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[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201910888564.6在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，其形成方法包括：提供基底，在基底上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成金属间介质层；刻蚀金属间介质层，在金属间介质层内形成通孔，通孔的底部暴露出刻蚀停止层的表面；对通孔底部的刻蚀停止层进行表面处理本发明对通孔底部暴露出的刻蚀停止层进行表面处理，改变通孔暴露出的刻蚀停止层的材料性质，使得通孔底部暴露出的刻蚀停止层的刻蚀速率发生改变，后续沿着通孔侧壁继续刻蚀通孔底部的刻蚀停止层的时候，未暴露出的刻蚀停止层不会遭到刻蚀的作用，刻蚀工艺就停止在需要刻蚀的暴露出的刻蚀停止层上，从而使得形成的半导体器件的性能和质量得到提高。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010305032.8在审
发明人：王士京;何其暘;何欣祥;卑多慧;杨明;姚达林;黄敬勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、位于基底上的刻蚀停止材料层、位于刻蚀停止材料层上的第一抗刻蚀材料层以及位于第一抗刻蚀材料层上的掺杂层；以掺杂层为掩膜，刻蚀第一抗刻蚀材料层，形成第一抗刻蚀层；以第一抗刻蚀层为掩膜刻蚀刻蚀停止材料层，形成刻蚀停止结构。本发明实施例在形成第一抗刻蚀层的过程中，以刻蚀停止材料层的顶部为刻蚀停止位置，使得掺杂层中的底部凸角不易传递到第一抗刻蚀层中，使得第一抗刻蚀层的形成质量较好；同理，形成刻蚀停止结构的过程中，以基底的顶部为刻蚀停止位置，这进一步减小了底部凸角现象对刻蚀停止结构的影响，最终使得刻蚀停止结构的形成质量较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]刻蚀方法-CN200810113696.3有效
发明人：王新鹏;沈满华;孙武;尹晓明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀方法，包括提供一具有介质层的衬底，所述介质层包括刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层上的中间介质层；用第一气体对所述中间介质层进行第一刻蚀，刻蚀停止在所述中间介质层内；用第二气体对所述刻蚀停止层和所述中间介质层进行第二刻蚀，第二刻蚀停止在所述刻蚀停止层内；在第二刻蚀之后还包括用第三气体对所述刻蚀停止层进行第三刻蚀，其中，第三气体对刻蚀停止层的刻蚀速率，大于第二气体对刻蚀停止层的刻蚀速率；第三气体对中间介质层的刻蚀速率小于第二气体对中间介质层的刻蚀速率本发明的技术方案利用不同的刻蚀气体对介质层进行选择性的刻蚀，可以减小刻蚀后的中间介质层的根部的凹陷问题。
刻蚀方法

[发明专利]刻蚀停止层、具有通孔的半导体器件及其形成方法-CN200710094544.9有效
发明人：黄立恒;路志忠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀停止层，所述刻蚀停止层至少包括第一刻蚀停止层，以及位于所述第一刻蚀停止层之上的第二刻蚀停止层；且所述第二刻蚀停止层的氮含量要高于所述第一刻蚀停止层。本发明还对应公开了一种该刻蚀停止层的形成方法、应用该刻蚀停止层的具有通孔的半导体器件及其形成方法。采用本发明的刻蚀停止层，可以有效防止与刻蚀停止层相连的前一材料层被氮化，达到了降低电路电阻值的目的，改善了电路的形成质量。
刻蚀停止具有半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种CMOS器件的接触孔刻蚀方法及CMOS器件制造方法-CN202110140864.3在审
发明人：季明华;孟昭生;张显 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS器件的接触孔刻蚀方法及CMOS器件制造方法，在经前端工艺形成器件层之后，在器件层的栅极和有源区上形成刻蚀停止层，在该刻蚀停止层上形成碳帽层，或者在刻蚀停止层中离子注入碳在刻蚀停止层表层形成富碳层，然后在刻蚀停止层上形成层间介质层。由于刻蚀停止层上方碳帽层或者富碳层的存在，当刻蚀至深度较浅的刻蚀停止层时，会在该刻蚀停止层中形成大量聚合物，该聚合物会保护刻蚀停止层被进一步刻蚀。因此在后续深度较深的接触孔的刻蚀过程中，能够有效保护深度较浅的接触孔不会出现过刻蚀现象，直至深度较深的接触孔刻蚀完成。避免出现过刻蚀现象，同时也能保证深度较深的接触孔能够充分刻蚀，避免出现刻蚀不足的现象。
一种 cmos 器件接触刻蚀方法制造

