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[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202111394704.8在审
发明人：张海洋;谭程;殷立强 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的待刻蚀层；在所述衬底上形成初始冰刻胶；采用电子束刻蚀工艺对所述初始冰刻胶进行图形化处理，形成冰刻胶和位于所述冰刻胶内的若干图形化开口，所述图形化开口暴露出所述衬底的顶部表面；在所述冰刻胶的顶部表面形成掩膜层；以所述掩膜层和所述冰刻胶为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，直至暴露出所述基底的顶部表面为止，形成图形化结构。利用所述掩膜层能够为所述冰刻胶提供很好的保护作用，减少在刻蚀过程中对所述冰刻胶造成损伤，进而有效提升图形化传递的精度。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN200910194444.2无效
发明人：蔡志军;李政皓;罗双强;倪红松 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供依次形成有膜层及第一光刻胶层的半导体衬底；将第一光掩模版上的刻蚀图形转移至第一光刻胶层上，形成第一刻蚀开口；以第一光刻胶层为掩膜，沿第一刻蚀开口刻蚀膜层，形成第一预定器件；继续以第一光刻胶层为掩膜，沿第一刻蚀开口向半导体衬底内注入离子，形成第一预定掺杂区；去除第一光刻胶层后，在膜层上形成第二光刻胶层；将第二光掩模版上的刻蚀图形转移至第二光刻胶层上，形成第二刻蚀开口；以第二光刻胶层为掩膜，沿第二刻蚀开口刻蚀膜层，形成第二预定器件；继续以第二光刻胶层为掩膜，沿第二刻蚀开口向半导体衬底内注入离子，形成第二预定掺杂区。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种碳化硅沟槽结构的制造方法-CN201811273390.4有效
发明人：郑昌伟;龚芷玉;张文杰;赵艳黎;李诚瞻;戴小平 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅沟槽结构的制造方法，包括如下步骤，在碳化硅晶圆表面上生长第一刻蚀掩膜层；在碳化硅晶圆待制作沟槽区域的上方形成光刻胶；生长覆盖第一刻蚀掩膜层和光刻胶的第二刻蚀掩膜层；去除位于光刻胶上的部分第二刻蚀掩膜层和光刻胶，并形成第二刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口；利用带有沟槽刻蚀窗口的第二刻蚀掩膜层对第一刻蚀掩膜层进行刻蚀，形成第一刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口；分别以带有沟槽刻蚀窗口的第一、二刻蚀掩膜层为掩膜进行初步刻蚀和二次刻蚀
一种碳化硅沟槽结构制造方法

[发明专利]金属布线结构的制作方法-CN200610119049.4有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：金属布线结构的制作方法，包括：提供具有隔离结构和位于隔离结构之间的有源区，并且隔离结构上具有腐蚀阻挡层，有源区上具有绝缘隔离层的半导体基体；在半导体基体上依次形成第一刻蚀停止层、第二刻蚀停止层、层间介电层；在层间介电层上形成光刻胶图案；以光刻胶为掩膜刻蚀层间介电层，停止于第二刻蚀停止层；刻蚀第二刻蚀停止层，直至完全去除第二刻蚀停止层；以光刻胶为掩膜，选用对第一刻蚀停止层和腐蚀阻挡层的刻蚀速率选择比大于1，并且对绝缘隔离层和腐蚀阻挡层的刻蚀速率选择比大于1的刻蚀试剂，刻蚀第一刻蚀停止层以及腐蚀阻挡层和绝缘隔离层，直至完全去除有源区上的绝缘隔离层，去除光刻胶层。
金属布线结构制作方法

[发明专利]一种CdTe太阳电池的制作工艺-CN202011645591.X在审
发明人：彭寿;汪元元;陈瑛;马立云;殷新建;吴一民 -专利权人：中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种CdTe太阳电池的制作工艺，其特征在于：提供一个带有底电极的衬底层，在底电极上沉积缓冲层、光吸收层；光吸收层活化退火处理；采用第一激光器刻断底电极、缓冲层和光吸收层；采用光刻胶微喷头阵列在第一激光器刻线处喷涂光刻胶，经过衬底方向紫外光曝光显影，填充刻线；清洗未曝光光刻胶，采用第二激光器在每个紧邻第一激光器刻线处旁刻断缓冲层和光吸收层；在整个膜面沉积背电极；采用第三激光器在每个紧邻第二激光器刻线处旁刻断缓冲层、光吸收层和背电极本发明通过微喷头阵列对激光刻槽区域光刻胶精准填充，减少了光刻胶浪费和环保压力，工艺过程显著降低成本并提高良率。
一种 cdte 太阳电池制作工艺

