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[发明专利]薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法-CN202011503282.9有效
发明人：郑文豪;戴逸明;陈彦羽;朱玄之 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法，薄膜沉积系统在一薄膜沉积室中在一基板上沉积一薄膜。该薄膜沉积系统通过使一流体流入该薄膜沉积室中来沉积该薄膜。该薄膜沉积系统包括一副产物感测器，该副产物感测器感测一排放流体中的该流体的副产物。该薄膜沉积系统基于这些副产物来调整该流体的流动速率。
薄膜沉积系统以及方法

[发明专利]用于洗涤器的副产物去除装置和包括该装置的等离子洗涤器-CN201410097660.6无效
发明人：李载明;成哲铉;徐荣源 -专利权人：永进艾恩迪有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种有害气体燃烧同时去除副产物，如沉积在室内的粉末的副产物去除装置，以及具有该副产物去除装置的等离子洗涤器。本发明用于洗涤器的副产物去除装置包括连接到燃烧室上端的旋转支撑件，可沿其内形成火焰的反应空间的外周旋转，所述旋转支撑件具有在其中部形成的通孔；连接到所述旋转支撑件的驱动单元，将旋转力传送到所述旋转支撑件；和第一副产物去除部件，从所述旋转支撑件的底表面向下延伸，以去除沉积在燃烧室的侧壁内表面上的副产物。
用于洗涤器副产物去除装置包括等离子

[发明专利]用于去除水中消毒副产物的电极及其制备方法-CN201210148640.8无效
发明人：曲久辉;李昂臻;赵旭;刘会娟 -专利权人：中国科学院生态环境研究中心
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本发明属于水处理技术领域，涉及用于去除水中消毒副产物的电极及其制备方法，特别涉及在碳纸表面先后分别电沉积贵金属和铁得到的电极。本发明的用于去除水中消毒副产物的电极的制备方法是以碳纸为载体，通过电沉积的方法，将原位生成的贵金属和铁先后分别电沉积在碳纸的表面，即可得到用于去除水中消毒副产物的电极。在通电的情况下，本发明的电极能够将在水中极性较强，较稳定的消毒副产物比如卤乙酸、溴酸盐等还原去除。本发明的电极制备方法简便，易于操作；原位生成的贵金属纳米颗粒和铁纳米颗粒电沉积于碳纸表面制得的电极造价低，电极具备优异的还原去除水中消毒副产物的能力。
用于去除水中消毒副产物电极及其制备方法

[发明专利]SiC衬底的刻蚀方法-CN201810857556.0有效
发明人：刘海鹰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种SiC衬底的刻蚀方法，刻蚀在反应腔室内进行，刻蚀方法交替执行刻蚀步骤和副产物排出步骤；在刻蚀步骤，对设于反应腔室内的SiC衬底进行刻蚀；在副产物排出步骤，排出反应腔室内的反应副产物。该刻蚀方法能够降低反应副产物在反应腔室侧壁和介质窗表面沉积的可能，设备的清洗维护周期被大幅延长，降低设备的维护难度和工作量。
sic 衬底刻蚀方法

[发明专利]在沉积过程中维持副产物挥发性的方法和设备-CN200410081886.3有效
发明人： C·M·白利;R·A·霍格尔;S·普顿;R·P·卡斯马尔卡;A·沙利文;C·马;Q·M·王 -专利权人：波克股份有限公司
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：一种通入含氟气流到沉积过程用以保持过程副产物的挥发性并及减少或消除副产物的形成和/或干扰的方法和设备。
沉积过程维持副产物挥发性方法设备

[发明专利]用于气体分配的保护罩及系统-CN02820970.2无效
发明人：科尔比·马特森;艾拉杰·哈基米莱;劳伦斯·D·巴塞洛缪;朴胜俊;吕顺九 -专利权人：阿维扎技术公司
申请日： 2002-08-26 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种保护罩(301)和用于气体分配的系统，以降低化学汽相沉积系统表面上薄膜和工艺副产物的沉积。本发明在惰性气体罩通气室(112)内设置体积插件(116)，其减小了罩上反应副产物沉积的积累。在另一实施例中，通气口引导部件(302、304)用于将气态沉积副产物引导至通气道(300)的中心，由此减小通气口系统壁上的颗粒沉积物。在另一实施例中，局部塞(220)安装于喷射器吹清通道中，以变向和计量惰性气体，由此减小罩和喷射器端部副产物的沉积。
用于气体分配护罩系统

