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[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法-CN201710334440.4在审
发明人：曾勉;刘晓娣 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，其中TFT阵列基板的制作方法包括使用遮光金属在基板上形成底栅电极，进而在形成有底栅电极的基板上沉积缓冲层，并对该缓冲层进行图案化处理，使得对应于底栅电极上方的缓冲层被薄化，进一步在缓冲层上的薄化区域内形成与底栅电极相对设置的半导体图案。因此，本发明可通过减薄缓冲层对应于底栅电极区域的厚度，提高底栅电极对整个阵列基板性能的控制能力。
一种 tft 阵列及其制作方法

[发明专利]阈值调节电路及方法、像素驱动电路及其驱动方法、显示面板-CN202210713587.5在审
发明人：周吉;孙渺;姚远;肖一鸣;朱修剑 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G09G3/3258 文献下载
摘要：阈值调节电路包括第一初始化模块、第一双栅晶体管、第一存储模块和阈值调节模块；第一初始化模块与第一双栅晶体管的顶栅电连接，第一初始化模块用于初始化第一双栅晶体管的顶栅；第一存储模块的第一端与第一双栅晶体管的底栅电连接，第一存储模块用于维持第一双栅晶体管的底栅的电位；第一双栅晶体管的第一端接入第一电源信号；阈值调节模块的第一端与第一双栅晶体管的第二端连接，阈值调节模块的第二端与第一双栅晶体管的底栅电连接，阈值调节模块用于控制第一双栅晶体管的底栅的电位，以控制第一双栅晶体管的阈值电压。
阈值调节电路方法像素驱动及其显示面板

[发明专利]双栅薄膜晶体管的结构及制造方法-CN202011592482.6有效
发明人：陆磊;张盛东;张冠张;张立宁;李倩;王云萍;周雨恒 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种双栅薄膜晶体管的结构及其制造方法，其结构中包括衬底、底栅电极层、绝缘介质层、有源层、顶栅绝缘介质层、图形化的绝氧层以及顶栅电极层。由于有源层的上方具有图形化的绝氧层，使得可以通过热处理的方式将有源层导体化，形成源极和漏极，源漏极的稳定性更好，并且图形化绝氧层可以更好的隔绝外界空气和湿气，避免内部电极被氧气或湿气腐蚀，进一步保障器件的性能和稳定性其方法中采用背部曝光的方式形成图形化绝氧层，使得形成的器件中，底栅宽度和有源层的宽度相同，有效对准，底栅和源极漏极之间没有交叠量，也可通过增加绝缘层的厚度或层数进一步降低顶栅与源极和漏极之间的交叠电容。
薄膜晶体管结构制造方法

[发明专利]半导体装置、有源矩阵基板以及显示装置-CN201080035843.5无效
发明人：北角英人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-08-09 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供能防止结构复杂化和装置大型化并且能降低漏电流的制造简单的半导体装置、使用该半导体装置的有源矩阵基板以及显示装置。在具备具有顶栅电极(g1、g2)(主栅极电极)和底栅电极(21)(辅助栅极电极)的薄膜晶体管(Tr1、Tr2)的开关部(18)(半导体装置)中，具备：硅层(SL)(半导体层)，其设于顶栅电极(g1、g2)与底栅电极(21)之间；以及遮光膜，其对形成于该硅层的载流子生成区域进行遮光。并且，顶栅电极(g1、g2)的电位由通过信号配线提供的栅极信号进行控制，另一方面，底栅电极(21)的电位根据该底栅电极(21)和顶栅电极(g1、g2)的电容耦合来决定。
半导体装置有源矩阵以及显示装置

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202210451008.4在审
发明人：毕诗伟;廖汉文;颜桓佑;陈彦羽;林群智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在栅介电层上形成伪栅电极层；在所述伪栅电极层上方形成图案化的掩模层；以所述图案化的掩模层为掩模，将所述伪栅电极层图案化为多个图案化的伪栅电极，所述图案化的伪栅电极彼此间隔，使得每个图案化的伪栅电极在横截面图中具有顶宽且底窄的轮廓，其中，所述图案化包括以越来越强的横向蚀刻特性蚀刻所述伪栅电极层；在所述图案化的伪栅电极的侧壁上形成栅极间隔件；以及用含金属的栅电极代替所述图案化的伪栅电极
半导体器件制造方法