[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置-CN201910464234.4有效
发明人：刘军;方金钢;闫梁臣;周斌;黄勇潮;苏同上;刘宁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，对形成在平坦化层上的光刻胶层进行图案化处理，使薄膜晶体管漏极上方的部分第一通孔内没有光刻胶层、第一通孔的其它部分保留部分光刻胶层、色阻层上方的光刻胶层完全保留；在后续对钝化层进行干刻处理时，由于第一通孔的其它部分仅保留部分光刻胶层，相对现有技术中第一通孔的其它部分完全保留的光刻胶层较薄，本发明有利于在干刻钝化层时形成较好的干刻角度；另外本发明色阻层上方的光刻胶层厚度相对现有技术中色阻层上方的光刻胶层厚度较厚，在对钝化层进行干刻时，可以防止对色阻上方的平坦化层产生干刻损伤，避免使得后续有机发光层蒸镀异常以及有机膜透过率降低的可能。
阵列制作方法显示面板显示装置

[发明专利]套刻误差的补偿方法-CN202210158358.1在审
发明人：项宁;曲厚任;鲍丙辉;索圣涛 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种套刻误差的补偿方法，首先提供参考衬底，在所述参考衬底上依次形成第一图形层与第二层图形层，获取第二图形层与第一图形层之间的套刻误差参数，接着提供衬底，在衬底上依次形成第一图形层、第二图形材料层与第一光刻胶层，在对所述第一光刻胶层进行曝光之前，根据所述套刻误差参数，对所述第一光刻胶层进行衬底旋转量补偿与曝光场涨缩量补偿，之后再对第一光刻胶层进行曝光最终形成第二图形层，通过在曝光之前对第一光刻胶层进行补偿，以此降低第二图形层与第一图形层之间的套刻误差
误差补偿方法

[发明专利]太阳能电池组件的刻槽填充方法-CN202210638995.9有效
发明人：彭寿;马立云;宋杰林;顾娜;陈瑛;储静远 -专利权人：中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/046 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池组件的刻槽填充方法，该方法包括：制备依次包括玻璃基板、透明导电层、N型窗口层、P型吸收层的太阳能电池薄膜；自太阳能电池薄膜的膜面刻划形成刻槽；于膜面涂覆负性光刻胶层；其中负性光刻胶层中添加感光剂，感光剂为温感材料；对负性光刻胶层进行去溶剂过程；对负性光刻胶层进行曝光固化，并在刻槽侧壁的光刻胶层的侧边形成驻波缺陷；对曝光固化后的负性光刻胶层进行烘焙，感光剂在光刻胶层中扩散，对驻波缺陷进行填充；对太阳能电池薄膜进行显影，去除刻槽外未曝光固化的负性光刻胶层。该方法可使负性光刻胶在膜层刻线槽内有良好的固化填充效果，提高光刻胶层的附着力，以达到绝佳的绝缘效果。
太阳能电池组件填充方法

[发明专利]一种光刻胶回刻平坦化方法-CN201710564645.1有效
发明人：魏绍均 -专利权人：上海彤程电子材料有限公司;彤程新材料集团股份有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶回刻平坦化方法。所述光刻胶回刻平坦化方法，包括：在具有电路结构的硅片表面形成介质层；对所述硅片进行第一次烘烤处理；在所述硅片的自然冷却过程中，在所述硅片表面涂覆光刻胶，其中，所述光刻胶覆盖所述介质层；在所述光刻胶涂覆完成之后对所述硅片进行第二次烘烤处理；对所述光刻胶和所述介质层进行回刻处理，来使所述硅片表面平坦化。本发明提供的方法可以避免在光刻胶平坦化刻蚀过程中出现过量刻蚀甚至破坏其他膜层，有效保证光刻胶回刻的平坦化程度。
一种光刻胶回刻平坦方法

[发明专利]降低层间介质层介电常数的方法-CN201110406978.4有效
发明人：王新鹏;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种降低层间介质层介电常数的方法：预先提供一表面自下而上依次包括第一刻蚀终止层和层间介质层的半导体衬底；对层间介质层进行刻蚀，刻蚀停止在第一刻蚀终止层上形成沟槽，在沟槽内填充金属铜形成当层金属互连层；在形成的当层金属互连层表面沉积第二刻蚀终止层；在第二刻蚀终止层表面形成图案化的光阻胶层，图案化的光阻胶层的开口内包括预定区域金属铜及金属铜间的层间介质层；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀第二刻蚀终止层；以第二刻蚀终止层为掩膜，回刻金属铜间的层间介质层至预定深度；在显露出的金属铜表面自动形成导电薄膜；去除金属铜间的剩余层间介质层，在金属铜间形成多个孔洞。
降低介质介电常数方法

