服务器通过第二预设协议与至少一个半导体设备群组通信连接，半导体设备群组中包括至少一个半导体设备；服务器用于获取半导体设备群组中各个半导体设备的运行状态参数，并将运行状态参数发送给客户端；客户端用于显示运行状态参数。上述远程群组控制系统可独立地基于半导体设备群组的架构实现对半导体设备的监控和管理功能，提升了半导体制造厂的生产效率，提高了半导体制造厂的生产线平衡和及时交付能力，降低了半导体制造厂的生产费用。
半导体设备远程控制系统

[发明专利]半导体制造装置-CN200580027007.1有效
发明人：德田法史;冈田裕子 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2005-01-11 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造装置，其目的在于不降低处理中的操作性地防止半导体基片的破损和变形。为了达成上述目的，半导体制造装置具有装载半导体基片(30)的承载台(100)，承载台(100)具有：由金属构成的与装载的半导体基片(30)触碰的第1金属部(10)；由导电弹性体组成的与装载的半导体基片(
半导体制造装置

[发明专利]用于感测电磁感应的半导体结构及其制造方法-CN201310277437.5无效
发明人：林登财;苏文荣;陈炫全 -专利权人：远翔科技股份有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用于感测电磁感应的半导体结构及其制造方法，在一晶片的制备阶段中，利用一第一半导体制造工程形成霍尔感测元件；接着于霍尔感测元件之上，利用第一半导体制造工程形成保护层；最后于保护层之上，利用一第二半导体制造工程形成电流路径层，据以形成用于感测电磁感应的半导体结构。
用于电磁感应半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN202010093235.5在审
发明人：饭森弘恭 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：实施方式涉及一种半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置包括：载台，具有多个销，用于保持半导体衬底，所述半导体衬底具有形成了蚀刻对象膜的第1面、及位于第1面相反侧的第2面；喷嘴，从载台的上方向半导体衬底的第1面喷出化学药品；以及光测量部，在化学药品的喷出过程中，从载台侧向半导体衬底的第2面照射光，并基于被第2面反射的光的受光状态来测量半导体衬底的移位量。
半导体制造装置方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体制造装置-CN201310741341.X有效
发明人：藤田努;杉沢佳史 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供能够既抑制对半导体芯片的损伤又可靠地对半导体晶片以及粘接层中的至少一方进行分割的半导体制造装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备：保持机构，其对在贴附有半导体晶片的带的位于所述半导体晶片的周围的空白部分所贴附的环进行保持；和工作台，其通过相对于环相对地上升从而对所述带进行扩展。工作台具有对半导体晶片的除外周区域外的中央区域进行吸附的第1吸附部。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]一种用于半导体制造的洁净室系统及其电场除尘方法-CN202080030943.2在审
发明人：唐万福;赵晓云;王大祥;段志军;邹永安;奚勇 -专利权人：上海必修福企业管理有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： F24F7/06 文献下载
摘要：一种用于半导体制造的洁净室系统，包括洁净室(101)、电场除尘系统(102)；洁净室(101)包括气体入口；电场除尘系统(102)包括除尘系统出口、电场装置(1021)；洁净室的气体入口与电场除尘系统(还包括相应的电场除尘方法、半导体制造系统以及半导体制造方法，能有效除去半导体制造行业中的颗粒物。
一种用于半导体制造洁净室系统及其电场除尘方法

[发明专利]半导体制造系统、测量装置及半导体制造方法-CN202110629003.1在审
发明人：简志叡;黄韦智 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制造系统、测量装置及半导体制造方法，其中半导体制造系统包含蚀刻工具及测量装置。蚀刻工具用以乘载第一晶圆，并用以处理第一晶圆的第一背面。借此，本发明的半导体制造系统，可以及时发现晶圆背面是否被过度蚀刻。
半导体制造系统测量装置方法

[外观设计]半导体制造装置用密封件-CN201830304701.3有效
发明人：辻和明 -专利权人：株式会社华尔卡
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：半导体制造装置用密封件。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于例如CVD、干法蚀刻装置等半导体制造装置，插入半导体制造装置的第一构件的槽中，将第一构件与第二构件之间密封。3．本外观设计产品的设计要点：在于半导体制造装置用密封件的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
半导体制造装置外观设计密封件左视图省略仰视干法蚀刻装置第二构件俯视图右视图密封图片

[外观设计]半导体制造装置用密封件-CN201830213731.3有效
发明人：姜龍求;吉田延博 -专利权人：株式会社华尔卡
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：半导体制造装置用密封件。2．本外观设计产品的用途：用于例如化学气相沉积装置、干法蚀刻装置等半导体制造装置，插入半导体制造装置的槽中进行密封。3．本外观设计产品的设计要点：在于半导体制造装置用密封件的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1立体图。
半导体制造装置外观设计密封件左视图省略仰视化学气相沉积装置干法蚀刻装置俯视图右视图密封图片

[发明专利]半导体制造装置用构件-CN201280050729.9无效
发明人：稻叶光晴;横田博纪;山田圭介 -专利权人：东华隆株式会社
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C23C4/18 文献下载
摘要：本发明提供不易产生成分污染、并且能够充分地减少半导体制造装置中的颗粒的产生的半导体制造装置用构件。形成一种高强度陶瓷层5，其由向传送臂1的载置构件16喷涂陶瓷而形成喷涂覆膜、对该喷涂覆膜照射激光束、使陶瓷组合物再熔融、再凝固而改质后的陶瓷再结晶物构成，且具有网眼状裂纹6，所述高强度陶瓷层使由于半导体制造装置50中的外在因素而从载置构件16上脱落的粒子减少至不对半导体制造工艺产生影响的程度。
半导体制造装置构件

[发明专利]半导体制造装置-CN202211612934.1在审
发明人：上野和起;山下钦也;高木保志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造装置，目的在于提供半导体芯片角的切割带剥离容易推进的半导体制造装置。本发明的半导体制造装置具有拾取台，该拾取台具有使四边形的半导体芯片升降的机构，拾取台在四角具有第一上推块。第一上推块构成为具有：与半导体芯片的一条边平行的第一边；与半导体芯片的另一条边平行的第二边；以及偏移部，其形成为在第一边与所述第二边之间与第一边和第二边各自的延长线的交点相比向内侧偏移。
半导体制造装置

[发明专利]使用电子显微法的半导体计量及缺陷分类-CN201880085014.4有效
发明人： S·潘戴夫;A·库兹涅佐夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在一些实施例中，从第一源获得半导体结构的相应实例的第一多个电子显微镜图像。所述第一多个电子显微镜图像展示一或多个半导体制造参数的不同值。训练模型，所述模型指定所述第一多个电子显微镜图像与所述一或多个半导体制造参数的所述值之间的关系。收集一或多个半导体晶片上的所述半导体结构的相应实例的第二多个电子显微镜图像。所述一或多个半导体晶片不同于所述第一源。使用所述模型预测所述第二多个电子显微镜图像的所述一或多个半导体制造参数的值。
使用电子显微半导体计量缺陷分类

[发明专利]半导体制造装置-CN201410444602.6有效
发明人：涩谷克则;井本孝志;本间庄一;渡部武志;高野勇佑 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种能够可靠性良好地进行电磁波屏蔽的半导体制造装置。半导体制造装置(1)包括上盖，在将搭载着未屏蔽的半导体封装体的托盘载置于搬送载具的状态下，相比半导体封装体的上表面配置于更上方；及位移检测部，检测半导体封装体接触上盖的下表面并将上盖抬升至上方的异常。
半导体制造装置