[发明专利]低栅漏电荷的沟槽型功率半导体器件及其制备方法-CN202110032714.0在审
发明人：胡盖;夏华秋;夏华忠;黄传伟;李健;诸建周 -专利权人：江苏东海半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种低栅漏电荷的沟槽型功率半导体器件及其制备方法。其在元胞沟槽槽底的正下方设置非晶化区，所述非晶化区通过控制氢注入方法，将元胞沟槽底部的晶面取向相同的晶粒单晶硅轰击成晶面取向不同的非晶化状态，其晶体材料由于晶格损伤密度太大而发生非晶化转变，从而通过热氧化炉管工艺生长后，通过非晶化区能形成底部绝缘栅氧化层，底部绝缘栅氧化层的厚度为上部绝缘栅氧化层厚度的1.4倍，从而能增大了覆盖元胞沟槽槽底绝缘栅氧化层的厚度，有效的增大了元胞沟槽底部的台面宽度，减小了寄生电容的有效面积，从而减小了栅漏电荷Qgd，与现有工艺兼容。
漏电沟槽功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法-CN200810240084.0有效
发明人：刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；在底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶对底电极进行图形化；旋涂可溶性有机栅介质，填隙在源漏之间的沟道，平坦化源漏电极；干燥有机栅介质材料，并蒸镀有机半导体层。利用本发明，底电极的平坦化工艺比较操作方便，设备简单，也不需要昂贵的刻蚀机设备，普通的旋涂工艺就可以很容易实现。同时，有机栅介质材料有些无机材料作为栅介质所不具备的优点，且材料种类非常丰富，可选择的空间比较大。
一种制作电极平坦有机场效应晶体管方法

[发明专利]一种像素驱动电路、显示面板及显示装置-CN202210770798.2在审
发明人：吴剑龙 -专利权人：厦门天马显示科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素驱动电路、显示面板及显示装置，像素驱动电路包括：驱动模块、第一初始化模块、存储模块、阈值补偿模块、数据写入模块和发光模块；驱动模块、第一初始化模块和阈值补偿模块的晶体管中的至少一个采用第一双栅结构；采用第一双栅结构的晶体管包括控制端和第一底栅电极；第一底栅电极用于接入第一调制电压。通过在驱动模块、第一初始化模块和阈值补偿模块的晶体管中的至少一个采用第一双栅结构，改善像素驱动电路中晶体管的迟滞现象，进而提升显示面板的显示效果。
一种像素驱动电路显示面板显示装置

[发明专利]双栅极器件的制备方法及双栅极器件-CN202110775018.9在审
发明人：杨雷静;李昊;忻向军;张琦;饶岚;王拥军;田清华;田凤 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种双栅极器件的制备方法及双栅极器件，该方法包括：制备底栅极；在底栅极上制备底栅介质层；将单层或多层低维材料覆盖至底栅介质层；在低维材料上制备顶栅介质层；在顶栅介质层上制备顶栅极；将电子束负胶覆盖在顶栅介质层及顶栅极和低维材料上并对其图形化和刻蚀；将电子束正胶覆盖在衬底上并对其图形化和刻蚀，暴露低维材料同时形成电极掩膜；刻蚀掉暴露出的低维材料；对电子束负胶覆盖的剩余部分低维材料镀膜，得到与低维材料两端侧面接触的端接触电极，制备出端接触双栅极器件
栅极器件制备方法

[发明专利]制造底栅型薄膜晶体管的方法-CN200710088997.0无效
发明人：林赫;朴永洙;鲜于文旭;赵世泳;殷华湘 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种制造底栅型薄膜晶体管TFT的方法，其中具有大晶粒尺寸的多晶沟道区相对简单且容易地形成。制造底栅薄膜晶体管的该方法包括：在基板上形成底栅电极；在所述基板上形成栅极绝缘层从而覆盖所述栅电极；在所述栅极绝缘层上形成非晶半导体层；构图所述非晶半导体层从而在所述栅电极上形成非晶沟道区；利用激光退火方法熔化所述非晶沟道区；以及晶化所述熔化的非晶沟道区从而形成横向生长的多晶沟道区。
制造底栅型薄膜晶体管方法

[发明专利]一种三端并联叠层双面光伏电池及其制备方法-CN202310417085.2在审
发明人：彭柳军;杨培志;廖承菌;蒋胤 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：将宽带隙的染料敏化太阳电池作为顶电池，窄带隙铜锌锡硫类太阳电池作为底电池。底电池依次层叠设置底电池钠钙玻璃衬底、第一栅线电极、窗口层、高阻层、缓冲层、吸收层和第二栅线电极；顶电池与底电池共用第二栅线电极，并依次层叠设置电解质层、光阳极介孔层、透明导电层和第三栅线电极。这种结合，发挥了染料敏化太阳电池和铜锌锡硫类太阳电池的各自优势，扩大了对太阳光光谱的吸收范围，为未来廉价光伏技术的大规模高效率应用提供了可能，在太阳电池技术领域具有良好的应用前景。
一种并联双面电池及其制备方法