[发明专利]沟槽形成方法-CN200910197454.1有效
发明人：王琪;周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种沟槽形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层表面形成保护层；在保护层表面形成与沟槽对应的光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀保护层直至暴露出介质层；以所述光刻胶图形和所述保护层为掩膜，采用第一刻蚀工艺刻蚀第一厚度的介质层；以所述光刻胶图形和所述保护层为掩膜，采用与第一刻蚀工艺对应的第二刻蚀工艺刻蚀第二厚度的介质层，形成沟槽；所述第一刻蚀工艺与第二刻蚀工艺在衬底边缘区域与衬底中心区域的均一性为互补关系
沟槽形成方法

[实用新型]一种增强结合力的晶圆级芯片封装结构-CN202221511859.5有效
发明人：周江南;张中;谢雨龙;马国海 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种增强结合力的晶圆级芯片封装结构，包括在衬底上顺序叠加的芯片、钝化层、第一光刻支撑层、种子层、再布线层、第二光刻支撑层和凸块，同层相邻所述再布线层之间存在刻槽，所述刻槽内填充光刻胶。通过改变光刻版的设计，在再布线层上形成刻槽，有效减少再布线层的整体应力；旋涂光刻胶后，电镀重布线层上的刻槽内填充光刻胶，经过固化后与上层光刻胶形成刚性连接，增加再布线层与光刻胶的结合能力。
一种增强结合晶圆级芯片封装结构

[发明专利]一种制作相变存储器元件的方法-CN201010275006.1有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作相变存储器元件的方法，包括：提供包括底部电极和在其上与其对准的相变材料层的前端器件结构；在前端器件结构上依次形成刻蚀停止层、绝缘层和具有开口的光刻胶层，刻蚀停止层为单层结构或双层结构，单层结构由第一刻蚀停止层构成，双层结构由第一刻蚀停止层和形成在其表面的第二刻蚀停止层构成，第一刻蚀停止层为绝缘的碳基材料；以光刻胶层为掩膜对绝缘层或者绝缘层和第二刻蚀停止层进行刻蚀，并停止在第一刻蚀停止层的表面，去除光刻胶层；灰化去除暴露的第一刻蚀停止层，以露出相变材料层；在暴露的相变材料层上形成顶部电极，以获得相变存储器元件。发明方法能够有效解决顶部电极形成工艺中相变材料层的损失的问题。
一种制作相变存储器元件方法

[发明专利]双镶嵌结构的形成方法、半导体结构-CN200910198598.9有效
发明人：王琪;周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构、双镶嵌结构的形成方法，其中形成方法包括：提供包括有金属布线层的半导体衬底；在金属布线层上形成第一刻蚀阻挡层、第一层间介质层；在第一层间介质层的表面形成第一光刻胶图形；刻蚀形成接触孔；去除第一光刻胶图形；在接触孔内形成第二刻蚀阻挡层；在第一层间介质层的表面形成第二层间介质层、保护层；在保护层的表面形成第二光刻胶图形；刻蚀形成沟槽；去除第二光刻胶层以及接触孔内的第二刻蚀阻挡层；刻蚀接触孔底部的第一刻蚀阻挡层，露出金属布线层。本发明通过两层层间介质层分别用于制作接触孔以及沟槽，并在接触孔内填充第二刻蚀阻挡层，使得形成沟槽时，刻蚀停止于第二刻蚀阻挡层，而避免产生斜坡效应。
镶嵌结构形成方法半导体

[发明专利]改善套刻精度的方法-CN202310450454.8在审
发明人：姜冒泉;金乐群;李玉华;陈建;李锦茹 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种改善套刻精度的方法，提供晶圆，在晶圆上形成有前层结构以及位于前层结构上的当层结构，前层结构上形成有前层套刻标记；在前层结构上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层形成刻蚀图案以及当层套刻标记，之后进行显影后检测，根据前层套刻标记和当层套刻标记获取第一误差；以刻蚀图案为掩膜刻蚀当层结构，用以形成刻蚀后图形，之后进行刻蚀后检测，根据刻蚀后图形获取第二误差，第二误差为刻蚀的偏移量；通过第一、二误差获取补偿值，光刻机的套刻精度补正系统利用补偿值修正当前批次或下一批次晶圆的套刻精度本发明基于刻蚀后量测特征图形关键尺寸的差异建模表征套刻标记，对当层套刻标记反馈进行补偿，改善了图层套刻精度。
改善精度方法

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