[发明专利]一种半导体结构以及半导体结构的制备方法-CN202210614395.9在审
发明人：施生巍;罗兴安;张育龙;张莉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：公开了一种半导体结构以及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：器件层；第一介质层，位于所述器件层上；导电层，位于所述第一介质层内；刻蚀停止层，位于所述第一介质层以及所述导电层的表面；第二介质层，位于所述刻蚀停止层上；以及接触金属，贯穿所述第二介质层以及所述刻蚀停止层，与所述导电层导电连接；其中，所述刻蚀停止层包括层叠的第一刻蚀停止层以及第二刻蚀停止层。本公开的刻蚀停止层包括层叠的第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层，以改善所述导电层表面产生孔洞的问题。
一种半导体结构以及制备方法

[发明专利]沟槽形成方法和半导体器件制造方法-CN201310412253.5在审
发明人：唐兆云;闫江;李峻峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一示例方法可以包括：在衬底上形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成刻蚀停止确定层；分别对刻蚀停止确定层和硬掩膜层进行构图，以在其中形成与要形成的沟槽相对应的图案；以构图的刻蚀停止确定层和硬掩膜层为掩模，对衬底进行刻蚀，以在其中形成沟槽，其中，对衬底的刻蚀同时对刻蚀停止确定层进行刻蚀；以及检测指示刻蚀停止确定层被刻蚀到终点的信号，以确定对衬底刻蚀的停止。
沟槽形成方法半导体器件制造

[发明专利]连接孔的制造方法-CN200810208047.1有效
发明人：沈满华;王新鹏;孙武;尹晓明;赵林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供连接孔的制造方法，包括：在半导体结构上依次具有刻蚀停止层和介质层；在介质层上形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，形成连接孔图案；执行主刻蚀工艺，刻蚀连接孔图案底部部分厚度的介质层；执行第一步过刻蚀工艺，刻蚀连接孔图案底部剩余的介质层，在介质层中形成底部露出刻蚀停止层的开口；执行第二步过刻蚀工艺，刻蚀开口的底部，去除开口底部部分厚度的刻蚀停止层；其中，第一步过刻蚀工艺中刻蚀剂对介质层和刻蚀停止层的刻蚀速率选择比小于等于6，第二步过刻蚀工艺中刻蚀剂对介质层和刻蚀停止层的刻蚀速率选择比大于6。该方法不会引起刻蚀不完全的问题，也不会造成刻蚀停止层击穿的问题。
连接制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201210164993.7有效
发明人：张海洋;王冬江 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上形成超低K介质层；在所述超低K介质层表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层表面形成金属刻蚀停止层；刻蚀所述金属硬掩膜层形成分立的暴露金属刻蚀停止层表面的第一开口和第二开口，第一开口宽度小于第二开口宽度，所述金属硬掩膜层相对于金属刻蚀停止层具有高的刻蚀选择比。以金属刻蚀停止层作为刻蚀停止层，当刻蚀金属硬掩膜层形成宽度不同的第一开口和第二开口时，但由于金属硬掩膜层相对于金属刻蚀停止层具有高的刻蚀选择比，第一开口和第二开口底下对应的金属刻蚀停止层的过刻蚀量可以忽略不计
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710630144.9有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成第一刻蚀停止层，包括氮化铝层、以及位于氮化铝层上的氧化铝层；在第一刻蚀停止层上形成第二刻蚀停止层，包括碳氧化硅层、以及位于碳氧化硅层上的碳氮化硅层由于氧化铝层与碳氧化硅层之间的粘附性较好，与直接在氮化铝层上形成碳氮化硅层的方案相比，可以减小第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层交界面处材料之间的差异性，从而提高第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层之间的粘附性，进而防止第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层出现分层甚至分离的问题。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]金属布线结构的制作方法-CN200610119049.4有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：金属布线结构的制作方法，包括：提供具有隔离结构和位于隔离结构之间的有源区，并且隔离结构上具有腐蚀阻挡层，有源区上具有绝缘隔离层的半导体基体；在半导体基体上依次形成第一刻蚀停止层、第二刻蚀停止层、层间介电层；在层间介电层上形成光刻胶图案；以光刻胶为掩膜刻蚀层间介电层，停止于第二刻蚀停止层；刻蚀第二刻蚀停止层，直至完全去除第二刻蚀停止层；以光刻胶为掩膜，选用对第一刻蚀停止层和腐蚀阻挡层的刻蚀速率选择比大于1，并且对绝缘隔离层和腐蚀阻挡层的刻蚀速率选择比大于1的刻蚀试剂，刻蚀第一刻蚀停止层以及腐蚀阻挡层和绝缘隔离层，直至完全去除有源区上的绝缘隔离层，去除光刻胶层。
金属布线结构制作方法

