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[发明专利]可用捕获区域得到扩展的反应副产物捕获装置-CN202210618227.7在审
发明人：赵宰孝;李妍周;李俊旼;韩智银 -专利权人：未来宝株式会社
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种可用捕获区域得到扩展的反应副产物捕获装置，将内部捕获塔由分成在将气体的主气流诱导到中央部并使其下降的同时执行捕获反应的上段捕获部、为了对所流入的气体进行收容并对反应副产物进行捕获而利用倒梯形空间部形成内侧区域的中段捕获部、在从通过侧面流入的气体中对反应副产物进行多段捕获的同时防止已捕获的反应副产物流出到外壳的气体排出口的下段捕获部以及通过对在所述中段捕获部的内侧以及外侧区域捕获到的多孔性粉末形态的反应副产物进行收集而防止其流出到外部的捕获罩，从而在不同的高度上对反应副产物进行多段捕获，借此，在使用周期的前半段以及后半段将气流诱导到内侧区域以及外侧区域，从而高效率地执行捕获反应。
可用捕获区域得到扩展反应副产物装置

[发明专利]在蚀刻工程中产生的反应副产物的捕获装置-CN202111086148.8在审
发明人：赵宰孝;李妍周;金仁焕;韩智银;尹性圆 -专利权人：未来宝株式会社
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种在蚀刻工程中产生的反应副产物的捕获装置，其目的在于提供一种可以在真空泵与洗涤器之间的位置上通过多重流路转换结构、多重捕获结构以及多重装载结构将在半导体制造工程中的蚀刻制程腔室内执行工程之后排出的未反应气体中所包含的反应副产物以粉末形态进行捕获以及装载之后仅将气体状态的未反应气体排出到洗涤器的在蚀刻工程中产生的反应副产物的捕获装置。
蚀刻工程产生反应副产物捕获装置

[发明专利]半导体工程用反应副产物多重捕获装置-CN202110815995.7在审
发明人：赵宰孝;李妍周;金真雄;韩智银 -专利权人：未来宝株式会社
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体工程用反应副产物多重捕获装置，其特征在于：为了利用一个捕获装置对在半导体制造工程中的制程腔体内执行多重沉积形成不同薄膜层的工程之后排出的未反应气体中包含的混合反应副产物进行分离，通过配备可以为了对各个反应副产物的捕获区域进行分离而在对流入的未反应气体的移动方向流进行控制的同时对热的分布区域进行分离的捕获区域分离部，从而以此为基准在前侧区域通过第一内部捕获塔对在相对高温区域以薄膜形态发生凝聚的反应副产物进行捕获，而在后侧区域通过第二内部捕获塔对在相对低温区域以粉末形态发生凝聚的反应副产物进行捕获的半导体工程用反应副产物多重捕获装置。
半导体工程反应副产物多重捕获装置

[发明专利]半导体工程用反应副产物多重捕获装置-CN202110816011.7在审
发明人：赵宰孝;李妍周;金真雄;韩智银 -专利权人：未来宝株式会社
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体工程用反应副产物多重捕获装置，其特征在于：为了利用一个捕获装置对在半导体制造工程中的制程腔体内执行多重沉积形成不同薄膜层的工程之后排出的气体中包含的混合反应副产物进行捕获，通过基于与加热器的间隔距离的垂直温度分布差异以及利用捕获结构的流路方向转换和多重涡流生成结构对捕获区域进行分离，从而在上部区域通过第一捕获部对在相对高温区域以薄膜形态发生凝聚的反应副产物进行捕获，而在下部区域通过第二捕获部对在相对低温区域以粉末形态发生凝聚的反应副产物进行捕获并借此在一个捕获装置中对反应副产物进行捕获。
半导体工程反应副产物多重捕获装置