[发明专利]高深宽比的浅沟槽隔离刻蚀方法-CN201410640555.2在审
发明人：符雅丽 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种高深宽比的浅沟槽隔离刻蚀方法，其包括刻蚀步骤，该刻蚀步骤包括多个子步骤，其中，各个子步骤所采用的可改变反应副产物的沉积物堆积量的工艺参数数值按可使反应副产物的沉积物堆积量递减的第一规则变化；或者，各个子步骤所采用的可改变反应副产物的沉积物堆积量的工艺参数数值按可使反应副产物的沉积物堆积量在增加和减少两个过程之间交替的第二规则变化。
高深沟槽隔离刻蚀方法

[发明专利]生产石墨烯的方法-CN201380029133.5有效
发明人：杰拉尔丁·G·博特 -专利权人：俄亥俄州立大学
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：石墨烯可从在煤电解过程中所形成的副产物来生产。这些副产物可为电解的煤颗粒、形成于电解的煤颗粒上的凝胶状薄膜、或电解的煤颗粒与凝胶状薄膜一起。电解的煤副产物作为薄层沉积到表面上或载体基底50上，其被加热到有效形成石墨的温度当诸如氢气的还原性气体在加热后的煤产物上方流动时。还原性气体流携带碳颗粒并将它们沉积到表面66上，在其上形成石墨烯层。
生产石墨方法

[发明专利]防止MOCVD反应室部件上沉积有反应物及其副产物的方法-CN201510833264.X有效
发明人：杨翠柏;张露;张杨;方聪;刘向平;靳恺;王雷 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止MOCVD反应室部件上沉积有反应物及其副产物的方法，该方法主要是采用石墨烯材料进行表面镀膜保护处理，在不能沉积石墨烯材料的MOCVD反应室部件的相应部位表面采用耐高温的催化反应层作为过渡层，将石墨烯材料沉积在该催化反应层上，而该催化反应层又附着在MOCVD反应室部件的相应部位表面，沉积上的石墨烯膜层将作为反应阻止层，把催化反应层和需要保护的MOCVD反应室部件的部位与反应气体隔绝，由于石墨烯与反应物及其副产物晶格差别大，无法形成成核点，因而在石墨烯表面是无法沉积反应物及其副产物，从而达到防止MOCVD反应室部件上沉积有反应物及其副产物的目的。
防止 mocvd 反应部件沉积反应物及其副产物方法

[发明专利]一种带有成角度侧壁的静电卡盘-CN201080053942.6无效
发明人：拉金德尔·德辛德萨;普拉蒂克·曼克迪;克里斯·金柏 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：在等离子体处理过程中，成角度侧壁是基板支承组件暴露的并且会沉积副产物沉积物的唯一表面。在原位室清洁过程中，成角度侧壁提高了副产物沉积物的溅射率，其中被供应至室的清洁气体被激发成等离子体状态以清洁副产物沉积物。
一种有成角度侧壁静电卡盘

[发明专利]避免沉积副产物积聚的真空泵保护-CN201980078104.5在审
发明人：约翰·斯蒂芬·德雷维瑞;汤姆·A·坎普;严浩泉;约翰·爱德华·多尔蒂;阿里·苏希普托·谭;曾明奎;布鲁斯·弗里曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种处理室(例如等离子体蚀刻室)可执行沉积和蚀刻操作，其中沉积和蚀刻操作的副产物可能在与处理室流体耦合的真空泵系统中积聚。真空泵系统可具有多个粗抽泵，使得蚀刻气体可被分流至一粗抽泵而沉积前体可被分流至另一粗抽泵。分流管线可将未使用的沉积前体引导通过分离的粗抽泵。通过在真空泵系统中的初级泵的出口处包含一或更多个气体喷射器或文丘里泵，可避免沉积副产物形成。使用某些清洁化学品的清洁操作(例如无晶片自动清洁操作)可在蚀刻操作之前或之后将沉积副产物去除。
避免沉积副产物积聚真空泵保护