[发明专利]一种制作相变存储器元件的方法-CN201010275006.1有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作相变存储器元件的方法，包括：提供包括底部电极和在其上与其对准的相变材料层的前端器件结构；在前端器件结构上依次形成刻蚀停止层、绝缘层和具有开口的光刻胶层，刻蚀停止层为单层结构或双层结构，单层结构由第一刻蚀停止层构成，双层结构由第一刻蚀停止层和形成在其表面的第二刻蚀停止层构成，第一刻蚀停止层为绝缘的碳基材料；以光刻胶层为掩膜对绝缘层或者绝缘层和第二刻蚀停止层进行刻蚀，并停止在第一刻蚀停止层的表面，去除光刻胶层；灰化去除暴露的第一刻蚀停止层，以露出相变材料层；在暴露的相变材料层上形成顶部电极，以获得相变存储器元件。发明方法能够有效解决顶部电极形成工艺中相变材料层的损失的问题。
一种制作相变存储器元件方法

[发明专利]三维存储器制造方法及三维存储器-CN202111212226.4在审
发明人：吴林春;杨永刚;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器制造方法及三维存储器，该方法包括：提供基底并在基底上形成牺牲层、第一材料层及刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成堆栈结构，且第一材料层、第二材料层及刻蚀停止层的材料不同；形成贯穿堆栈结构的第二结构孔，第二结构孔延伸至刻蚀停止层；去除刻蚀停止层位于第二结构孔底部的部分；形成包括第二结构孔且延伸至基底中的沟道孔；在沟道孔中形成沟道结构。通过在三维存储器的堆栈结构中设置刻蚀停止层，刻蚀停止层可以作为第二结构孔刻蚀的停止层，由于刻蚀停止层在堆栈结构中的位置确定，可使沟道孔的底部可以恰好位于基底中，不会造成打穿基底的情况发生。
三维存储器制造方法

[发明专利]避免介质层中出现空洞的方法-CN201010253793.X无效
发明人：王新鹏;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-12 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种避免介质层中出现空洞的方法，该方法包括：在NMOS管和PMOS管的表面沉积刻蚀停止层后，在刻蚀停止层之上旋涂PR；对PR进行光刻，光刻后的PR将PMOS管的栅极结构和NMOS管的栅极结构之间的刻蚀停止层暴露出来；对刻蚀停止层进行刻蚀，在PMOS管的栅极结构和NMOS管的栅极结构之间的刻蚀停止中形成一沟槽；去除PR；在刻蚀后的刻蚀停止层之上沉积介质层。采用本发明公开的方法能够避免介质层中出现空洞。
避免介质出现空洞方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910044809.7在审
发明人：吴轶超;张天豪 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一导电层以及位于第一导电层上的刻蚀停止材料层；在刻蚀停止材料层上形成缓冲材料层；在缓冲材料层上形成第二介电层，缓冲材料层的C含量少于第二介电层中的C含量；刻蚀第二介电层，形成露出缓冲材料层的开口；刻蚀缓冲材料层，形成缓冲层；刻蚀缓冲层露出的刻蚀停止材料层，形成露出第一导电层的沟槽，剩余刻蚀停止材料层作为刻蚀停止层，沟槽的侧壁包括刻蚀停止层的侧壁和缓冲层的侧壁；填充开口和沟槽，形成第二导电层。在刻蚀缓冲材料层，形成缓冲层的过程中，不易产生聚合物杂质，形成的沟槽侧壁与第一导电层上表面的夹角更小，优化了半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

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