[发明专利]制作薄膜晶体管的方法-CN201380035135.5有效
发明人： M·纳格;S·斯台德 -专利权人： IMEC非营利协会;荷兰应用自然科学研究组织TNO;鲁汶天主教大学
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种用于制作底栅顶接触金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法，该方法包括：‑在基板上形成栅电极；‑提供覆盖栅电极的栅介电层；‑在栅介电层上沉积金属氧化物半导体层；‑在金属氧化物半导体层上沉积金属层；‑对所述金属层进行图案化以形成源极和漏极接触，其中对金属层进行图案化包括对该金属层进行干法蚀刻；以及然后对金属氧化物半导体层进行图案化。
金属层图案化金属氧化物半导体层栅介电层氧化物半导体薄膜沉积金属氧化物薄膜晶体管沉积金属层覆盖栅电极半导体层干法蚀刻接触金属漏极接触栅电极晶体管底栅基板源极制作

[发明专利]一种液力变矩器叶栅装配精度的测量和评价方法-CN202210907643.9在审
发明人：陈建文;邓细望;何洪;周洪刚;郭宇飞;张冬庆;谢商育;刘新;刘曲峰;刘礼新 -专利权人：江麓机电集团有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种液力变矩器叶栅装配精度的测量和评价方法，涉及带曲面/曲线零件总成的装配精度测量或者逆向尺寸分析、质量评价领域，解决了液力变矩器叶栅在空间上分布呈弧面或弧边的特征，导致对其测量困难的问题，包括通过三维蓝光扫描仪扫描叶栅，得到叶栅特征部位的三维坐标点图；构建叶栅三维数字化模型；以叶栅三维数字化模型底平面为角度基准平面，利用角度基准平面和叶栅三维数字化模型相交测量，得到角度数据宽度范围；设定量高基准面，利用量高基准面和叶栅三维数字化模型相交测量；本发明利用角度基准平面和叶栅三维数字化模型相交测量，利用量高基准面和叶栅三维数字化模型相交测量，解决了测量困难的问题。
一种液力变矩器叶栅装配精度测量评价方法

[发明专利]一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法-CN201711190477.0在审
发明人：韦新颖;薛晓阳;杜勇;黄皓坚;谢芯瑀;高启仁 -专利权人：成都捷翼电子科技有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法，在制造OTFT结构时，上下邻近的材料使用同一掩模，一次曝光，依次显影或蚀刻完成各层材料的图案化；其中，在制造底栅底接触的OTFT结构时，有机半导体层和钝化层使用一张掩膜版，如果有机半导体层和钝化层是光固材料，则一次曝光、显影可完成这两种材料的图案化，否则可以以钝化层为掩模对有机半导体层进行蚀刻，整个OTFT阵列基板形成需要4张掩膜版；在制造顶栅底接触的OTFT结构时，有机半导体层、栅绝缘层、栅金属电极和扫描线使用一张掩膜版，一次曝光、显影，三次蚀刻完成三层材料的图案化，整个OTFT阵列基板形成需要4张掩膜版。
一种柔性有机薄膜晶体管制造方法

[发明专利]一种一体化泵站阿基米德螺旋栅条底部整流方法-CN201510281429.7有效
发明人：成立;王默;车晓红;夏臣智;宋希杰;周济人 -专利权人：扬州大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： E03F5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种水利工程设施，尤其是对于一种一体化泵站阿基米德螺旋栅条底部整流方法，属于水利工程、市政工程技术领域,其特征是：泵筒制成由上部圆柱筒体和筒底组成，所述筒底为由球冠形曲面和环形曲面构成的坡度由陡变缓的曲面筒底，所述环形曲面的上边缘与圆柱筒体相切连接，环形曲面的下边缘与球冠形曲面的边缘相切连接；在所述曲面筒底内设置逆时针阿基米德螺旋栅条构成的阿基米德螺旋栅；在所述进水口设置粉碎型格栅，由进水口进入的水流中杂物通过粉碎型格栅粉碎后进入泵筒内本发明结构合理简单、生产制造容易、方法先进科学，通过本发明，提供一种一体化泵站阿基米德螺旋栅条底部整流方法。
一种一体化泵站阿基米德螺旋底部整流方法

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