[发明专利]真空处理腔室中的氢分压控制-CN201711121327.4有效
发明人： J·厄赫;H·K·波内坎蒂 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本文所述的实施方式总体上涉及用于去除沉积系统中(诸如在气相沉积系统的真空前级管线中)发现的一种或多种处理副产物的方法。更具体地说，本公开的实施方式涉及减少系统中的氢积聚的方法。在另一实施方式中，提供了一种在沉积腔室中处理基板的方法。该方法包括在基板上沉积层，其中在沉积过程期间在与沉积腔室流体耦接的真空前级管线中产生含氢副产物。该方法还包括使氧化剂气体流入真空前级管线内，以与真空前级管线中的含氢副产物的至少一部分反应。
真空处理中的氢分压控制

[发明专利]半导体工程用反应副产物多重捕获装置-CN202110815995.7在审
发明人：赵宰孝;李妍周;金真雄;韩智银 -专利权人：未来宝株式会社
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体工程用反应副产物多重捕获装置，其特征在于：为了利用一个捕获装置对在半导体制造工程中的制程腔体内执行多重沉积形成不同薄膜层的工程之后排出的未反应气体中包含的混合反应副产物进行分离，通过配备可以为了对各个反应副产物的捕获区域进行分离而在对流入的未反应气体的移动方向流进行控制的同时对热的分布区域进行分离的捕获区域分离部，从而以此为基准在前侧区域通过第一内部捕获塔对在相对高温区域以薄膜形态发生凝聚的反应副产物进行捕获，而在后侧区域通过第二内部捕获塔对在相对低温区域以粉末形态发生凝聚的反应副产物进行捕获的半导体工程用反应副产物多重捕获装置
半导体工程反应副产物多重捕获装置

[发明专利]金属薄膜沉积方法-CN201910846918.0有效
发明人：周烽;万先进;熊少游;左明光;李远;宋锐;李远博 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属薄膜沉积方法，包括如下步骤：1)提供需要沉积目标金属的薄膜的衬底；2)在所述衬底上通过目标金属的化合物的化学气相沉积过程形成由所述目标金属构成的薄膜，所述薄膜附着有在化学气相沉积过程中产生的副产物；3)采用等离子体处理所述薄膜以去除所述副产物；4)重复步骤2)至步骤3)，直至所述薄膜的厚度达到设定值。本发明通过采用目标金属的化合物的化学气相沉积过程在衬底表面形成目标金属薄膜，并采用等离子体处理副产物，从而减少了金属薄膜的氟含量，降低了金属层的电阻率，提高了半导体器件性能以及产品良率。
金属薄膜沉积方法

[发明专利]钨工艺副产物捕捉装置及具有其的半导体薄膜加工设备-CN202011435911.9在审
发明人：金暻台;白国斌;高建峰;王桂磊;田光辉;丁云凌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种钨工艺副产物捕捉装置及具有其的半导体薄膜加工设备。钨工艺副产物捕捉装置包括：壳体，壳体的一端用于连通半导体反应室；内部加热组件，内部加热组件设置在壳体的内部；吸附组件，吸附组件设置在壳体的内部，吸附组件用于吸附半导体反应室内产生的副产气体。根据本发明的钨工艺副产物捕捉装置，半导体反应室生成的副产气体从半导体反应室输入到钨工艺副产物捕捉装置中，副产气体被内部加热组件加热后附着在吸附组件的表面，从而将副产气体留在钨工艺副产物捕捉装置中，防止副产气体进入真空泵，减少副产气体造成真空泵故障的现象，减少副产气体在真空管线内沉积积累造成真空管线堵塞的现象。
工艺副产物捕捉装置具有半导体薄膜加工设备

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